품질 1600°C까지 높은 온도 가열을 가진 실리콘 탄화물 난방 원소 공장

1600°C까지 높은 온도 가열을 가진 실리콘 탄화물 난방 원소

Name: 1600°C까지 높은 온도 가열을 가진 실리콘 탄화물 난방 원소
Brand: Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd
SKU: 사용자 정의 가능
Price: 350.00 USD
Availability: InStock

기본 특성

원산지: 중국

브랜드 이름: KEGU

모델 번호: 사용자 정의 가능

부동산 거래

가격: 200-500 yuan/kg

지불 조건: L/C,D/A,D/P,T/T,웨스턴 유니온,

공급능력: 2,000 PC / 달

태그

실리콘 카바이드(SiC) 발열체 | 1600°C까지 고온 가열 최대 1600°C의 온도를 지원하는 고성능 탄화규소 발열체. 우수한 열 충격 저항 및 전력 밀도. 산업용로용 SW, U-Type, W-Type 모델을 살펴보세요. 제품개요 SiC(실리콘 카바이드) 가열 요소는 극한의 산업용 가열 응용 분야에 맞게 설계되었습니다. 최대 1600°C(2912°F)의 온도에서 작동할 수 있는 이 제품은 공기 및 제어된 대기 모두에서 비교할 수 없는 열 출력, 빠른 열 응답 및 긴 서비스 수명을 제공하므로 기존 금속 합금 히터를 대체할 수 있는 ...

제품 상세정보

강조하다:

맞춤형 SiC 발열체

,

맞춤형 실리콘 카바이드 히터

Material: sic

Composition:SiC: >85%

Color: 검은색

Density: 2.5 ~ 2.6g/cm³

Max. Service Temp: 1380 ℃

Flexural Strength: 70-90 MPA

Size: 맞춤형

Heat Conduction: 23.26 w/(m · ℃)

Resistivity: 1000 ～ 2000 Ω · mm2/m

Tensile Strength: 39.2 9 49 MPa

Max. Service Temp.: 1500 ℃

Linear Thermal Expansion Coefficient (20-1500℃): 5 × 10 ℃

Electrical Resistivity: 1000 ~ 2000Ω · mm²/m

제품 설명

실리콘 카바이드(SiC) 발열체 | 1600°C까지 고온 가열

최대 1600°C의 온도를 지원하는 고성능 탄화규소 발열체. 우수한 열 충격 저항 및 전력 밀도. 산업용로용 SW, U-Type, W-Type 모델을 살펴보세요.

제품개요

SiC(실리콘 카바이드) 가열 요소는 극한의 산업용 가열 응용 분야에 맞게 설계되었습니다. 최대 1600°C(2912°F)의 온도에서 작동할 수 있는 이 제품은 공기 및 제어된 대기 모두에서 비교할 수 없는 열 출력, 빠른 열 응답 및 긴 서비스 수명을 제공하므로 기존 금속 합금 히터를 대체할 수 있는 탁월한 제품입니다.

SiC 발열체의 주요 장점

탁월한 전력 밀도:표준 니크롬선보다 단위 표면적당 5~10배 더 많은 열을 발생시켜 더 빠른 가열과 더 높은 작동 온도를 가능하게 합니다.
우수한 기계적 강도:열충격 및 물리적 변형에 대한 탁월한 저항력으로 급격한 온도 변화와 까다로운 산업 조건에서도 신뢰성을 보장합니다.
깨끗하고 조용한 작동:열원에는 소음, 배출 및 대기 오염이 전혀 없으므로 소결, 납땜 및 결정 성장과 같은 민감한 공정에 이상적입니다.

제품 유형 및 응용 프로그램

1. SW형(표준로드)

신청:다양한 퍼니스 유형을 위한 범용 발열체.
특징:작동 범위는 600°C ~ 1400°C(적절한 조건에서 최대 1600°C)입니다. 수직, 수평 모두 설치 가능합니다.
이상적인 대상:일반 고온로, 연구실, 세라믹 가마.

2. U형(머리핀 모양)

신청:공간이 제한된 소형 퍼니스.
특징:저저항 SiC 브리지로 연결된 2개의 동일한 SiC 로드로 구성되며, 장착 지점 역할도 할 수 있습니다. 집중된 열 영역을 제공합니다.
이상적인 대상:국부적인 고온 구역이 필요한 관상로 및 공정.

3. W형(3상 구성)

신청:높은 전력 입력을 요구하는 대규모 산업용 난방.
특징:3상 전원 공급 장치에 직접 연결되는 3로드, 한쪽 단자 설계(수직 설치의 경우 SGC, 수평 설치의 경우 SGD)입니다.
이상적인 대상:플로트 유리 생산, 대규모 배치 소결 및 기타 고강도 산업 공정.

기술 데이터 및 속성

재산	값
비중	2.6 - 2.8g/cm3
굽힘 강도	> 300MPa
경도	> 9모스
인장강도	> 150kg/cm²
다공성 비율	< 30%
발광	0.85

운영 지침 및 분위기 호환성

SiC 소자의 성능과 수명은 용광로 온도와 분위기에 따라 크게 달라집니다.

대기	최대 권장 온도(°C)	표면 하중(W/cm²)	잠재적 위험 및 영향
공기 / 산소	1600	15-25	느린 산화로 보호 SiO2 층이 형성됩니다.
수소(H2)	1290	10-15	메탄을 생성하여 보호 SiO2 층을 파괴할 수 있습니다.
질소(N2)	1370	10-15	절연 실리콘 질화막을 형성하여 저항을 높일 수 있습니다.
수증기	1090-1370	10-15	반응하여 실리콘 수화물을 형성하고 원소 분해를 가속화합니다.
염소/할로겐	704	15-25	부식성이 강하고 SiO2층을 빠르게 파괴하며 SiC를 공격합니다.

중요한 설치 및 사용 공지

저장:성능 저하를 방지하려면 요소를 건조하게 유지하고 습기로부터 보호하십시오.
어울리는:다중 요소 퍼니스의 경우 저항 값이 10% 허용 오차 내에 있도록 요소를 정렬 및 그룹화하여 부하 분산을 보장합니다.
손질:SiC는 단단하지만 부서지기 쉽습니다. 파손을 방지하기 위해 설치 및 유지 관리 중에 조심스럽게 다루십시오.
시작:저온로를 시동할 때는 항상 제어된 램프업 전압을 사용하십시오. 과도한 돌입 전류로 인해 부품이 손상되는 것을 방지하려면 즉각적인 최대 전력을 피하십시오.
대사:손상된 요소를 비슷한 저항을 가진 새 요소로 교체하십시오. 여러 요소에 결함이 있거나 저항이 크게 증가한 경우 균형 잡힌 성능을 위해 전체 세트 교체를 고려하십시오.