|
Productdetails:
|
Materiaal: | siliciumnitride | Samenstelling: SiC: | > 85% |
---|---|---|---|
Kleur: | Zwart | Dichtheid: | 3,20-3,26 g/cm³ |
Max. Service temperatuur: | 1450°C | Buigkracht: | 250MPa |
Proefproef: | Aanpasbaar | Chemische stabiliteit: | Hoog |
Lichte porositeit: | 0-0,1% | Elastische module: | 300-320 GPa |
Compressiesterkte: | > 1500 MPa | Vickers Hardheid ((HV0.5): | 15 tot en met 16 GPa |
Warmtegeleidbaarheid: | 20-25W/m.k. | Specifieke Weerstand: | 10^14Ω·cm |
Markeren: | Si3N4 de Keramiek van het Siliciumnitride,OEM Siliciumnitride Keramiek,Zwarte Si3N4 Keramiek |
Hoogwaardige siliciumnitride keramische materialen ontwikkeld voor de aluminiumindustrie hebben aanzienlijk verbeterde thermische en mechanische eigenschappen dan vergelijkbare producten. Op basis hiervan zal het "L-vormige hoog thermisch geleidende ondergedompelde verwarming "Apparaat" revolutionaire vooruitgang brengen in aluminium industriële apparatuur.
Speciale structurele onderdelen met hoge eisen aan thermische schokbestendigheid zijn gebieden waar siliciumnitride keramische materialen in de toekomst krachtig kunnen worden ontwikkeld. In toepassingsgebieden met hoge temperaturen, sterke corrosie en hoge slijtvastheid worden siliciumnitride keramiek gebruikt om sommige gecementeerde carbides, alumina, materialen zoals zirconia en siliciumcarbide te vervangen, wat een trend zal worden.
Siliciumnitride Gerelateerde Gegevens
Hoofdbestanddeel | 99%Al2O3 | S-SiC | ZrO2 | Si3N4 | ||
Fysiek Eigenschap |
Dichtheid | g/cm3 | 3.9 | 3.1 | 6 | 3.2 |
Waterabsorptie | % | 0 | 0.1 | 0 | 0.1 | |
Sintertemperatuur | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
Mechanisch Eigenschap |
Rockwell Hardheid | HV | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
Buigsterkte | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
Compressiesterkte | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
Thermisch Eigenschap |
Maximale werk temperatuur |
°C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
Thermische uitzetting coëfficiënt 0-1000°C |
/°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6(0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6(0-500°C) | |
5.2*10-6(500-1000°C) | 4.0*10-6(500-1000°C) | |||||
Thermische schokbestendigheid | T(°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
Thermische geleidbaarheid | W/m.k(25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
Elektrisch Eigenschap |
Weerstand van Volume | ◎.cm | ||||
20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
100°C | 1012-1013 | – | – | >1011 | ||
300°C | >1012 | – | – | >1011 | ||
Isolatiedoorbraak Intensiteit |
KV/mm | 18 | halfgeleider | 9 | 17.7 | |
Diëlektrische constante (1 MHz) | (E) | 10 | – | 29 | 7 | |
Diëlektrische dissipatie | (tg o) | 0.4*10-3 | – | – | – |
Contactpersoon: Ms. Yuki
Tel.: 8615517781293