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검은 OEM Si3N4 실리콘 나이트라이드 세라믹 구조 부품, 높은 열전도와 굴절 강도 산업용으로 사용자 정의

기본 특성
원산지: 중국
브랜드 이름: KEGU
모델 번호: 맞춤형
부동산 거래
가격: 200-500 yuan/kg
지불 조건: L/C,D/A,D/P,T/T,웨스턴 유니온,
공급능력: 2,000 PCS/월
제품 요약
검은 OEM Si3N4 실리콘 나이트라이드 세라믹 비 표준 구조 알루미늄 산업을 위해 개발된 고성능 실리콘 나이트라이드 세라믹 소재는 유사한 제품들에 비해 훨씬 더 나은 열 및 기계적 특성을 제공합니다."L 모양의 고 열 전도성 잠수 난방 장치"는 알루미늄 산업 장비의 혁명적 진보를 나타냅니다.. 특별한 열 충격 저항을 요구하는 특수 구조 부품은 실리콘 나트라이드 세라믹 재료의 주요 성장 영역입니다.강한 염화 저항성, 그리고 극도의 마모 저항성, 실리콘 질소 세라믹은 시멘트 탄화물, 알루미나, 지르코니아 및 실리콘 탄화물과 같은 물...

제품 상세정보

강조하다:

비표준 질화규소 세라믹

,

고열전도성 Si3N4 세라믹

,

고온 내성 구조 세라믹

Material: Silicon Nitride
Composition:SiC: >85%
Color: Black
Density: 3.20-3.26g/cm3
Max. Service Temp: 1450℃
Flexural Strength: 250MPa
Sample: Customizable
Chemical Stability: High
Apparent Porosity: 0-0.1%
Elastic Modulus: 300-320GPa
Compression Strength: >1500MPa
Vickers Hardness(hv0.5): 15-16GPa
Thermal Conductivity: 20-25W/(m.k)
Specific Resistivity: 10^14Ω·cm
제품 설명
검은 OEM Si3N4 실리콘 나이트라이드 세라믹 비 표준 구조
알루미늄 산업을 위해 개발된 고성능 실리콘 나이트라이드 세라믹 소재는 유사한 제품들에 비해 훨씬 더 나은 열 및 기계적 특성을 제공합니다."L 모양의 고 열 전도성 잠수 난방 장치"는 알루미늄 산업 장비의 혁명적 진보를 나타냅니다..
특별한 열 충격 저항을 요구하는 특수 구조 부품은 실리콘 나트라이드 세라믹 재료의 주요 성장 영역입니다.강한 염화 저항성, 그리고 극도의 마모 저항성, 실리콘 질소 세라믹은 시멘트 탄화물, 알루미나, 지르코니아 및 실리콘 탄화물과 같은 물질을 점점 더 대체하고 있습니다.
Black OEM Si3N4 Silicon Nitride Ceramics Non Standard Structural component
실리콘 나이트라이드 물질 특성 비교
주요 부품 99%Al2O3 S-SiC ZrO2 Si3N4
물리적 특성
밀도 3.9g/cm3 3.1g/cm3 6g/cm3 3.2g/cm3
물 흡수 0% 00.1% 0% 00.1%
싱터 온도 1700°C 2200°C 1500°C 1800°C
기계적 특성
로크웰 경화 1700 HV 2200 HV 1300 HV 1400 HV
굽기 힘 3500 kgf/mm2 4000kgf/mm2 9000kgf/mm2 7000kgf/mm2
압축 강도 30000 kgf/mm2 20000kgf/mm2 20000kgf/mm2 23000kgf/mm2
열 특성
최대 작동 온도 1500°C 1600°C 1300°C 1400°C
열 확장 계수 (0-1000°C) 8.0×10−6/°C 4.1×10−6/°C (0-500°C)
5.2×10−6/°C (500-1000°C)
9.5×10−6/°C 2.0×10−6/°C (0-500°C)
4.0×10−6/°C (500-1000°C)
열 충격 저항성 200°C 250°C 300°C 400~500°C
열전도성 31W/m·K (25°C)
16W/m·K (300°C)
100W/m·K (25°C)
100W/m·K (300°C)
3W/m·K (25°C)
3W/m·K (300°C)
25W/m·K (25°C)
25W/m·K (300°C)
전기적 특성
저항성 (용량) > 1012 Ω·cm (20°C)
1012~1013 Ω·cm (100°C)
> 1012 Ω·cm (300°C)
106-108 Ω·cm (20°C) > 1010 Ω·cm (20°C) > 1011 Ω·cm (20°C)
> 1011 Ω·cm (100°C)
> 1011 Ω·cm (300°C)
단열 분해 강도 18kV/mm 반도체 9kV/mm 17.7kV/mm
다이렉트릭 상수 (1MHz) 10 (E) - 29 7
다이 일렉트릭 분해 0.4×10−3 (tg o) - - -
Silicon Nitride ceramic material properties diagram
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