Detail produk:
|
Bahan: | Silikon Nitrida | Komposisi: sic: | >85% |
---|---|---|---|
Warna: | Hitam | Kepadatan: | 3.20-3.26g/cm3 |
Max. Layanan Temp: | 1450℃ | Kekuatan Lentur: | 250MPa |
Sampel: | Dapat disesuaikan | Stabilitas Kimia: | Tinggi |
Porositas yang tampak: | 0-0.1% | Modulus elastis: | 300-320GPA |
Kekuatan Kompresi: | > 1500Mpa | Vickers Hardness (HV0.5): | 15-16GPA |
Konduktivitas termal: | 20-25W/(MK) | Resistivitas spesifik: | 10^14Ω·cm |
Menyoroti: | Si3n4 keramik silikon nitrida,OEM Keramik Silicon Nitride,Keramik Si3N4 Hitam |
Bahan keramik silikon nitrida berkinerja tinggi yang dikembangkan untuk industri aluminium telah secara signifikan meningkatkan sifat termal dan mekanik dibandingkan produk serupa. Atas dasar ini, "Pemanas terendam konduktivitas termal tinggi berbentuk L" "Perangkat" akan membawa kemajuan revolusioner pada peralatan industri aluminium.
Bagian struktural khusus dengan persyaratan tinggi untuk ketahanan guncangan termal adalah area di mana bahan keramik silikon nitrida dapat dikembangkan dengan kuat di masa mendatang. Di area aplikasi dengan suhu tinggi, korosi kuat, dan ketahanan aus tinggi, keramik silikon nitrida digunakan untuk menggantikan beberapa karbida semen, alumina, Bahan seperti zirkonia dan silikon karbida akan menjadi tren.
Data Terkait Silikon Nitrida
Komponen utama | 99%Al2O3 | S-SiC | ZrO2 | Si3N4 | ||
Fisik Properti |
Kepadatan | g/cm3 | 3.9 | 3.1 | 6 | 3.2 |
Penyerapan Air | % | 0 | 0.1 | 0 | 0.1 | |
Suhu Sinter | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
Mekanik Properti |
Kekerasan Rockwell | HV | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
Kekuatan Tekuk | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
Intensitas Kompresi | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
Termal Properti |
Bekerja maksimum suhu |
°C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
ekspansi termal koefisien 0-1000°C |
/°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6(0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6(0-500°C) | |
5.2*10-6(500-1000°C) | 4.0*10-6(500-1000°C) | |||||
Ketahanan Guncangan Termal | T(°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
Konduktivitas Termal | W/m.k(25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
Listrik Properti |
Laju Resistensi Volume | ◎.cm | ||||
20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
100°C | 1012-1013 | – | – | >1011 | ||
300°C | >1012 | – | – | >1011 | ||
Kerusakan Isolasi Intensitas |
KV/mm | 18 | semikonduktor | 9 | 17.7 | |
Konstanta Dielektrik (1 MHz) | (E) | 10 | – | 29 | 7 | |
Disipasi Dielektrik | (tg o) | 0.4*10-3 | – | – | – |
Kontak Person: Ms. Yuki
Tel: 8615517781293