商品の詳細:
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材料: | シック | 組成:SiC: | >98% |
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色: | ブラック | 密度: | >3.05g/cm3 |
マックス サービス・テンパール: | 1650°C | 折りたたみ力: | 380MPa |
ハイライト: | 炭化ケイ素ブロック研削,LEDウェーハ研削用炭化ケイ素ブロック,半導体シリコンウェーハSICブロック |
炭化ケイ素ブロック 優れた熱伝導性 優れた耐熱衝撃性 優れた耐摩耗性
当社は、大量生産能力とカスタマイズ生産のための強力な成形能力により、多くの国際市場に製品を輸出しています。当社の製品は、お客様の要件に従って認証されています。
当社は、社内外のリソースを統合し、革新、改善、強化を継続し、当社の柔軟性と製品の競争力を強化し、既存のお客様と新規のお客様の両方に最高のサービスを提供します。
半導体シリコンウェーハの研削プロセス
LEDサファイアウェーハの研削プロセス
LEDウェーハの薄型化プロセス
優れた熱伝導性
優れた耐熱衝撃性
優れた耐摩耗性
性能 | 単位 | HS-A | HS-P | HS-XA |
粒度 | μm | 4-10 | 4-10 | 4-10 |
密度 | g/cm | ≥3.1 | 3.0-3.1 | >3.1 |
硬度(ヌープ) | Kg/mm² | 2800 | 2800 | 2800 |
曲げ強度 4 pt @ RT | MPa*m1/2 | 385 | 240 | 420 |
*10³1b/in² | 55 | 55 | 55 | |
圧縮強度 @ RT | Mpa | 3900 | 3900 | |
*10³1b/in² | 560 | 560 | ||
弾性率 @ RT | Gpa | 410 | 400 | 410 |
*10³1b/in² | 59 | 58 | 59 | |
ワイブル係数(2パラメータ) | 8 | 19 | 12 | |
ポアソン比 | 0.14 | 0.14 | 0.14 | |
破壊靭性 @ RT ダブルトルション & SENB | MPa*m1/2 | 8 | 8 | 8 |
*1³1b/in²in½ | ||||
熱膨張係数 RT to 700℃ | X10-6mm/mmK | 4.02 | 4.2 | 4.02 |
X10-6 in/in°F | 2.2 | 2.3 | 2.2 | |
最高使用温度 空気 平均比熱 @ RT | °C | 1900 | 1900 | 1900 |
J/gmK | 0.67 | 0.59 | 0.67 | |
熱伝導率 @ RT | W/mK | 125.6 | 110 | 125.6 |
Btu/ft h°F | 72.6 | 64 | 72.6 | |
@200°C | W/mK | 102.6 | 102.6 | |
Btu/ft h°F | 59.3 | 59.3 | ||
@400°C | W/mK | 77.5 | 77.5 | |
Btu/ft h°F | 44.8 | 44.8 | ||
RT to 1000°Cでの透過性 | 31MPa以下 ガス漏れなし | |||
電気抵抗率 @ RT | Ohm-cm | 102-106 | N/A | 102-106 |
放射率 | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
安定した品質と迅速な納期
SiCブロックの直径は120mmから480mmまで在庫あり
サンプルローディングとアンローディングの時間を節約
より高い薄型化率に対応可能
さまざまな仕様で利用可能、カスタマイズサービスも提供
コンタクトパーソン: Ms. Yuki
電話番号: 8615517781293