সিসি গরম করার উপাদানবর্ণনা
সিআইসি গরম করার উপাদানগুলি সাধারণত উচ্চ তাপমাত্রার চুল্লি গরমকারী বা চুল্লি গরমকারী হিসাবে ব্যবহৃত হয়। কাজের তাপমাত্রা 600 °C-1500 °C হয়।সিআইসি গরম করার উপাদানগুলি হল সিআইসি থেকে তৈরি অ-ধাতব বৈদ্যুতিক গরম করার উপাদান যা এর প্রধান কাঁচামাল হিসাবে ব্যবহৃত হয়.
সিসি গরম করার উপাদানসুবিধা
- উচ্চ বিশুদ্ধতার কাঁচামাল;
- উচ্চ কাঠামোগত ঘনত্ব;
- ধীরে ধীরে পক্বতা;
- সর্বাধিক তাপমাত্রা 1500°C (2732°F) পর্যন্ত;
- ইনস্টল করা এবং প্রতিস্থাপন করা সহজ।
প্রকার ও প্রয়োগসিসি গরম করার উপাদান
1. SW (স্ট্যান্ডার্ড)
SW সিলিকন কার্বাইডগুলি বায়ু এবং নিয়ন্ত্রিত বায়ুমণ্ডল উভয় ক্ষেত্রেই 600 °C থেকে 1400 °C পর্যন্ত তাপমাত্রায় অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয়।যদিও ব্যবহৃত বায়ুমণ্ডলের ধরন সর্বোচ্চ প্রস্তাবিত উপাদান তাপমাত্রা নির্ধারণ করবেএই ধরণের সিলিকন কার্বাইড উপাদানগুলি উল্লম্ব বা অনুভূমিকভাবে মাউন্ট করা যেতে পারে।
2. ইউ-টাইপ
ইউ আকৃতির সিলিকন কার্বাইড হল একই ব্যাসের দুটি সিলিকন কার্বাইড রড নিয়ে গঠিত। প্রতিটি রডের একই প্রতিরোধের সাথে গরম অঞ্চল এবং ঠান্ডা শেষ উভয়ই রয়েছে। দুটি রড কম প্রতিরোধের সিআইসি দ্বারা সংযুক্ত।এছাড়াও সংযোগকারী বিভিন্ন প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী ধারক হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে.
3. W-TYPE
৩-ফেজ উপাদান দুটি ভিন্ন ধরণের পাওয়া যায়ঃ এসজিসি (ডাম্বেল), এসজিডি ((স্ট্যান্ডার্ড) ।
এই উপাদানগুলি স্ব-বন্ধিত সিলিকন কার্বাইড যা উচ্চ তাপমাত্রায় সিলিকন কার্বাইডের পুনরায় স্ফটিকীকরণের মাধ্যমে গঠিত হয়।এটা তিন উচ্চ বিশুদ্ধতা সিলিকন কার্বিড রড এক প্রান্তে একটি সিলিকন কার্বিড ক্রসবার দ্বারা সংযুক্ত করা হয়এসজিসি উপাদানগুলি স্ট্যান্ডার্ড ফ্লোট গ্লাস বাথগুলিতে উল্লম্ব ইনস্টলেশনের জন্য এবং অনুভূমিক ইনস্টলেশনের জন্য এসজিডি উপাদানগুলির জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।তারা সরাসরি তিন-ফেজ পাওয়ার সাপ্লাইতে সংযুক্ত করা যেতে পারে এবং একটি একতরফা টার্মিনাল টাইপ যা চুলার ছাদ থেকে টার্মিনালগুলি বের করার অনুমতি দেয়.
