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Datos del producto:
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| Material: | Silicon Nitride | Composition:SiC: | >85% |
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| Color: | Black | Density: | 3.20-3.26g/cm3 |
| Max. Service Temp: | 1450℃ | Flexural Strength: | 250MPa |
| Sample: | Customizable | Chemical Stability: | High |
| Apparent Porosity: | 0-0.1% | Elastic Modulus: | 300-320GPa |
| Compression Strength: | >1500MPa | Vickers Hardness(HV0.5): | 15-16GPa |
| Thermal Conductivity: | 20-25W/(m.k) | Specific Resistivity: | 10^14Ω·cm |
| Resaltar: | Cerámica de Nitruro de Silicio No Estándar,Cerámica Si3N4 de Alta Conductividad Térmica,Cerámica Estructural Resistente a Altas Temperaturas |
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| Componente principal | 99%Al2O3 | S-SiC | ZrO2 | Si3N4 |
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| Propiedades físicas | ||||
| Densidad | 3.9 g/cm3 | 3.1 g/cm3 | 6 g/cm3 | 3.2 g/cm3 |
| Absorción de agua | 0% | 00,1% | 0% | 00,1% |
| Temperatura de sinterización | 1700 °C | 2200°C | 1500 °C | 1800 °C |
| Propiedades mecánicas | ||||
| Dureza de Rockwell | 1700 HV | 2200 HV | 1300 HV | 1400 HV |
| Fuerza de flexión | 3500 kgf/mm2 | Se aplicarán las siguientes medidas: | 9 000 kgf/mm2 | Se aplican las siguientes medidas: |
| Intensidad de compresión | 30000 kgf/mm2 | 20000 kgf/mm2 | 20000 kgf/mm2 | 23000 kgf/mm2 |
| Propiedades térmicas | ||||
| Temperatura máxima de funcionamiento | 1500 °C | 1600 °C | 1300°C | 1400°C |
| Coeficiente de expansión térmica (0-1000°C) | 8.0×10−6/°C | 4.1×10−6/°C (0-500°C) 5.2×10−6/°C (500-1000°C) |
9.5×10−6/°C | 2.0×10−6/°C (0-500°C) 4.0×10−6/°C (500-1000°C) |
| Resistencia al choque térmico | 200 °C | 250 °C | 300 °C | 400 a 500 °C |
| Conductividad térmica | 31 W/m·K (25°C) 16 W/m·K (300°C) |
100 W/m·K (25°C) El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
3 W/m·K (25°C) 3 W/m·K (300°C) |
25 W/m·K (25°C) 25 W/m·K (300°C) |
| Propiedades eléctricas | ||||
| Resistencia (volumen) | > 1012 Ω·cm (20°C) 1012-1013 Ω·cm (100 °C) > 1012 Ω·cm (300°C) |
106-108 Ω·cm (20°C) | > 1010 Ω·cm (20°C) | > 1011 Ω·cm (20°C) > 1011 Ω·cm (100 °C) > 1011 Ω·cm (300°C) |
| Intensidad de ruptura del aislamiento | Se aplican las siguientes condiciones: | el semiconductor | 9 kV/mm | 17.7 kV/mm |
| Constante dieléctrica (1 MHz) | 10 (E) | - | 29 | 7 |
| Dissipación dieléctrica | 0.4×10−3 (tg o) | - | - | - |
Persona de Contacto: Ms. Yuki
Teléfono: 8615517781293