Detalhes do produto:
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Material: | Sic | Composição: SiC: | > 98% |
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Cor: | Preto | Densidade: | ≥ 3,05 g/cm3 |
Max. Temperatura de serviço: | 1650℃ | Força flexural: | 380 MPa |
Composição: SiC: | > 85% | Densidade: | ≥ 3,0 g/cm3 |
Max. Temperatura de serviço: | 1380℃ | Força flexural: | 250MPa |
Tamanho: | Personalizado | Densidade: | 2.5·2,6 g/cm3 |
Condução de calor: | 23.26 W/m·°C | Resistividade: | 1000 ‰ 2000 Ω·mm2/m |
Resistência à tração: | 39.249 MPa | Força flexural: | 70 ∼ 90 MPa |
Densidade: | 20,5-2,6 g/cm3 | Temperatura máxima de serviço.: | 1500℃ |
Força flexural: | 70 a 90 MPa | Coeficiente de expansão térmica linear (20-1500°C): | 5×10−6/°C |
Resistividade elétrica: | 1000~2000Ω·mm2/m | ||
Destacar: | elementos de aquecimento personalizados,elementos de aquecimento sic personalizados |
1550 ℃ Elemento de Aquecimento Elétrico de Carbeto de Silício
Os Elementos de Aquecimento de Carbeto de Silício são um tipo de elemento de aquecimento elétrico não metálico de alta temperatura. Os Elementos de Aquecimento de Carbeto de Silício são feitos de carbeto de silício verde de alta qualidade selecionado como material principal, que é transformado em branco, siliciado sob alta temperatura e recristalizado. É o tipo mais popular de elemento de aquecimento econômico capaz de operar em ambientes quentes e rigorosos.
Aplicações dos Elementos de Aquecimento de Carbeto de Silício
Indústria eletrônica
Metalurgia
Indústria de Al/Zn
Indústria cerâmica
Indústria de vidro float
Indústria de vidro óptico
Equipamentos de laboratório
Pó de fluorescência
Carga superficial recomendada e Influências nas Superfícies dos Elementos em Diferentes Temperaturas de Operação
Atmosfera | Temperatura do Forno (°C) | Carga Superficial (W/cm2) | A influência na Haste |
Amônia | 1290 | 3.8 | A ação no SiC produz metano e destrói a película de proteção de SiO2 |
Dióxido de carbono | 1450 | 3.1 | Corrói o SiC |
Monóxido de carbono | 1370 | 3.8 | Absorve o pó de carbono e influencia a película de proteção de SiO2 |
Halogênio | 704 | 3.8 | Corrói o SiC e destrói a película de proteção de SiO2 |
Hidrogênio | 1290 | 3.1 | A ação no SiC produz metano e destrói a película de proteção de SiO2 |
Nitrogênio | 1370 | 3.1 | A ação no SiC produz uma camada isolante de nitreto de silício |
Sódio | 1310 | 3.8 | Corrói o SiC |
Dióxido de silício | 1310 | 3.8 | Corrói o SiC |
Oxigênio | 1310 | 3.8 | SiC oxidado |
Vapor de água | 1090-1370 | 3.1-3.6 | A ação no SiC produz hidrato de silício |
Hidrocarboneto | 1370 | 3.1 | Absorve o pó de carbono, resultando em poluição por calor |
O seguinte deve ser fornecido ao fazer uma consulta ou fazer um pedido de Elementos de Aquecimento de Carbeto de Silício:
Como exemplo:
Tipo U, OD=20mm, HZ=300mm, CZ=200mm, A=60mm, Resistência=1.84Ω
Especificar como: SiC U20/300/200/60/1.84Ω
Imagens dos Elementos de Aquecimento de Carbeto de Silício
Controle de qualidade:
Pessoa de Contato: Ms. Yuki
Telefone: 8615517781293