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उच्च तापमान वाले सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) हीटिंग तत्व 1550°C क्षमता और अनुकूलित आकार के साथ

मूलभूत गुण
उत्पत्ति का स्थान: चीन
ब्रांड नाम: KEGU
मॉडल नंबर: अनुकूलन योग्य
व्यापारिक संपत्तियाँ
कीमत: 200-500 yuan/kg
भुगतान की शर्तें: एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम
आपूर्ति की योग्यता: 2,000 पीसी / माह
उत्पाद सारांश
उच्च तापमान सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) हीटिंग तत्व | 1550°C क्षमता 1550°C तक के चरम वातावरण के लिए इंजीनियर टिकाऊ, किफायती सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) हीटिंग तत्वों की खोज करें। ये प्रीमियम हीटिंग समाधान धातु विज्ञान, सिरेमिक, कांच निर्माण और प्रयोगशाला उपकरण अनुप्रयोगों के लिए आदर्श हैं। सिलिकॉन कार्बाइड ...

उत्पाद का विवरण

प्रमुखता देना:

कस्टमाइज्ड हीटिंग एलिमेंट्स

,

कस्टमाइज्ड एसआईसी हीटर एलिमेंट्स

Material: सिक
Composition:SiC: >85%
Color: काला
Density: 2.5 ~ 2.6g/cm¯
Max. Service Temp: 1380 ℃
Flexural Strength: 70-90 एमपीए
Size: स्वनिर्धारित
Heat Conduction: 23.26 w/(m · ℃)
Resistivity: 1000 ~ 2000 ω · मिमी 2/एम
Tensile Strength: 39.2 ~ 49 एमपीए
Max. Service Temp.: 1500 ℃
Linear Thermal Expansion Coefficient (20-1500℃): 5 × 10⁻⁶/℃
Electrical Resistivity: 1000 ~ 2000।
उत्पाद का वर्णन
उच्च तापमान सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) हीटिंग तत्व | 1550°C क्षमता
1550°C तक के चरम वातावरण के लिए इंजीनियर टिकाऊ, किफायती सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) हीटिंग तत्वों की खोज करें। ये प्रीमियम हीटिंग समाधान धातु विज्ञान, सिरेमिक, कांच निर्माण और प्रयोगशाला उपकरण अनुप्रयोगों के लिए आदर्श हैं।
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) इलेक्ट्रिक हीटिंग तत्व
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) हीटिंग तत्व प्रीमियम गैर-धातु इलेक्ट्रिक हीटर हैं जो विशेष रूप से अत्यधिक तापमान और कठोर औद्योगिक वातावरण के लिए डिज़ाइन किए गए हैं। उच्च-शुद्धता वाले हरे सिलिकॉन कार्बाइड से निर्मित, वे विश्वसनीय, लंबे समय तक चलने वाले प्रदर्शन देने के लिए उच्च तापमान पर सटीक बनाने, सिलिकॉनकरण और पुन: क्रिस्टलीकरण प्रक्रियाओं से गुजरते हैं। ये तत्व मांग वाले उच्च-तापमान अनुप्रयोगों के लिए इष्टतम किफायती समाधान का प्रतिनिधित्व करते हैं।
SiC हीटिंग तत्वों के मुख्य अनुप्रयोग
  • इलेक्ट्रॉनिक्स निर्माण
  • धातुकर्म प्रसंस्करण
  • एल्यूमीनियम और जिंक उद्योग
  • सिरेमिक और चीनी मिट्टी के बरतन भट्टियां
  • फ्लोट ग्लास उत्पादन
  • ऑप्टिकल ग्लास निर्माण
  • प्रयोगशाला और अनुसंधान भट्टियां
  • फ्लोरोसेंट पाउडर प्रसंस्करण
ऑपरेटिंग दिशानिर्देश: सतह भार और वायुमंडलीय प्रभाव
इष्टतम प्रदर्शन और विस्तारित जीवनकाल के लिए, यह महत्वपूर्ण है कि आप अपने भट्टी के वातावरण और तापमान की स्थिति के आधार पर अनुशंसित सतह भार सीमाओं के भीतर काम करें।
वातावरण अधिकतम भट्टी तापमान (°C) अधिकतम सतह भार (W/cm²) SiC तत्व पर प्रभाव
अमोनिया (NH₃) 1290 3.8 मीथेन उत्पन्न करता है, सुरक्षात्मक SiO₂ परत को नुकसान पहुंचाता है
कार्बन डाइऑक्साइड (CO₂) 1450 3.1 सिलिकॉन कार्बाइड के लिए संक्षारक
कार्बन मोनोऑक्साइड (CO) 1370 3.8 कार्बन जमाव SiO₂ परत को खराब कर सकता है
हैलोजन गैसें 704 3.8 अत्यधिक संक्षारक; SiO₂ परत को नष्ट कर देता है
हाइड्रोजन (H₂) 1290 3.1 मीथेन उत्पन्न करता है, सुरक्षात्मक SiO₂ परत को नुकसान पहुंचाता है
नाइट्रोजन (N₂) 1370 3.1 एक इन्सुलेट सिलिकॉन नाइट्राइड परत बना सकता है
सोडियम वाष्प 1310 3.8 सिलिकॉन कार्बाइड के लिए संक्षारक
सिलिकॉन डाइऑक्साइड 1310 3.8 सिलिकॉन कार्बाइड के लिए संक्षारक
ऑक्सीजन / हवा 1310 3.8 SiC को ऑक्सीकरण करता है (सही तापमान पर सुरक्षात्मक SiO₂ बनाता है)
जल वाष्प 1090-1370 3.1-3.6 सिलिकॉन हाइड्रेट बनाता है, उम्र बढ़ने में तेजी लाता है
हाइड्रोकार्बन 1370 3.1 कार्बन पिकअप से "हॉट स्पॉट" विफलता होती है
ऑर्डर कैसे करें: आवश्यक विनिर्देश
कृपया उद्धरण या ऑर्डर के लिए निम्नलिखित विवरण प्रदान करें:
  • प्रकार: (उदाहरण के लिए, मानक "U" आकार)
  • बाहरी व्यास (OD): मिमी या इंच में
  • हॉट ज़ोन लंबाई (HZ): गर्म खंड की लंबाई
  • कोल्ड एंड लंबाई (CZ): गैर-गर्म टर्मिनल खंड की लंबाई
  • शैंक स्पेसिंग (A): कोल्ड एंड्स के बीच केंद्र से केंद्र की दूरी
  • कुल प्रतिरोध: ओम में रेटेड प्रतिरोध (Ω)
आदेश उदाहरण
विनिर्देश: U-प्रकार, 20 मिमी OD, 300 मिमी हॉट ज़ोन, 200 मिमी कोल्ड एंड्स, 60 मिमी शैंक स्पेसिंग, 1.84Ω प्रतिरोध
SiC U20/300/200/60/1.84Ω
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