4একক স্পাইরাল সিলিকন কার্বাইড এবং ডাবল স্পাইরাল সিলিকন কার্বাইড:
তারা সিলিকন কার্বাইড পাউডার থেকে তৈরি করা হয়, এবং দুটি আকৃতি আছেঃ একক এবং ডাবল স্প্রিয়াল সিলিকন কার্বাইড হিটিং উপাদান। তারা ব্যাপকভাবে চুলা এবং চুলা সব ধরণের ব্যবহৃত হয়।
SIC গরম করার উপাদানটির শারীরিক বৈশিষ্ট্য
|
নির্দিষ্ট ওজন
|
2.6~2.8g/cm3
|
বাঁক শক্তি
|
>৩০০ কেজি
|
|
কঠোরতা
|
>9এমওএইচএস
|
টান শক্তি
|
>150kg/cm3
|
|
পোরোসিটি রেট
|
<৩০%
|
উজ্জ্বলতা
|
0.85
|
বিভিন্ন অপারেটিং তাপমাত্রায় উপাদানগুলির পৃষ্ঠের উপর প্রস্তাবিত পৃষ্ঠের চাপ এবং প্রভাব
|
বায়ুমণ্ডল
|
চুলা তাপমাত্রা ((°C)
|
পৃষ্ঠের চাপ ((W/cm2)
|
রডের উপর প্রভাব
|
|
অ্যামোনিয়া
|
1290
|
3.8
|
SiC এর উপর কর্ম মিথেন উত্পাদন করে এবং SiO2 এর সুরক্ষা ফিল্ম ধ্বংস করে
|
|
কার্বন ডাই অক্সাইড
|
1450
|
3.1
|
ক্ষয়কারী সিআইসি
|
|
কার্বন মনোক্সাইড
|
1370
|
3.8
|
কার্বন পাউডার শোষণ করুন এবং SiO2 এর সুরক্ষা ফিল্মকে প্রভাবিত করুন
|
|
হ্যালোজেন
|
704
|
3.8
|
SiC ক্ষয় এবং SiO2 এর প্রতিরক্ষামূলক ফিল্ম ধ্বংস
|
|
হাইড্রোজেন
|
1290
|
3.1
|
SiC এর উপর কর্ম মিথেন উত্পাদন করে এবং SiO2 এর সুরক্ষা ফিল্ম ধ্বংস করে
|
|
নাইট্রোজেন
|
1370
|
3.1
|
সিআইসির উপর কর্ম সিলিকন নাইট্রাইডের একটি নিরোধক স্তর তৈরি করে
|
|
সোডিয়াম
|
1310
|
3.8
|
ক্ষয়কারী সিআইসি
|
|
সিলিকন ডাই অক্সাইড
|
1310
|
3.8
|
ক্ষয়কারী সিআইসি
|
|
অক্সিজেন
|
1310
|
3.8
|
সিআইসি অক্সিডাইজড
|
|
জলীয় বাষ্প
|
১০৯০-১৩৭০
|
3.১-৩।6
|
সিআইসির উপর কর্ম সিলিকন হাইড্রেট তৈরি করে
|
|
হাইড্রোকার্বন
|
1370
|
3.1
|
গরম দূষণে কার্বন পাউডার শোষণ
|
ব্যবহার এবং ইনস্টলেশনের জন্য নির্দেশাবলীঃ
1হিটারটির কার্যকারিতা নিশ্চিত করার জন্য হিটারটি সঞ্চয় বা ইনস্টলেশনের সময় আর্দ্রতা থেকে রক্ষা করা উচিত।
2. প্রতিটি এবং গোষ্ঠীগুলির ভালভাবে বিতরণ নিশ্চিত করার জন্য, হিটারটি একত্রিত করার আগে বিভক্ত করা উচিত। প্রতিটি প্রতিরোধের সহনশীলতা একে অপরের 10% অতিক্রম করতে পারে না।
3. হিটারটি কঠিন এবং ভঙ্গুর, দয়া করে ক্ষতি এড়াতে সমাবেশ এবং রক্ষণাবেক্ষণের সময় সতর্ক থাকুন।
4যখন বৈদ্যুতিক চুলা শুরু হয়, ভোল্টেজ ধীরে ধীরে বৃদ্ধি করা উচিত এবং একবারে সম্পূর্ণ লোড করা যাবে না।অন্যথায় বৃহত্তর বর্তমান হিটার ক্ষতি হতে হবে.
5. যখন হিটার ক্ষতিগ্রস্ত হয় এবং পরিবর্তন করা প্রয়োজন, একটি নতুন প্রতিরোধের ক্রমবর্ধমান প্রতিরোধের অনুসরণ করা উচিত। যদি অনেক ক্ষতিগ্রস্ত হয় বা প্রতিরোধের খুব বেশি বৃদ্ধি পায়, হিটার পরিবর্তন করা উচিত।
গুণমান নিয়ন্ত্রণঃ
আপনার বার্তাটি 20-3,000 টির মধ্যে হতে হবে!
