Dettagli:
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Materiale: | nitruro di silicio | Composizione: SiC: | > 85% |
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Colore: | Nero | Densità: | 30,20-3,26 g/cm3 |
Temperatura di servizio massima: | 1450°C | Forza flessibile: | 250MPa |
Campione: | Personalizzabile | Stabilità chimica: | Alta |
Apparente porosità: | 0-0,1% | Modulo elastico: | 300-320 GPa |
Resistenza a compressione: | > 1500MPa | Durezza Vickers (HV0.5): | 15-16GPa |
Conduttività termica: | 20-25W/(m.k) | Resistenza specifica: | 10^14Ω·cm |
Evidenziare: | Cucchiaio di colata in Si3N4,Cucchiaio di colata in nitruro di silicio,Crogiolo in nitruro di silicio per l'industria dell'alluminio |
I materiali ceramici a nitruro di silicio ad alte prestazioni sviluppati per l'industria dell'alluminio hanno proprietà termiche e meccaniche significativamente migliori rispetto a prodotti simili.L'apparecchio di riscaldamento sommerso ad alta conduttività termica a forma di L porterà un progresso rivoluzionario alle attrezzature industriali in alluminio.
Il cucchiaio e il crogiolo di riempimento a nitruro di silicio formati da colata massimizza la resistenza allo shock termico e le proprietà antiaderenti dell'alluminio dei materiali a nitruro di silicio,e dovrebbe essere la soluzione definitiva per l'industria dell'alluminio versando cucchiai e crogioli.
Vantaggi:
Rispetto agli altri crogioli, la durata di vita è notevolmente prolungata.
Dati relativi al nitruro di silicio
Componente principale | 99%Al2O3 | S-SiC | ZrO2 | Si3N4 | ||
Fisica Immobili |
Densità | g/cm3 | 3.9 | 3.1 | 6 | 3.2 |
Assorbimento dell'acqua | % | 0 | 0.1 | 0 | 0.1 | |
Temperatura di sinterizzazione | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
Meccanica Immobili |
Durezza Rockwell | HV | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
Forza di piegatura | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
Intensità di compressione | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
Termica Immobili |
Massimo di funzionamento temperatura |
°C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
espansione termica coefficiente 0-1000°C |
/°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6 ((0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6 ((0-500°C) | |
5.2*10-6 ((500-1000°C) | 4.0*10-6 ((500-1000°C) | |||||
Resistenza agli urti termici | T(°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
Conduttività termica | W/m.k(25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
Altri dispositivi Immobili |
Tasso di resistenza del volume | ◎.cm | ||||
20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
100°C | 1012-1013 | ️ | ️ | >1011 | ||
300°C | >1012 | ️ | ️ | >1011 | ||
Rottura dell'isolamento Intensità |
KV/mm | 18 | semiconduttore | 9 | 17.7 | |
Costante dielettrica (1 MHz) | (E) | 10 | ️ | 29 | 7 | |
Dissipazione dielettrica | (tg o) | 0.4*10-3 | ️ | ️ | ️ |
Persona di contatto: Ms. Yuki
Telefono: 8615517781293