logo
Yêu cầu báo giá |
Nhà Sản phẩmSilicon Carbide liên kết phản ứng

2.8 Mật độ 1600°C Thanh gia nhiệt Silicon Carbide hiệu suất cao với Thanh SiC liên kết phản ứng

Tất cả sản phẩm

gốm cacbon silicon

(30)

Silicon Carbide liên kết phản ứng

(12)

Các yếu tố làm nóng

(46)

Vật gốm nitrure silic

(11)

gốm oxit nhôm

(34)

gốm oxit zirconia

(2)

Boron Nitrua gốm

(4)

Bột gốm

(5)
Chứng nhận
Trung Quốc Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd Chứng chỉ
Trung Quốc Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd Chứng chỉ
Khách hàng đánh giá
NGK đánh giá cao mối quan hệ đối tác lâu dài của chúng tôi với Shaanxi Kegu. Gốm SSiC của họ vượt trội về chất lượng và sự đổi mới, thúc đẩy sự thành công chung của chúng ta. Xin chúc mừng sự hợp tác liên tục!

—— Công ty TNHH Công nghệ Nhiệt NGK

Tại Huike, chúng tôi tự hào về mối quan hệ đối tác lâu dài với Công ty Công nghệ Vật liệu Mới Shaanxi Kegu, một sự hợp tác bắt nguồn từ niềm tin, đổi mới và sự xuất sắc chung.Chuyên môn của họ trong gốm SSiC và các giải pháp đáng tin cậy đã liên tục hỗ trợ các dự án của chúng tôi.

—— Suzhou Huike Technology Co.,Ltd

Chúng tôi tại Keda rất đánh giá cao quan hệ đối tác lâu dài của chúng tôi với Shaanxi Kegu New Material Technology Co., Ltd.Các giải pháp gốm SSiC chất lượng cao của họ đã là một phần không thể thiếu trong các dự án của chúng tôi và chúng tôi mong đợi sự hợp tác tiếp tục và thành công chung.

—— Keda Industrial Group Co.,Ltd.

Tôi trò chuyện trực tuyến bây giờ

2.8 Mật độ 1600°C Thanh gia nhiệt Silicon Carbide hiệu suất cao với Thanh SiC liên kết phản ứng

2.8 Density 1600°C High Efficiency Silicon Carbide Heating Element with Reaction Bonded SiC Rod
2.8 Density 1600°C High Efficiency Silicon Carbide Heating Element with Reaction Bonded SiC Rod 2.8 Density 1600°C High Efficiency Silicon Carbide Heating Element with Reaction Bonded SiC Rod

Hình ảnh lớn :  2.8 Mật độ 1600°C Thanh gia nhiệt Silicon Carbide hiệu suất cao với Thanh SiC liên kết phản ứng

Thông tin chi tiết sản phẩm:
Tiếp xúc

2.8 Mật độ 1600°C Thanh gia nhiệt Silicon Carbide hiệu suất cao với Thanh SiC liên kết phản ứng

Sự miêu tả
Làm nổi bật:

Thanh gia nhiệt silicon carbide hiệu suất cao

,

Silicon carbide liên kết phản ứng 1600°C

,

Thanh gia nhiệt silicon carbide mật độ 2.8

2.8 mật độ 1600°C Silicon Carbide Heating Element - Hiệu quả cao
2.8 Mật độ 1600°C Thanh gia nhiệt Silicon Carbide hiệu suất cao với Thanh SiC liên kết phản ứng 0
Dòng thanh silicon carbide hiệu suất cao của chúng tôi, với các mô hình xoắn ốc SLW và LW hàng đầu của chúng tôi là cốt lõi của nó, được thiết kế thông qua công nghệ ngâm phản ứng tiên tiến.Nó cung cấp các giải pháp sưởi ấm lý tưởng cho zirconia răng sintering, nghiên cứu trong phòng thí nghiệm và lò công nghiệp chuyên dụng.
Tổng quan về loạt sản phẩm
Để đáp ứng nhu cầu của các kịch bản ứng dụng đa dạng, chúng tôi cung cấp các loạt sản phẩm sau:
  • Dòng tàu sân bay hàng đầu (loại xoắn ốc):SLW (Double Helix) và LW (Single Helix), mang lại hiệu quả nhiệt đặc biệt và đồng nhất nhiệt độ.
2.8 Mật độ 1600°C Thanh gia nhiệt Silicon Carbide hiệu suất cao với Thanh SiC liên kết phản ứng 1
Dòng ứng dụng đa năng

