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Siliziumkarbidblock zum Schleifen von Halbleiter-Siliziumwafern / LED-Saphirwafern

Name: Siliziumkarbidblock zum Schleifen von Halbleiter-Siliziumwafern / LED-Saphirwafern
Brand: Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd
SKU: Anpassbar
Price: 350.00 USD
Availability: InStock

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Kunden-Berichte

NGK schätzt unsere langjährige Partnerschaft mit Shaanxi Kegu. Ihre SSiC-Keramiken zeichnen sich durch Qualität und Innovation aus und treiben unseren gemeinsamen Erfolg voran. Auf weiterhin gute Zusammenarbeit!

—— NGK Thermal Technology Co.,Ltd

Bei Huike sind wir stolz auf unsere langjährige Partnerschaft mit der Shaanxi Kegu New Material Technology Co., Ltd., eine Zusammenarbeit, die auf Vertrauen, Innovation und gemeinsamer Exzellenz basiert.Ihre Expertise in SSiC-Keramik und zuverlässige Lösungen haben unsere Projekte konsequent unterstützt.

—— Suzhou Huike Technology Co.,Ltd.

Wir bei Keda schätzen unsere langjährige Partnerschaft mit Shaanxi Kegu New Material Technology Co., Ltd. sehr. Ihre hochwertigen SSiC-Keramik-Lösungen sind ein wesentlicher Bestandteil unserer Projekte und wir freuen uns auf die weitere Zusammenarbeit und den gemeinsamen Erfolg.

—— Keda Industrial Group Co.,Ltd.

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Siliziumkarbidblock zum Schleifen von Halbleiter-Siliziumwafern / LED-Saphirwafern

Großes Bild : Siliziumkarbidblock zum Schleifen von Halbleiter-Siliziumwafern / LED-Saphirwafern

Produktdetails:

Herkunftsort:	China
Markenname:	KeGu
Modellnummer:	Anpassbar

Zahlung und Versand AGB:

Preis:	200-500 yuan/kg
Verpackung Informationen:	Starke Holzkisten für den weltweiten Versand
Zahlungsbedingungen:	L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	2.000 PC/Monat

Kontakt

Siliziumkarbidblock zum Schleifen von Halbleiter-Siliziumwafern / LED-Saphirwafern

Beschreibung

Material:	Siehe	Zusammensetzung: SiC:	> 98%
Farbe:	Schwarz	Dichte:	> 3,05 g/cm3
Max. Service Temp:	1650°C	Flexuralstärke:	380 MPa
Hervorheben:	Siliziumkarbidblock zum Schleifen , LED-Wafer-Schleif-Siliziumkarbidblock , Halbleiter-Siliziumwafer-SIC-Block

Silikonkarbidblock, Schleifprozess von Halbleiter-Silikon-Wafer, Led-Saphir-Wafer, Led-Wafer

Beschreibung:

Silikonkarbidblock Gute Wärmeleitfähigkeit Gute Wärmeschlagfestigkeit Gute Abriebfestigkeit

Aufgrund unserer großen Produktionskapazität und unserer starken Formfähigkeit für die kundenspezifische Produktion hat unser Unternehmen unsere Produkte auf viele internationale Märkte exportiert.Unsere Produkte sind nach den Anforderungen der Kunden zertifiziert.

Wir setzen fort, zu erneuern, zu verbessern und zu verbessern sowie die Ressourcen intern und extern zu integrieren, um die Flexibilität unseres Unternehmens und die Wettbewerbsfähigkeit unserer Produkte zu stärken,und bieten sowohl alten als auch neuen Kunden den besten Service.

Anwendung:

Schleifverfahren für Halbleiter-Siliziumwafer
Schleifverfahren von LED-Saphirwafer
Verdünnungsverfahren von LED-Wafer

Eigenschaftsanforderungen:

Gute Wärmeleitfähigkeit
Gute Wärmeschlagfestigkeit
Gute Abriebfestigkeit

Leistung	Einheit	HS-A	HS-P	HS-XA
Größe des Körners	μm	4 bis 10	4 bis 10	4 bis 10
Dichte	G/cm	≥ 3.1	3.0 bis 3.1	> 3 Jahre1
Härte (Knoop)	Gewichtsanteil	2800	2800	2800
Flexuralfestigkeit 4 pt @ RT	MPa*m1/2	385	240	420
Flexuralfestigkeit 4 pt @ RT	*1031b/in2	55	55	55
Druckfestigkeit @ RT	MPa	3900		3900
Druckfestigkeit @ RT	*1031b/in2	560		560
Modul der Elastizität @ RT	Durchschnitt	410	400	410
Modul der Elastizität @ RT	*1031b/in2	59	58	59
Weibull-Modul (2 Parameter)		8	19	12
Fischverhältnis		0.14	0.14	0.14
Bruchfestigkeit @ RT Doppelttorsion & SENB	MPa*m1/2	8	8	8
Bruchfestigkeit @ RT Doppelttorsion & SENB	*131b/in2in1⁄2	8	8	8
Koeffizient der thermischen Ausdehnung RT bis 700°C	X10-6 mm/mmK	4.02	4.2	4.02
Koeffizient der thermischen Ausdehnung RT bis 700°C	X10-6 in/in°F	2.2	2.3	2.2
Maximale Betriebstemperatur.Mittel spezifische Luftwärme @ RT	°C	1900	1900	1900
	J/gmK	0.67	0.59	0.67
Wärmeleitfähigkeit @ RT	W/mK	125.6	110	125.6
Wärmeleitfähigkeit @ RT	Btu/ft h°F	72.6	64	72.6
@ 200°C	W/mK	102.6		102.6
@ 200°C	Btu/ft h°F	59.3		59.3
@ 400°C	W/mK	77.5		77.5
@ 400°C	Btu/ft h°F	44.8		44.8
Durchlässigkeit @ RT bis 1000°C	Unter 31 MPa Keine Gasleckagen
Elektrische Widerstandsfähigkeit @ RT	Ohm-cm	102 bis 106	N/A	102 bis 106
Emissivität		0.9	0.9	0.9

Warum besser als andere:

Stabile Qualität und schnelle Lieferung
SiC-Blockdurchmesser von 120 mm bis 480 mm auf Lager
Zeitersparnis beim Be- und Entladen von Proben
Höhere zulässige Ausdünnungsrate
Erhältlich in verschiedenen Spezifikationen, bieten auch maßgeschneiderte Dienstleistungen

Größe und Tag:

Ansprechpartner: Ms. Yuki

Telefon: 8615517781293

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