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Datos del producto:
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Material: | nitruro de silicio | Composición: SiC: | > 85% |
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El color: | Negro | Densidad: | 3.20-3.26g/cm3 |
Temperatura de servicio máxima: | 1450°C | Fuerza de flexión: | 250MPa |
Muestra: | Personalizable | Estabilidad química: | En alto. |
Porosidad aparente: | 0 a 0,1% | Modulo elástico: | 300-320 GPa |
Fuerza de la compresión: | > 1500MPa | Dureza Vickers (HV0.5): | 15-16 GPa |
Conductividad térmica: | 20-25W/(m.k) | Resistencia específica: | 10^14Ω·cm |
Resaltar: | Si3N4 Cuchara de vertido,Cuchara para verter nitrato de silicio,Industria del aluminio Nitruro de silicio |
Los materiales cerámicos de nitruro de silicio de alto rendimiento desarrollados para la industria del aluminio han mejorado significativamente las propiedades térmicas y mecánicas en comparación con productos similares. Sobre esta base, el "aparato" de "calentamiento sumergido en forma de L de alta conductividad térmica" traerá un progreso revolucionario al equipo industrial del aluminio.
El cucharón y el crisol de nitruro de silicio formados por lechada, pioneros a nivel nacional, maximizan la resistencia al choque térmico y las propiedades antiadherentes del aluminio de los materiales de nitruro de silicio, y deberían ser la solución definitiva para los cucharones y crisoles de la industria del aluminio.
Ventaja:
En comparación con el crisol de otro material, la vida útil se extiende considerablemente.
Datos relacionados con el nitruro de silicio
Componente principal | 99%Al2O3 | S-SiC | ZrO2 | Si3N4 | ||
Físico Propiedad |
Densidad | g/cm3 | 3.9 | 3.1 | 6 | 3.2 |
Absorción de agua | % | 0 | 0.1 | 0 | 0.1 | |
Temperatura de sinterización | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
Mecánico Propiedad |
Dureza Rockwell | HV | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
Resistencia a la flexión | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
Intensidad de compresión | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
Térmico Propiedad |
Trabajo máximo temperatura |
°C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
Expansión térmica coeficiente 0-1000°C |
/°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6(0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6(0-500°C) | |
5.2*10-6(500-1000°C) | 4.0*10-6(500-1000°C) | |||||
Resistencia al choque térmico | T(°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
Conductividad térmica | W/m.k(25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
Eléctrico Propiedad |
Tasa de resistencia del volumen | ◎.cm | ||||
20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
100°C | 1012-1013 | – | – | >1011 | ||
300°C | >1012 | – | – | >1011 | ||
Aislamiento de ruptura Intensidad |
KV/mm | 18 | semiconductor | 9 | 17.7 | |
Constante dieléctrica (1 MHz) | (E) | 10 | – | 29 | 7 | |
Disipación dieléctrica | (tg o) | 0.4*10-3 | – | – | – |
Persona de Contacto: Ms. Yuki
Teléfono: 8615517781293