|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| Vật liệu: | SIC | Thành phần: sic: | ＞98% |
|---|---|---|---|
| Màu sắc: | Màu đen | Mật độ: | ≥3,05g/cm3 |
| Tối đa. Dịch vụ tạm thời: | 1650℃ | Độ bền uốn: | 380MPa |
| Thành phần: sic: | ＞85% | Mật độ: | ≥3.0g/cm3 |
| Tối đa. Dịch vụ tạm thời: | 1380℃ | Độ bền uốn: | 250MPa |
| Kích thước: | tùy chỉnh | Mật độ: | 2,5 ～ 2,6 g/cm3 |
| Sự dẫn nhiệt: | 23,26 W/(M ·) | điện trở suất: | 1000 ～ 2000 · mm2/m |
| Độ bền kéo: | 39,2 ～ 49 MPa | Độ bền uốn: | 70 90 MPa |
| Mật độ: | 2,5 ~ 2,6g/cm³ | Tối đa. Dịch vụ tạm thời.: | 1500℃ |
| Độ bền uốn: | 70-90 MPa | Hệ số giãn nở nhiệt tuyến tính (20-1500): | 5 × 10⁻⁶/ |
| Điện trở suất: | 1000 ~ 2000Ω · mm²/m | ||
| Làm nổi bật: | các yếu tố sưởi ấm sic tùy chỉnh,Thanh gia nhiệt sic tùy chỉnh |
||
Phần tử gia nhiệt Silicon Carbide cho các ngành công nghiệp gia nhiệt với nhiệt độ ứng dụng trên 540ºC (1.000ºF)
Mô tả phần tử gia nhiệt Silicon Carbide
Phần tử gia nhiệt Silicon Carbide có thể được lắp đặt và thay thế trong khi bồn thiếc đang hoạt động. Các bộ gia nhiệt có thể được lắp đặt thông qua niêm phong bên hoặc qua mặt bên của mái bồn và thường được sử dụng để kéo dài tuổi thọ của chiến dịch, nơi các phần tử thông thường ở các vùng bên đã bị hỏng và không có đủ công suất.
Ưu điểm của phần tử gia nhiệt Silicon Carbide
Các loại và ứng dụng của phần tử gia nhiệt Silicon Carbide
1. SW (Tiêu chuẩn)
Silicon Carbide SW được sử dụng trong các ứng dụng có nhiệt độ từ 600°C đến 1400°C trong cả không khí và môi trường có kiểm soát. Mặc dù loại môi trường được sử dụng sẽ xác định nhiệt độ phần tử khuyến nghị tối đa. Loại phần tử silicon carbide này có thể được gắn theo chiều dọc hoặc chiều ngang.
2. U-TYPE
Silicon Carbide hình chữ U bao gồm hai thanh silicon carbide có cùng đường kính. Mỗi thanh có cả vùng nóng và đầu lạnh với điện trở giống hệt nhau. Hai thanh được kết nối bằng SiC điện trở thấp. Ngoài ra, đầu nối có thể được sử dụng làm giá đỡ theo các yêu cầu khác nhau.
3. W-TYPE
Các phần tử 3 pha có sẵn trong 2 loại khác nhau: SGC (Dumbbell), SGD (Tiêu chuẩn).
Các phần tử này là silicon carbide tự liên kết được tạo thành bằng cách tái kết tinh silicon carbide ở nhiệt độ cao. Nó bao gồm ba thanh silicon carbide có độ tinh khiết cao được kết nối ở một đầu bằng một thanh ngang silicon carbide. Các phần tử SGC được thiết kế để lắp đặt theo chiều dọc trong các bồn kính nổi tiêu chuẩn và các phần tử SGD để lắp đặt theo chiều ngang. Chúng có thể được kết nối trực tiếp với nguồn điện ba pha và là loại đầu cuối một mặt cho phép rút các đầu cuối ra khỏi mái của lò.
4. Silicon Carbide xoắn ốc đơn và Silicon Carbide xoắn ốc đôi:
Chúng được làm từ bột Silicon Carbide và có hai hình dạng: phần tử gia nhiệt silicon carbide xoắn ốc đơn và đôi. Chúng được sử dụng rộng rãi trong tất cả các loại lò nung và lò.
Tính chất vật lý của phần tử gia nhiệt SIC
|
tỷ trọng riêng |
2.6~2.8g/cm³ |
độ bền uốn |
>300kg |
|
độ cứng |
>9MOH’S |
độ bền kéo |
>150kg/cm³ |
|
tỷ lệ xốp |
<30% |
độ rọi |
0.85 |
Tải bề mặt khuyến nghị và Ảnh hưởng đến Bề mặt của các Phần tử ở Nhiệt độ Vận hành Khác nhau
|
môi trường |
Nhiệt độ lò ( °C) |
Tải bề mặt (W/cm2) |
Ảnh hưởng đến Thanh |
|
Amoniac |
1290 |
3.8 |
Tác động lên SiC tạo ra metan và phá hủy lớp màng bảo vệ của SiO2 |
|
Carbon dioxide |
1450 |
3.1 |
Ăn mòn SiC |
|
Carbon monoxide |
1370 |
3.8 |
Hấp thụ bột carbon và ảnh hưởng đến lớp màng bảo vệ của SiO2 |
|
Halogen |
704 |
3.8 |
Ăn mòn SiC và phá hủy lớp màng bảo vệ của SiO2 |
|
Hydro |
1290 |
3.1 |
Tác động lên SiC tạo ra metan và phá hủy lớp màng bảo vệ của SiO2 |
|
Nitơ |
1370 |
3.1 |
Tác động lên SiC tạo ra lớp cách điện của silicon nitride |
|
Natri |
1310 |
3.8 |
Ăn mòn SiC |
|
silicon dioxide |
1310 |
3.8 |
Ăn mòn SiC |
|
Oxy |
1310 |
3.8 |
SiC bị oxy hóa |
|
Hơi nước |
1090-1370 |
3.1-3.6 |
Tác động lên SiC tạo ra hydrat của silicon |
|
Hydrocarbon |
1370 |
3.1 |
Hấp thụ bột carbon dẫn đến ô nhiễm nóng |
Lưu ý khi sử dụng và lắp đặt:
1. Bộ gia nhiệt phải được bảo vệ khỏi ẩm trong quá trình bảo quản hoặc lắp đặt để đảm bảo hiệu suất của bộ gia nhiệt.
2. Để đảm bảo tải trọng được phân bố đều cho từng nhóm, bộ gia nhiệt phải được chia trước khi lắp ráp. Dung sai điện trở của mỗi chiếc không được vượt quá 10% so với nhau.
3. Bộ gia nhiệt cứng và giòn, vui lòng cẩn thận khi lắp ráp và bảo trì để tránh hư hỏng.
4. Khi vận hành lò điện lúc ban đầu, điện áp phải được tăng từ từ và không được tải đầy ngay lập tức. Nếu không, dòng điện lớn hơn sẽ dẫn đến hư hỏng bộ gia nhiệt.
5. Khi bộ gia nhiệt bị hỏng và cần thay thế, điện trở của bộ mới phải tuân theo điện trở tăng lên. Nếu nhiều bộ bị hỏng hoặc điện trở tăng quá nhiều, bộ gia nhiệt phải được thay thế.
Kiểm soát chất lượng:
Người liên hệ: Ms. Yuki
Tel: 8615517781293
