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Dettagli:
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Materiale: | nitruro di silicio | Composizione: SiC: | > 85% |
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Colore: | Nero | Densità: | 30,20-3,26 g/cm3 |
Temperatura di servizio massima: | 1450°C | Forza flessibile: | 250MPa |
Campione: | Personalizzabile | Stabilità chimica: | Alta |
Apparente porosità: | 0-0,1% | Modulo elastico: | 300-320 GPa |
Resistenza a compressione: | > 1500MPa | Durezza Vickers (HV0.5): | 15-16GPa |
Conduttività termica: | 20-25W/(m.k) | Resistenza specifica: | 10^14Ω·cm |
Evidenziare: | Ceramica del nitruro di silicio Si3N4,Ceramiche al nitruro di silicio OEM,Ceramiche Si3N4 nere |
Materiali ceramici al nitruro di silicio ad alte prestazioni sviluppati per l'industria dell'alluminio hanno migliorato significativamente le proprietà termiche e meccaniche rispetto a prodotti simili. Su questa base, l'"Apparecchio" di riscaldamento sommerso a conducibilità termica elevata a forma di L porterà progressi rivoluzionari alle apparecchiature industriali dell'alluminio.
Parti strutturali speciali con elevati requisiti di resistenza agli shock termici sono aree in cui i materiali ceramici al nitruro di silicio possono essere vigorosamente sviluppati in futuro. In aree applicative con alta temperatura, forte corrosione e alta resistenza all'usura, le ceramiche al nitruro di silicio vengono utilizzate per sostituire alcuni carburi cementati, allumina, materiali come la zirconia e il carburo di silicio diventeranno una tendenza.
Dati relativi al nitruro di silicio
Componente principale | 99%Al2O3 | S-SiC | ZrO2 | Si3N4 | ||
Fisico Tasso di resistenza del volume |
Densità | g/cm3 | 3.9 | 3.1 | 6 | 3.2 |
Assorbimento d'acqua | % | 0 | 0.1 | 0 | 0.1 | |
Temperatura di sinterizzazione | 1500 | 1700 | 2200 | 1600 | 1800 | |
Meccanico Tasso di resistenza del volume |
Durezza Rockwell | HV | 1700 | 2200 | 1400 | Espansione termica |
Resistenza alla flessione | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
Intensità di compressione | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
Termico Tasso di resistenza del volume |
Massima temperatura di esercizio °C |
1500 | 1600 | 1300 | 1400 | Espansione termica |
coefficiente 0-1000°C /°C |
8.0*10-6 | 4.1*10-6(0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6(0-500°C) | 5.2*10-6(500-1000°C) | |
4.0*10-6(500-1000°C) | Resistenza agli shock termici | |||||
T(°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | Conducibilità termica | |
W/m.k(25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | Elettrico | |
16 | 100 | 3 | 25 | Elettrico | ||
Proprietà Tasso di resistenza del volume |
◎.cm | 20°C | 20°C | 20°C | 20°C | |
>1012 | – | >1010 | >1011 | Rottura dell'isolamento | ||
1012-1013 | – | Rottura dell'isolamento | ||||
>1012 | – | Rottura dell'isolamento | ||||
Intensità KV/mm |
18 | semiconduttore | 9 | 17.7 | Costante dielettrica (1 MHz) | |
(E) | 10 | – | 7 | Dissipazione dielettrica | ||
(tg o) | 0.4*10-3 | – |
Persona di contatto: Ms. Yuki
Telefono: 8615517781293