logo
Chào mừng đến Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd
8616602956098

1600C Độ tinh khiết cao Silicon Carbide Rod SiC Các yếu tố sưởi ấm với tuổi thọ dài cho ngành công nghiệp điện tử

Thuộc tính cơ bản
Nơi xuất xứ: Trung Quốc
Tên thương hiệu: KEGU
Số mô hình: Có thể tùy chỉnh
Giao dịch Bất động sản
Giá: 200-500 yuan/kg
Điều khoản thanh toán: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Khả năng cung cấp: 2.000 chiếc / tháng
Tóm tắt sản phẩm
Thanh Silicon Carbide 1600C / Thanh Gia Nhiệt SiC cho Ngành Điện Tử Tổng quan sản phẩm Thanh Gia Nhiệt Silicon Carbide (SiC): Được Sản Xuất cho Nhiệt Độ Cực Cao Thanh silicon carbide cấp công nghiệp của chúng tôi được chế tạo từ silicon carbide lục giác xanh có độ tinh khiết cao. Thông qua một công ...

Chi tiết sản phẩm

Làm nổi bật:

Các thanh carbure silicon 1600c

,

1600C Sic Các yếu tố sưởi ấm

,

thanh silicon carbide trong ngành công nghiệp điện tử

Material: Sic
Composition:SiC: >85%
Color: Đen
Density: 2,5 ~ 2,6g/cm³
Max. Service Temp: 1380
Flexural Strength: 70-90 MPa
Size: tùy chỉnh
Heat Conduction: 23,26 W/(M ·)
Resistivity: 1000 ~ 2000 · mm2/m
Tensile Strength: 39,2 ~ 49 MPa
Max. Service Temp.: 1500
Linear Thermal Expansion Coefficient (20-1500℃): 5 × 10⁻⁶/
Electrical Resistivity: 1000 ~ 2000Ω · mm²/m
Mô tả sản phẩm
Thanh Silicon Carbide 1600C / Thanh Gia Nhiệt SiC cho Ngành Điện Tử
Tổng quan sản phẩm
Industrial silicon carbide heating rod for high-temperature applications
Thanh Gia Nhiệt Silicon Carbide (SiC): Được Sản Xuất cho Nhiệt Độ Cực Cao
Thanh silicon carbide cấp công nghiệp của chúng tôi được chế tạo từ silicon carbide lục giác xanh có độ tinh khiết cao. Thông qua một công thức đặc biệt và quá trình thiêu kết nhiệt độ cao ở 2200°C, vật liệu trải qua quá trình silicon hóa và tái kết tinh. Quá trình sản xuất tiên tiến này tạo ra các bộ phận gia nhiệt điện phi kim loại mạnh mẽ, có khả năng hoạt động liên tục ở 1450 °C trong môi trường oxy hóa, với tuổi thọ lên đến 2000 giờ.
Technical specifications and performance data for SiC heating elements
Thông số kỹ thuật
Tên Phần tử gia nhiệt MoSi2
Hình dạng Hình quả tạ, U, W và các hình dạng đặc biệt khác
Nhiệt độ sử dụng Lên đến 1800°C
Quy trình sản xuất Được làm thành phôi, silicon hóa ở nhiệt độ cao và tái kết tinh
Silicon carbide heating element manufacturing process High-temperature SiC rod applications in electronics industry Custom shaped silicon carbide heating elements
Sản phẩm liên quan

Gửi Yêu Cầu