黒色OEMカスタマイズ可能なSi3N4窒化ケイ素セラミック、高熱伝導率と耐高温性
基本プロパティ
原産地:
中国
ブランド名:
KEGU
モデル番号:
カスタマイズ可能
取引物件
価格:
200-500 yuan/kg
支払い条件:
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
補給能力:
2,000 PCS/月
製品概要
黒色OEM非標準Si3N4窒化ケイ素セラミック アルミニウム業界向けに開発された高性能窒化ケイ素セラミック材料で、同様の製品と比較して優れた熱的および機械的特性を提供します。 L字型の高熱伝導率水中加熱装置は、アルミニウム産業機器にとって革命的な進歩を表しています。 優れた耐熱衝撃性を必要とする特殊構造部品は、窒化ケイ素セラミック材料の主要な成長分野です。高温、腐食性、高摩耗用途では、窒化ケイ素セラミックが、超硬合金、アルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素などの従来の材料にますます取って代わっています。 窒化ケイ素材料の特性比較 物理的特性 主成分 99%Al2O3 S-SiC ZrO2 Si3N4 ...
製品詳細
ハイライト:
高熱伝導性窒化ケイ素セラミックス
,高温耐性 Si3N4 セラミック
,カスタマイズ可能なセラミック構造部品
Material:
窒化ケイ素
Composition:SiC:
＞85%
Color:
黒
Density:
3.20～3.26g/cm3
Max. Service Temp:
1450℃
Flexural Strength:
250MPa
Sample:
カスタマイズ可能
Chemical Stability:
高い
Apparent Porosity:
0～0.1%
Elastic Modulus:
300～320GPa
Compression Strength:
>1500MPa
Vickers Hardness(hv0.5):
15～16GPa
Thermal Conductivity:
20-25W/(mk)
Specific Resistivity:
10^14Ω・cm
製品の説明
黒色OEM非標準Si3N4窒化ケイ素セラミック
アルミニウム業界向けに開発された高性能窒化ケイ素セラミック材料で、同様の製品と比較して優れた熱的および機械的特性を提供します。 L字型の高熱伝導率水中加熱装置は、アルミニウム産業機器にとって革命的な進歩を表しています。
優れた耐熱衝撃性を必要とする特殊構造部品は、窒化ケイ素セラミック材料の主要な成長分野です。高温、腐食性、高摩耗用途では、窒化ケイ素セラミックが、超硬合金、アルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素などの従来の材料にますます取って代わっています。
窒化ケイ素材料の特性比較
物理的特性
| 主成分 | 99%Al2O3 | S-SiC | ZrO2 | Si3N4 |
|---|---|---|---|---|
| 密度 (g/cm³) | 3.9 | 3.1 | 6 | 3.2 |
| 吸水率 (%) | 0 | 0.1 | 0 | 0.1 |
| 焼結温度 (°C) | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 |
機械的特性
| 特性 | 99%Al2O3 | S-SiC | ZrO2 | Si3N4 |
|---|---|---|---|---|
| ロックウェル硬度 (HV) | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
| 曲げ強度 (kgf/mm²) | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 |
| 圧縮強度 (Kgf/mm²) | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 |
熱的特性
| 特性 | 99%Al2O3 | S-SiC | ZrO2 | Si3N4 |
|---|---|---|---|---|
| 最高使用温度 (°C) | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
| 熱膨張係数 (0-1000°C) (/°C) | 8.0×10⁻⁶ | 4.1×10⁻⁶(0-500°C) 5.2×10⁻⁶(500-1000°C) |
9.5×10⁻⁶ | 2.0×10⁻⁶(0-500°C) 4.0×10⁻⁶(500-1000°C) |
| 耐熱衝撃性 T(°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 |
| 熱伝導率 W/m·k | 31 (25°C) 16 (300°C) |
100 | 3 | 25 |
電気的特性
| 特性 | 99%Al2O3 | S-SiC | ZrO2 | Si3N4 |
|---|---|---|---|---|
| 体積抵抗率 (Ω·cm) | >10¹² (20°C) 10¹²-10¹³ (100°C) >10¹² (300°C) |
10⁶-10⁸ (20°C) | >10¹⁰ (20°C) | >10¹⁹ (20°C, 100°C, 300°C) |
| 絶縁破壊強度 (KV/mm) | 18 | 半導体 | 9 | 17.7 |
| 誘電率 (1 MHz) (E) | 10 | 29 | 7 | |
| 誘電正接 (tg δ) | 0.4×10⁻³ |
Miss. Scarlett.S
Deputy Head of Foreign Trade Department
- メールアドレス: scarlett.s@kegugroup.com
- Tel: 8616602956098
- ワットスアップ: 8613390790728
-
ウェチャット:
Scarlettseren533
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