Détails sur le produit:
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Matériel: | - Je vous en prie. | Composition: SiC: | > 85% |
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Couleur: | Noir | Densité: | ≥ 3,0 g/cm3 |
Température de fonctionnement maximale: | 1380℃ | Résistance à la flexion: | 250MPa |
Mettre en évidence: | Four en céramique au carbure de silicium,Palette Sic à 85 %,Tube Sic à 85 % |
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Paramètres:
Résultats |
Unité |
HS-A |
HS-P |
HS-XA |
Taille du grain |
μm |
4 à 10 |
4 à 10 |
4 à 10 |
Densité |
g/cm |
≥ 3.1 |
3.0 à 3.1 |
> 3.1 |
Dureté (Nnoop) |
Poids total de l'eau |
2800 |
2800 |
2800 |
Résistance à la flexion 4 pt @ RT |
MPa*m1/2 |
385 |
240 |
420 |
*1031b/in2 |
55 |
55 |
55 |
|
Résistance à la compression |
MPa |
3900 |
|
3900 |
*1031b/in2 |
560 |
560 |
||
Module d'élasticité @ RT |
Le GPA |
410 |
400 |
410 |
*1031b/in2 |
59 |
58 |
59 |
|
Module de Weibull (2 paramètres) |
|
8 |
19 |
12 |
Ratio de poisson |
|
0.14 |
0.14 |
0.14 |
Résistance à la fracture @ RT Double torsion & SENB |
MPa*m1/2 |
8 |
8 |
8 |
*131b/in2in1⁄2 |
||||
Coefficient de dilatation thermique RT à 700°C |
X10-6 mm/mmK |
4.02 |
4.2 |
4.02 |
X10-6 pouces/pouces F |
2.2 |
2.3 |
2.2 |
|
Température maximale de fonctionnement.Chauffure spécifique moyenne de l'air @ RT |
°C |
1900 |
1900 |
1900 |
J/gmK |
0.67 |
0.59 |
0.67 |
|
Conductivité thermique @ RT |
Pour les appareils électroniques |
125.6 |
110 |
125.6 |
Btu/ft h°F |
72.6 |
64 |
72.6 |
|
@ 200°C |
Pour les appareils électroniques |
102.6 |
|
102.6 |
Btu/ft h°F |
59.3 |
59.3 |
||
@ 400°C |
Pour les appareils électroniques |
77.5 |
|
77.5 |
Btu/ft h°F |
44.8 |
44.8 |
||
Perméabilité @ RT à 1000°C |
31 MPa ou moins Aucune fuite de gaz |
|||
Résistance électrique @ RT |
Ohm-cm |
102 à 106 |
N/A |
102 à 106 |
Émission |
|
0.9 |
0.9 |
0.9 |
La palette de SiC est utilisée comme support de bateau de gaufre pour le processus de diffusion dans les industries des semi-conducteurs, des LED et de l'énergie solaire.
Le tube de procédé SiC est utilisé dans les équipements de fourneau à diffusion dans les industries des semi-conducteurs, des LED et de l'énergie solaire.
Le bateau SiC est utilisé comme support de gaufre dans le processus de diffusion du bore ou du phosphore et largement appliqué dans l'industrie discrète des semi-conducteurs.
Les bateaux à plaquettes à dragons SiC sont largement utilisés comme support de plaquette dans les processus de diffusion à haute température.
Stabilité chimique à haute température
Résistance à haute température supérieure
Résistance aux chocs thermiques
Résistance à la corrosion des acides et des alcalis
Excellente conductivité thermique
Services personnalisés
Qualité stable et livraison rapide
Personne à contacter: Ms. Yuki
Téléphone: 8615517781293