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Detalhes do produto:
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| Material: | Sic | Composição: SiC: | >85% |
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| cor: | Preto | Densidade: | 2,5 ~ 2,6g/cm³ |
| Máx. Temperatura de serviço: | 1380 ℃ | Resistência à Flexão: | 70-90 MPA |
| Tamanho: | Personalizado | Condução de calor: | 23.26 w/(m · ℃) |
| Resistividade: | 1000 ~ 2000 Ω · mm2/m | Resistência à tracção: | 39.2 ~ 49 MPa |
| Máx. Temperatura de serviço.: | 1500 ℃ | Coeficiente de expansão térmica linear (20-1500 ℃): | 5 × 10⁻⁶/℃ |
| Resistividade elétrica: | 1000 ~ 2000Ω · mm²/m | ||
| Destacar: | Forno com aquecedor de haste de carbeto de silício,Elementos de aquecimento SiC em forma de U,elementos de aquecimento sic para fornos |
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Os elementos de aquecimento de carburo de silício (SiC) são aquecedores elétricos não metálicos de primeira qualidade projetados para ambientes industriais extremos.Estes elementos fornecem um, desempenho duradouro como fonte primária de aquecimento em fornos e fornos industriais de alta temperatura, operando numa gama de600°C a 1500°C (1112°F a 2732°F).
O tipo mais versátil e económico, adequado para uma ampla gama de ambientes (ar ou controlado).
É constituído por duas hastes de SiC idênticas (cada uma com zona quente e extremidades frias) ligadas por uma ponte de SiC de baixa resistência, formando uma robusta forma de "U".
Disponível em SGC (Dumbbell) para instalação vertical e SGD (Standard) para instalação horizontal.com uma tensão máxima de 80 V ou mais, mas não superior a 80 V,.
Disponível em configurações Single Spiral e Double Spiral, formado a partir de pó de SiC de alta qualidade em formas espirais para maior área de superfície e maior radiação térmica.
| Imóveis | Valor | Imóveis | Valor |
|---|---|---|---|
| Gravidade específica | 2.6 - 2,8 g/cm3 | Força de dobra | > 300 kg/cm2 |
| Dureza (Mohs) | > 9 | Resistência à tração | > 150 kg/cm2 |
| Taxa de porosidade | < 30% | Radiância (Emissividade) | 0.85 |
Critical para a vida útil dos elementos e para o projeto do forno:
| Atmosfera | Temperatura máxima do forno (°C) | Carga superficial (W/cm2) | Efeito sobre o elemento SiC |
|---|---|---|---|
| Oxigénio / Ar | 1310 | 3.8 | Forma uma camada protetora de SiO2 (oxidação normal) |
| Nitrogénio | 1370 | 3.1 | Pode formar uma camada isolante de nitruro de silício |
| Hidrogénio | 1290 | 3.1 | Pode produzir metano, danificando a camada de SiO2 |
| Vapor de água | 1090-1370 | 3.1-3.6 | Pode formar hidratos de silício |
| Monóxido de carbono | 1370 | 3.8 | Pode depositar carbono, afetando o desempenho |
| Gases halógenos | 704 | 3.8 | Corrosivos, destroem a camada protetora |
| Amônia | 1290 | 3.8 | Pode produzir metano, danificando a camada de SiO2 |
Um manuseio adequado garante um desempenho e uma longevidade ótimos:
Combinamos matérias-primas de primeira qualidade com um rigoroso controlo de processos para fornecer soluções de aquecimento de SiC confiáveis e de alto desempenho.e solução de problemas para maximizar o tempo de atividade do seu forno e eficiência.
Entre em contato conosco hoje para especificações, cotações personalizadas e suporte de engenharia para suas necessidades de elemento de aquecimento U-Type, W-Type ou SiC padrão.
Pessoa de Contato: Ms. Yuki
Telefone: 8615517781293