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Bloco de carburo de silício para moagem de wafer de silício / wafer de safira LED

Name: Bloco de carburo de silício para moagem de wafer de silício / wafer de safira LED
Brand: Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd
SKU: Personalizável
Price: 350.00 USD
Availability: InStock

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(4)

Revisões do cliente

NGK valoriza a nossa parceria de longa data com Shaanxi Kegu. As suas cerâmicas SSiC se destacam em qualidade e inovação, impulsionando o nosso sucesso mútuo.

—— NGK Thermal Technology Co.,Ltd

Na Huike, orgulhamo-nos da nossa longa parceria com a Shaanxi Kegu New Material Technology Co., Ltd., uma colaboração enraizada na confiança, inovação e excelência partilhada. A sua experiência em cerâmica SSiC e soluções confiáveis têm consistentemente apoiado os nossos projetos.

—— SuzhouHuike Technology Co.,Ltd

Nós, da Keda, apreciamos muito nossa longa parceria com a Shaanxi Kegu New Material Technology Co., Ltd. Suas soluções cerâmicas SSiC de alta qualidade têm sido parte integrante de nossos projetos e esperamos uma colaboração contínua e sucesso compartilhado.

—— Keda Industrial Group Co.,Ltd.

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Bloco de carburo de silício para moagem de wafer de silício / wafer de safira LED

Imagem Grande : Bloco de carburo de silício para moagem de wafer de silício / wafer de safira LED

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	China
Marca:	KeGu
Número do modelo:	Personalizável

Condições de Pagamento e Envio:

Preço:	200-500 yuan/kg
Detalhes da embalagem:	Caixa de madeira resistente para o transporte marítimo global
Termos de pagamento:	L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union,MoneyGram
Habilidade da fonte:	2.000 PCes/mês

Contato

Bloco de carburo de silício para moagem de wafer de silício / wafer de safira LED

descrição

Material:	Sic	Composição: SiC:	> 98%
Cor:	Preto	Densidade:	>3,05g/cm3
Max. Temperatura de serviço:	1650°C	Força flexural:	380 MPa
Destacar:	Bloco de carburo de silício de moagem , Bloco de carburo de silício de moagem de wafer led , Bloco SIC de wafer de silício semicondutor

Bloco de carburo de silício, processo de moagem de wafer de silício semicondutor, wafer de safira LED, wafer LED

Descrição:

Bloco de carburo de silício Boa condutividade térmica Boa resistência ao choque térmico Boa resistência à abrasão

Devido à nossa grande capacidade de produção e forte capacidade de moldagem para produção personalizada, nossa empresa exportou nossos produtos para muitos mercados internacionais.Os nossos produtos são certificados de acordo com os requisitos dos clientes.

Continuamos a inovar, melhorar e melhorar, bem como a integrar os recursos internos e externos para reforçar a flexibilidade da nossa empresa e a competitividade dos nossos produtos,e fornecer aos clientes antigos e novos o melhor serviço.

Aplicação:

Processos de moagem de wafer de silício semicondutor
Processo de moagem de wafer de safira LED
Processo de afrouxamento de wafer LED

Requisitos de características:

Boa condutividade térmica
Boa resistência a choques térmicos
Boa resistência à abrasão

Desempenho	UNIT	HS-A	HS-P	HS-XA
Tamanho do grão	μm	4 a 10	4 a 10	4 a 10
Densidade	g/cm	≥ 3.1	3.0-3.1	> 3.1
Dureza (Knoop)	Kg/mm2	2800	2800	2800
Resistência flexural 4 pt @ RT	MPa*m1/2	385	240	420
Resistência flexural 4 pt @ RT	*1031b/in2	55	55	55
Força de compressão @ RT	MPa	3900		3900
Força de compressão @ RT	*1031b/in2	560		560
Modulo de elasticidade @ RT	GPA	410	400	410
Modulo de elasticidade @ RT	*1031b/in2	59	58	59
Modulo de Weibull (2 parâmetros)		8	19	12
Relação de peixe		0.14	0.14	0.14
Duração da fractura @ RT Dupla torção & SENB	MPa*m1/2	8	8	8
Duração da fractura @ RT Dupla torção & SENB	*131b/in2in1⁄2	8	8	8
Coeficiente de expansão térmica RT a 700°C	X10-6 mm/mmK	4.02	4.2	4.02
Coeficiente de expansão térmica RT a 700°C	X10-6 in/in°F	2.2	2.3	2.2
Temperatura máxima de funcionamento.Temperatura específica média do ar @ RT	°C	1900	1900	1900
	J/gmK	0.67	0.59	0.67
Conductividade térmica @ RT	W/mK	125.6	110	125.6
Conductividade térmica @ RT	Btu/ft h°F	72.6	64	72.6
@200°C	W/mK	102.6		102.6
@200°C	Btu/ft h°F	59.3		59.3
@ 400°C	W/mK	77.5		77.5
@ 400°C	Btu/ft h°F	44.8		44.8
Permeabilidade @ RT até 1000°C	31 MPa abaixo Não há fugas de gás
Resistividade elétrica @ RT	Ohm-cm	102 a 106	N/A	102 a 106
Emissividade		0.9	0.9	0.9

Porque é melhor do que os outros:

Qualidade estável e entrega rápida
Diâmetro do bloco de SiC de 120 mm a 480 mm em estoque
Economização de tempo no processo de carga e descarga de amostras
Taxa de diluição mais elevada aceitável
Disponível em várias especificações, também fornecer serviços personalizados

etiqueta:

Pessoa de Contato: Ms. Yuki

Telefone: 8615517781293

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Bloco de carburo de silício de moagem

Bloco de carburo de silício de moagem de wafer led

Bloco SIC de wafer de silício semicondutor

Bloco de carburo de silício, processo de moagem de wafer de silício semicondutor, wafer de safira LED, wafer LED

Descrição:

Aplicação:

Requisitos de características:

Porque é melhor do que os outros:

Cerâmica de carburo de silício,

SIC sinterizado sem pressão,

Sic cerâmica

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