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Sicヒーター 炭化ケイ素発熱体 U W I型 炉用

顧客の検討
NGKは、陝西科谷との長年のパートナーシップを高く評価しています。彼らのSSiCセラミックスは品質と革新性に優れており、私たちの相互の成功を牽引しています。今後も協力関係を継続しましょう!

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ハイケでは,信頼,革新,共同卓越性に基づいた長年の協力関係,山西ケグ新材料技術株式会社と 誇りを持っています.SSiCセラミクスの専門知識と信頼性の高いソリューションは,一貫して私たちのプロジェクトを支援しています.

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—— ケダ・インダストリアル・グループ株式会社

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Sicヒーター 炭化ケイ素発熱体 U W I型 炉用

Sicヒーター 炭化ケイ素発熱体 U W I型 炉用
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大画像 :  Sicヒーター 炭化ケイ素発熱体 U W I型 炉用

商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: KEGU
モデル番号: カスタマイズ可能
お支払配送条件:
価格: 200-500 yuan/kg
パッケージの詳細: 強力な木製の箱 グローバル輸送のために
支払条件: 信用状、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
供給の能力: 2,000 PC/月

Sicヒーター 炭化ケイ素発熱体 U W I型 炉用

説明
材料: シック 組成:SiC: >85%
色: ブラック 密度: 2.5~2.6g/cm3
マックス サービス・テンパール: 1380℃ 折りたたみ力: 70〜90 MPa
サイズ: カスタマイズ 熱伝導: 23.26W/m·°C
耐性: 1000~2000 Ω·mm2/m 引張強さ: 39.249 MPa
マックス サービステンパール: 1500℃ 線形熱膨張係数 (20〜1500°C): 5×10−6/°C
電気抵抗性: 1000~2000Ω·mm2/m
ハイライト:

炉用炭化ケイ素ヒーター

,

I タイプ Sic 発熱体

,

W型 Sic型ヒーターエレメント

U W I型高温シックヒーター シリコンカービッド暖炉

記述
ハイライト:

暖炉式シークイーター

,

高温シシヒーター

,

シリコンカルビッドシシヒータ

 

 

製品説明
Sicヒーター 炭化ケイ素発熱体 U W I型 炉用 0
シリコンカルビッド SiC熱装置 (ヒーター)
1) 材料: グリーンシリコン粉末の質が良い
2) 製品: 非金属高温電気熱装置の一種.
3) 製造プロセス: 薄物として作られ,高温でシリシ化され,再結晶化されます.
4) 用途: 様々な高温実験室炉や他の電気暖房で広く使用されています
磁石,陶器,電力の金属工学,ガラス,金属工学など
5) 特徴: 高温,抗酸化,抗腐食,温度が早く上昇し,低温
熱膨張係数などです
6) ヒーターの仕様と抵抗範囲
元素の物理特性: 
固有重量
曲がり強度
硬さ
張力強度
孔隙率
放射性
2.6~28g/cm3
>300kg
>9MOHの
>150kg/cm3
<30%
0.85
線形膨張係数,熱伝導性,特異熱は温度変化とともに変化し,関係データとしては以下の通りです.
温度 (c)
線形膨張係数 (10m/c)
熱伝導性 (kcal/Mhrc)
特定熱量 (cal/g'c)
o
/
/
0.148
300
3.8
/
/
400
/
/
0.255
600
4.3
14 - 18
/
800
/
/
0.294
900
4.5
/
/
1100
/
12から16
/
1200
4.8
/
0.325
1300
/
10〜14
/
1500
5.2
/
/

シリコンカービッドの加熱要素

シリコンカービード元素の使用 建築,陶器の焼,浮遊ガラス生産,非鉄金属の溶融,シンタリング,溶融,1625°Cまでの動作温度を必要とする他の用途シリコンカービッドから構成された加熱要素は,通常,単足または複数の脚と金属化されたアルミ端を持つ棒,チューブ,または棒の形をしています.他の形は,ダンベル,ダブルスピラル,シングルスピラル標準的な暖房要素のサイズは,直径0.5〜3インチ,長さ1〜10フィートの範囲です.カスタム形状とサイズは,要求に応じて利用できます.シリコンカービッドの加熱エレメントは,一般的にほとんどのボリュームですぐに入手できます.アメリカン・エレメントは,ブロック,泡,蜂蜜,粉末 (マイクロおよびサブマイクロ粉末を含む),マイクロウイスカー,ナノ粒子,スポンジなど,シリコンカービッドの他の形態も提供しています.噴射対象物追加の技術,研究,安全性 (MSDS) の情報があります.
Sicヒーター 炭化ケイ素発熱体 U W I型 炉用 1
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Sicヒーター 炭化ケイ素発熱体 U W I型 炉用 3
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仕様
大気
オーブンの温度 ((°C)
表面負荷 (W/cm)
元素に作用する
ソイヴのやり方
アモニア
1290
3.8
SiC に作用し,SiO2 の保護フィルムを減少させる.
露点では活性
COr
1450
3.1
攻撃 SiC
クォーツチューブによる保護
18%CO
1500
4
行動なし
/
20%CO
1370
3.8
SiO2 保護フィルムに作用するC粒を吸収する
/
ハロゲン
704
3.8
SiC を攻撃し,SiOProtective フィルムを減少させる
クォーツチューブによる保護
炭水化物
1310
3.1
吸収するC粒子は熱汚染を引き起こす
十分な空気で満たす
水素
1290
3.1
SiCに作用してSiO2を減少させる 保護フィルム
露点では活性
メタン
1370
3.1
吸収するC粒子は熱汚染を引き起こす
/
N
1370
3.1
SiCと作用し,SiN隔熱層を形成する
/
ほら
1310
3.8
攻撃 SiC
クォーツチューブによる保護
SO2
1310
3.8
攻撃 SiC
クォーツチューブによる保護
バキューム
1204
3.8
/
/
酸素
1310
3.8
SiCは酸化している
/
含有量 含有量
1090年〜1370年
31-3 わかった6
SiCに作用してシリコンヒド酸を形成する
/
梱包と配送
Sicヒーター 炭化ケイ素発熱体 U W I型 炉用 5
Sicヒーター 炭化ケイ素発熱体 U W I型 炉用 6
商品の安全性をより良く確保するために,プロフェッショナルで環境にやさしい,便利で効率的な包装サービスが提供されます.
 
品質管理
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連絡先の詳細
Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd

コンタクトパーソン: Ms. Yuki

電話番号: 8615517781293

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