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Dettagli:
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| Material: | Silicon Nitride | Composition:SiC: | >85% |
|---|---|---|---|
| Color: | Black | Density: | 3.20-3.26g/cm3 |
| Max. Service Temp: | 1450℃ | Flexural Strength: | 250MPa |
| Sample: | Customizable | Chemical Stability: | High |
| Apparent Porosity: | 0-0.1% | Elastic Modulus: | 300-320GPa |
| Compression Strength: | >1500MPa | Vickers Hardness(HV0.5): | 15-16GPa |
| Thermal Conductivity: | 20-25W/(m.k) | Specific Resistivity: | 10^14Ω·cm |
| Evidenziare: | Ceramica al nitruro di silicio Non Standard,Ceramica Si3N4 ad alta conducibilità termica,Ceramica strutturale resistente alle alte temperature |
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| Componente principale | 99%Al2O3 | S-SiC | ZrO2 | Si3N4 |
|---|---|---|---|---|
| Proprietà fisiche | ||||
| Densità | 30,9 g/cm3 | 3.1 g/cm3 | 6 g/cm3 | 3.2 g/cm3 |
| Assorbimento dell'acqua | 0% | 00,1% | 0% | 00,1% |
| Temperatura di sinterizzazione | 1700°C | 2200°C | 1500°C | 1800°C |
| Proprietà meccaniche | ||||
| Durezza Rockwell | 1700 HV | 2200 HV | 1300 HV | 1400 HV |
| Forza di piegatura | 3500 kgf/mm2 | 4000 kgf/mm2 | 9000 kgf/mm2 | 7000 kgf/mm2 |
| Intensità di compressione | 30000 kgf/mm2 | 20000 kgf/mm2 | 20000 kgf/mm2 | 23000 kgf/mm2 |
| Proprietà termiche | ||||
| Temperatura massima di funzionamento | 1500°C | 1600°C | 1300°C | 1400°C |
| Coefficiente di espansione termica (0-1000°C) | 8.0×10−6/°C | 4.1×10−6/°C (0-500°C) 5.2×10−6/°C (500-1000°C) |
9.5×10−6/°C | 2.0×10−6/°C (0-500°C) 4.0×10−6/°C (500-1000°C) |
| Resistenza agli urti termici | 200°C | 250°C | 300°C | 400-500°C |
| Conduttività termica | 31 W/m·K (25°C) 16 W/m·K (300°C) |
100 W/m·K (25°C) 100 W/m·K (300°C) |
3 W/m·K (25°C) 3 W/m·K (300°C) |
25 W/m·K (25°C) 25 W/m·K (300°C) |
| Proprietà elettriche | ||||
| Resistenza (volume) | > 1012 Ω·cm (20°C) 1012-1013 Ω·cm (100°C) > 1012 Ω·cm (300°C) |
106-108 Ω·cm (20°C) | > 1010 Ω·cm (20°C) | > 1011 Ω·cm (20°C) > 1011 Ω·cm (100°C) > 1011 Ω·cm (300°C) |
| Intensità di rottura dell'isolamento | 18 kV/mm | semiconduttore | 9 kV/mm | 170,7 kV/mm |
| Costante dielettrica (1 MHz) | 10 (E) | - | 29 | 7 |
| Dissipazione dielettrica | 0.4×10−3 (tg o) | - | - | - |
Persona di contatto: Ms. Yuki
Telefono: 8615517781293