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Hochtemperaturbeständige SiC-Gabeln mit maximaler Betriebstemperatur von 1650 °C und biegsamer Festigkeit von 3800 MPa für die Halbleiterherstellung

Keramik aus Siliziumcarbid

2025-12-18

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#Keramik aus Siliziumkarbid #Drucklose Sinter-SIC #Sic Keramik

SiC-Gabeln, die hochtemperaturbeständig sind Präzisionskernkomponenten für die Halbleiterherstellung Hochtemperaturbeständige Siliziumkarbid (SiC) - Gabeln, auch als Drucklose Sinter SiC Roboterarme ... Ansicht mehr

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Hochtemperaturbeständige SiC-Gabeln mit maximaler Betriebstemperatur von 1650 °C und biegsamer Festigkeit von 3800 MPa für die Halbleiterherstellung

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