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Hochleistungs-Aluminiumnitrid-Keramikteile mit außergewöhnlicher Wärmeleitfähigkeit und überlegener elektrischer Isolierung für kontrollierte thermische Ausdehnung

Grundlegende Eigenschaften
Herkunftsort: China
Markenname: KEGU
Modellnummer: Anpassbar
Immobilienhandel
Preis: 200-500 yuan/kg
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Lieferfähigkeit: 2.000 PC/Monat
Produktübersicht
Keramische Teile aus Hochleistungs-Aluminiumnitrid (AlN) für die thermische Verwaltung und Elektronik Aluminiumnitrid (AlN) ist das wichtigste technische keramische Material, das einzigartige Kombination ausaußergewöhnliche Wärmeleitfähigkeitmitüberlegene elektrische DämmungseigenschaftenDiese ...

Produktdetails

Hervorheben:

AlN Aluminiumnitrid Teile

,

Teile für Halbleitergeräte aus Aluminiumnitrid

,

AlN Teile von Halbleitergeräten

Material: Sic
Composition:SiC: >85 %
Color: Schwarz
Density: ≥ 3,65 g/cm3
Max. Service Temp: 1380 ℃
Flexural Strength: 250 MPa
Hardness: ≥84HRA
Water Absorption: ≤ 0,2%
Abrasion: < 0,02%
Bending Strength: ≥290MPa
Produkt-Beschreibung
Keramische Teile aus Hochleistungs-Aluminiumnitrid (AlN) für die thermische Verwaltung und Elektronik
Aluminiumnitrid (AlN) ist das wichtigste technische keramische Material, das einzigartige Kombination ausaußergewöhnliche Wärmeleitfähigkeitmitüberlegene elektrische DämmungseigenschaftenDiese seltene Kombination macht es zur idealen Materiallösung für Hochleistungselektronik, fortgeschrittene Halbleiterverarbeitung und anspruchsvolle thermische Anwendungen.
Aluminum Nitride ceramic components for electronics
Wesentliche Materialeigenschaften und Vorteile
  • Außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit (180-220 W/m*K)
    • Wird schnell von kritischen Komponenten abgegeben
    • Ermöglicht höhere Leistungsdichten und verbesserte Geräteverlässlichkeit
  • Ausgezeichnete elektrische Isolierung
    • Hohe dielektrische Festigkeit und Volumenwiderstand
    • Verhindert Stromlecks in Hochspannungsanwendungen
  • Kontrollierte thermische Ausdehnung
    • CTE entspricht sehr gut Silizium (4.7-5.6 * 10−6/K)
    • Reduziert die thermische Belastung von Halbleiterverpackungen
  • Überlegene Metallisierungsfähigkeit
    • mit einer Breite von nicht mehr als 15 mm,
    • Ermöglicht robuste Lösungen für das Brauen und Binden
Fortgeschrittene Fertigungsprozesse
Wir verwenden mehrere Formiertechnologien, um AlN-Komponenten mit hoher Präzision herzustellen:
  • Trockenpressen:Kosteneffizient für einfache Geometrien mit hohem Volumen
  • Kalt isostatisches Pressen (CIP):Überlegene Dichte für komplexe Formen
  • Gießband:Ideal für dünne Substrate und mehrschichtige Strukturen
  • Extrusion:mit einer Breite von mehr als 50 mm,
Anwendungen in verschiedenen Branchen
Herstellung von Halbleitern
  • Komponenten der Ätzekammer
  • mit einer Breite von nicht mehr als 15 mm
  • Geräte zur Waferverarbeitung
Leistungselektronik und LED
  • Keramische Substrate mit hoher Leistung
  • LED-Wärmeabnehmer und -verpackungen
  • IGBT-Module und Leistungseinrichtungen
Wärmemanagementsysteme
  • Heizverbreiter und -vertreiber
  • Materialien für thermische Schnittstellen
  • Komponenten der Kühlsysteme
Elektrische Isolierung
  • mit einem Gehalt an Zellstoff von mehr als 50 GHT
  • HF-Mikrowellenpakete
  • Elektrische Buschungen und Abstandsschalter
Warum wählen Sie unsere Aluminiumnitridkomponenten?
  • Sachkenntnis:Ein tieferes Verständnis der Eigenschaften und Verarbeitung von AlN
  • Präzisionsfertigung:Enge Toleranzen und überlegene Oberflächenbearbeitung
  • Individuelle Lösungen:Maßgeschneiderte Komponenten für spezifische Anwendungsbedürfnisse
  • Qualitätssicherung:Strenge Prüf- und Qualitätskontrollverfahren
Benötigen Sie AlN-Komponenten für Ihre Herausforderung des thermischen Managements? Kontaktieren Sie unser Engineering-Team, um zu besprechen, wie unsere Aluminiumnitrid-Lösungen Ihre Produktleistung und Zuverlässigkeit verbessern können.
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