高密度高強度シリコンナイトリド密封管とバルブ
基本プロパティ
原産地:
中国
ブランド名:
KEGU
モデル番号:
カスタマイズ可能
取引物件
価格:
200-500 yuan/kg
支払い条件:
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
補給能力:
2,000 PCS/月
製品概要
窒化ケイ素（Si3N4）シールパイプ＆シールバルブ アルミニウム業界向けに開発された高性能窒化ケイ素セラミック材料は、同様の製品と比較して、熱的および機械的特性が大幅に向上しています。この革新は、特に「L字型高熱伝導率潜熱加熱」用途において、アルミニウム産業機器に革命的な進歩をもたらします。 窒化ケイ素セラミックの優れた高温強度により、頻繁な動作条件下での長期的な耐久性が保証されます。材料の脆性のため、機械的衝撃を避けるために、昇降伝達装置の適切な設計と設置が不可欠です。 主な利点 高密度、強度、耐熱衝撃性により、窒化ケイ素セラミックは低圧ダイカスト用途のシールチューブに最適です。 アルミナチ...
製品詳細
ハイライト:
高密度窒化ケイ素シールパイプ
,高強度窒化ケイ素シールバルブ
,高熱衝撃耐性Si3N4セラミックチューブ
Color:
Black
Density:
3.20-3.26g/cm3
Material:
Silicon Nitride
Max. Service Temp:
1450℃
Flexural Strength:
250MPa
Composition:SiC:
＞85%
Sample:
Customizable
Chemical Stability:
High
Apparent Porosity:
0-0.1%
Elastic Modulus:
300-320GPa
Compression Strength:
>1500MPa
Vickers Hardness(hv0.5):
15-16GPa
Thermal Conductivity:
20-25W/(m.k)
Specific Resistivity:
10^14Ω·cm
製品の説明
窒化ケイ素（Si3N4）シールパイプ＆シールバルブ
アルミニウム業界向けに開発された高性能窒化ケイ素セラミック材料は、同様の製品と比較して、熱的および機械的特性が大幅に向上しています。この革新は、特に「L字型高熱伝導率潜熱加熱」用途において、アルミニウム産業機器に革命的な進歩をもたらします。
窒化ケイ素セラミックの優れた高温強度により、頻繁な動作条件下での長期的な耐久性が保証されます。材料の脆性のため、機械的衝撃を避けるために、昇降伝達装置の適切な設計と設置が不可欠です。
主な利点
- 高密度、強度、耐熱衝撃性により、窒化ケイ素セラミックは低圧ダイカスト用途のシールチューブに最適です。
- アルミナチタン酸塩およびアルミナセラミックと比較して優れた耐摩耗性により、シールチューブの長期的な気密性が保証されます。
窒化ケイ素技術仕様
| 主成分 | 99%Al2O3 | S-SiC | ZrO2 | Si3N4 |
|---|---|---|---|---|
| 物理的特性 | ||||
| 密度 | 3.9 g/cm3 | 3.1 g/cm3 | 6 g/cm3 | 3.2 g/cm3 |
| 吸水率 | 0% | 0.1% | 0% | 0.1% |
| 焼結温度 | 1700℃ | 2200℃ | 1500℃ | 1800℃ |
| 機械的特性 | ||||
| ロックウェル硬度 | 1700 HV | 2200 HV | 1300 HV | 1400 HV |
| 曲げ強度 | 3500 kgf/mm2 | 4000 kgf/mm2 | 9000 kgf/mm2 | 7000 kgf/mm2 |
| 圧縮強度 | 30000 Kgf/mm2 | 20000 Kgf/mm2 | 20000 Kgf/mm2 | 23000 Kgf/mm2 |
| 熱的特性 | ||||
| 最高使用温度 | 1500℃ | 1600℃ | 1300℃ | 1400℃ |
| 熱膨張係数（0-1000℃） | 8.0*10-6/℃ | 4.1*10-6/℃ (0-500℃) 5.2*10-6/℃ (500-1000℃) |
9.5*10-6/℃ | 2.0*10-6/℃ (0-500℃) 4.0*10-6/℃ (500-1000℃) |
| 耐熱衝撃性 | 200℃ | 250℃ | 300℃ | 400-500℃ |
| 熱伝導率 | 31 W/m.k (25℃) 16 W/m.k (300℃) |
100 W/m.k | 3 W/m.k | 25 W/m.k |
| 電気的特性 | ||||
| 体積抵抗率 | >1012 Ω.cm | 106-108 Ω.cm | >1010 Ω.cm | >1011 Ω.cm |
| 絶縁破壊強度 | 18 KV/mm | 半導体 | 9 KV/mm | 17.7 KV/mm |
| 誘電率（1 MHz） | 10 (E) | - | 29 (E) | 7 (E) |
Miss. Scarlett.S
Deputy Head of Foreign Trade Department
- メールアドレス: scarlett.s@kegugroup.com
- Tel: 8616602956098
- ワットスアップ: 8613390790728
-
ウェチャット:
Scarlettseren533
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