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Casa Prodotticeramiche a carburo di silicio

Blocco in carburo di silicio per la rettifica di wafer di silicio per semiconduttori / wafer di zaffiro LED

Rassegne del cliente
NGK apprezza la nostra partnership di lunga data con Shaanxi Kegu. Le loro ceramiche SSiC eccellono per qualità e innovazione, guidando il nostro reciproco successo.

—— NGK Thermal Technology Co.,Ltd

In Huike, siamo orgogliosi della nostra lunga collaborazione con Shaanxi Kegu New Material Technology Co., Ltd., una collaborazione basata sulla fiducia, l'innovazione e l'eccellenza condivisa. La loro competenza nelle ceramiche SSiC e le soluzioni affidabili hanno costantemente supportato i nostri progetti.

—— SuzhouHuike Technology Co.,Ltd

Noi di Keda apprezziamo molto la nostra partnership di lunga data con la Shaanxi Kegu New Material Technology Co., Ltd.Le loro soluzioni ceramiche SSiC di alta qualità sono state parte integrante dei nostri progetti e ci auguriamo una continua collaborazione e un successo condiviso..

—— Keda Industrial Group Co., Ltd.

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Blocco in carburo di silicio per la rettifica di wafer di silicio per semiconduttori / wafer di zaffiro LED

Blocco in carburo di silicio per la rettifica di wafer di silicio per semiconduttori / wafer di zaffiro LED
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Grande immagine :  Blocco in carburo di silicio per la rettifica di wafer di silicio per semiconduttori / wafer di zaffiro LED

Dettagli:
Luogo di origine: Cina
Marca: KeGu
Numero di modello: Personalizzabile
Termini di pagamento e spedizione:
Prezzo: 200-500 yuan/kg
Imballaggi particolari: Casella di legno resistente per il trasporto globale
Termini di pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union,MoneyGram
Capacità di alimentazione: 2.000 pc/mese

Blocco in carburo di silicio per la rettifica di wafer di silicio per semiconduttori / wafer di zaffiro LED

descrizione
Materiale: Sic Composizione: SiC: > 98%
Colore: Nero Densità: > 3,05 g/cm3
Temperatura di servizio massima: 1650°C Forza flessibile: 380 MPa
Evidenziare:

Blocco in carburo di silicio per rettifica

,

Blocco in carburo di silicio per rettifica di wafer LED

,

Blocco SIC per wafer di silicio per semiconduttori

Blocco di carburo di silicio, processo di macinazione di wafer di silicio semiconduttore, wafer di zaffiro a led, wafer a led

 

Descrizione:

Buona conduttività termica Buona resistenza agli urti termici Buona resistenza all'abrasione

A causa della nostra grande capacità di produzione e della forte capacità di stampaggio per la produzione personalizzata, la nostra azienda ha esportato i nostri prodotti in molti mercati internazionali.I nostri prodotti sono certificati in base alle esigenze dei clienti.

Continuiamo a innovare, migliorare e potenziare e a integrare le risorse interne ed esterne per rafforzare la flessibilità della nostra azienda e la competitività dei nostri prodotti,e fornire ai vecchi e ai nuovi clienti il miglior servizio.

 


Applicazione:

  1. Processo di macinazione di wafer di silicio semiconduttore

  2. Processo di macinazione di wafer di zaffiro a LED

  3. Processo di diradamento di wafer a LED


Requisiti relativi alle caratteristiche:

  1. Buona conducibilità termica

  2. Buona resistenza agli urti termici

  3. Buona resistenza all'abrasione

 

Prestazioni Unità HS-A HS-P HS-XA
Dimensione del grano μm 4-10 4-10 4-10
Densità g/cm ≥ 3.1 3.0-3.1 >3.1
Durezza (Knoop) Kg/mm2 2800 2800 2800
Forza flessibile 4 pt @ RT MPa*m1/2 385 240 420
*1031b/in2 55 55 55
Resistenza alla compressione @ RT MPa 3900   3900
*1031b/in2 560 560
Modulo di elasticità @ RT GPA 410 400 410
*1031b/in2 59 58 59
Modulo di Weibull (2 parametri)   8 19 12
Rapporto di pesce   0.14 0.14 0.14
Durezza alla frattura @ RT doppia torsione & SENB MPa*m1/2 8 8 8
*131b/in2in1⁄2
Coefficiente di espansione termica RT a 700°C X10-6 mm/mmK 4.02 4.2 4.02
X10-6 in/in°F 2.2 2.3 2.2
Temperatura massima di funzionamento.Temperatura specifica media dell'aria @ RT °C 1900 1900 1900
J/gmK 0.67 0.59 0.67
Conduttività termica @ RT W/mK 125.6 110 125.6
Btu/ft h°F 72.6 64 72.6
@ 200°C W/mK 102.6   102.6
Btu/ft h°F 59.3 59.3
@ 400°C W/mK 77.5   77.5
Btu/ft h°F 44.8 44.8
Permeabilità @ RT a 1000°C 31 MPa o meno Nessuna perdita di gas
Resistenza elettrica @ RT Ohm-cm 102-106 N/A 102-106
Emissività   0.9 0.9 0.9

 


Perché meglio di altri:

 

  1. Qualità stabile e consegna rapida

  2. Diametro del blocco SiC da 120 mm a 480 mm in magazzino

  3. Risparmio di tempo nel processo di carico e scarico dei campioni

  4. Tasso di diradamento più elevato accettabile

  5. Disponibile in varie specifiche, fornisce anche servizi personalizzati

 

 

 

Dettagli di contatto
Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd

Persona di contatto: Ms. Yuki

Telefono: 8615517781293

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