Mục đích chung (GD)

Pin lithium (GDL)

Ngành công nghiệp thủy tinh (GD3)

Mật độ cao (GDH)


2.8 Mật độ 1600°C Thanh gia nhiệt Silicon Carbide hiệu suất cao với Thanh SiC liên kết phản ứng 2 2.8 Mật độ 1600°C Thanh gia nhiệt Silicon Carbide hiệu suất cao với Thanh SiC liên kết phản ứng 3 2.8 Mật độ 1600°C Thanh gia nhiệt Silicon Carbide hiệu suất cao với Thanh SiC liên kết phản ứng 4 2.8 Mật độ 1600°C Thanh gia nhiệt Silicon Carbide hiệu suất cao với Thanh SiC liên kết phản ứng 5


Tính năng sản phẩm và thông số kỹ thuật cốt lõi
Đặc điểm chính Ưu điểm kỹ thuật và thông số kỹ thuật
Nhiệt độ hiệu quả Một mật độ cao(2,8 g/cm3)và thiết kế xoắn ốc độc đáo cho phép sưởi ấm nhanh chóng và hiệu quả năng lượng vượt trội.
Thời gian sử dụng dài Cấu trúc dày đặc của nó, với độ xốp khép kín tối thiểu, được dịch thànhKháng oxy hóa đặc biệtvàmột cuộc sống dịch vụ cực kỳ dài.
Khả năng thích nghi với nhiệt độ rộng Nó hoạt động ở nhiệt độ lên đến 1600 °Cvới một phạm vi ổn định được khuyến cáo600-1600°Ccho sự tương thích rộng rãi.
Quá trình không bị ô nhiễm Vật liệu và quy trình tinh khiết cao đảm bảo môi trường không bị ô nhiễm ngay cả cho các ứng dụng nhạy cảm nhất với khí quyển.
Thiết lập dễ dàng và đáng tin cậy Hỗ trợCài đặt dọc hoặc ngangkhông có hỗ trợ nhiệt độ cao. Bao gồmphụ kiện gốm nhiệt độ cao và dây nhômcho các kết nối ổn định.

Từ khóa:

Sintered Silicon Carbide,

Silicon Carbide liên kết phản ứng,

gốm sứ cacbua silic

Chi tiết liên lạc
Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd

Người liên hệ: Ms. Yuki

Tel: 8615517781293

Gửi yêu cầu thông tin của bạn trực tiếp cho chúng tôi (0 / 3000)

về

gốm cacbon silicon

Cúc SiC chịu nhiệt độ cao với nhiệt độ hoạt động tối đa 1650 °C và độ bền uốn cong 3800MPa cho sản xuất bán dẫn

Đường lăn SiC không áp suất có thể tùy biến 1650 °C Kháng nhiệt cho lò sưởi lăn

Silicon Carbide liên kết phản ứng

Các ống làm mát không khí Silicon Carbide phản ứng ngưng tụ cho làm mát công nghiệp thời gian cao với nhiệt độ phục vụ tối đa 1380 °C và độ bền uốn cong 250MPa

Đầu đốt SiC ổn định nhiệt độ cao với khả năng chống sốc nhiệt và ăn mòn cho lò công nghiệp

Để lại tin nhắn

Chính sách bảo mật | Trung Quốc tốt Chất lượng gốm cacbon silicon nhà cung cấp. © 2025 Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd. All Rights Reserved.