logo
Chào mừng đến Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd
8616602956098
Nhà / các sản phẩm / Linh kiện gốm Alumina / Các chất nền gốm dẫn nhiệt cao với độ bền uốn cong đặc biệt và các chất nền nhôm hiệu quả về chi phí
Chất lượng Các chất nền gốm dẫn nhiệt cao với độ bền uốn cong đặc biệt và các chất nền nhôm hiệu quả về chi phí Nhà máy
Chất lượng Các chất nền gốm dẫn nhiệt cao với độ bền uốn cong đặc biệt và các chất nền nhôm hiệu quả về chi phí Nhà máy
Chất lượng Các chất nền gốm dẫn nhiệt cao với độ bền uốn cong đặc biệt và các chất nền nhôm hiệu quả về chi phí Nhà máy
Chất lượng Các chất nền gốm dẫn nhiệt cao với độ bền uốn cong đặc biệt và các chất nền nhôm hiệu quả về chi phí Nhà máy
Chất lượng Các chất nền gốm dẫn nhiệt cao với độ bền uốn cong đặc biệt và các chất nền nhôm hiệu quả về chi phí Nhà máy
Chất lượng Các chất nền gốm dẫn nhiệt cao với độ bền uốn cong đặc biệt và các chất nền nhôm hiệu quả về chi phí Nhà máy

Các chất nền gốm dẫn nhiệt cao với độ bền uốn cong đặc biệt và các chất nền nhôm hiệu quả về chi phí

Thuộc tính cơ bản
Nơi xuất xứ: Trung Quốc
Tên thương hiệu: KEGU
Số mô hình: Có thể tùy chỉnh
Giao dịch Bất động sản
Giá: 200-500 yuan/kg
Điều khoản thanh toán: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Khả năng cung cấp: 2.000 chiếc / tháng
Thẻ

Hộp lọc silicate nhôm Dòng chảy trơn tru

Hộp lọc silicate nhôm Không có sưởi ấm trước

Các bộ phận gốm alumina
Tóm tắt sản phẩm
Các chất nền gốm tiên tiến: Alumina (Al2O3), Aluminium Nitride (AlN) & Silicon Nitride (Si3N4) cho điện tử Các chất nền gốm được thiết kế tạo thành nền tảng của các hệ thống điện tử hiện đại.Alumina (Al2O3), Aluminium Nitride (AlN) và Silicon Nitride (Si3N4)cung cấp sự kết hợp độc đáo về tính chất ...

Chi tiết sản phẩm

Làm nổi bật:

Đế gốm Alumina

,

Các chất nền của nhôm nitride

,

Các chất nền gốm nitrure silicon
Material: Sic
Composition:SiC: ＞85%
Color: Đen
Density: ≥3,65g/cm3
Max. Service Temp: 1380
Flexural Strength: 250MPa
Hardness: ≥84hra
Water Absorption: ≤0,2%
Abrasion: <0,02%
Bending Strength: ≥290MPa
Mô tả sản phẩm
Các chất nền gốm tiên tiến: Alumina (Al2O3), Aluminium Nitride (AlN) & Silicon Nitride (Si3N4) cho điện tử
Các chất nền gốm được thiết kế tạo thành nền tảng của các hệ thống điện tử hiện đại.Alumina (Al2O3), Aluminium Nitride (AlN) và Silicon Nitride (Si3N4)cung cấp sự kết hợp độc đáo về tính chất nhiệt, cơ học và điện, làm cho chúng trở nên không thể thiếu trong các ứng dụng điện tử công suất, RF / vi sóng và LED.
So sánh tài sản vật chất
Tài sản Al2O3 96% Al2O3 99,6% AlN Si3N4
Mật độ bề ngoài (g/cm3) 3.7-3.8 3.8-3.9 3.3 3.5
Độ cứng Vickers (GPa) 16 21 11 15
Sức mạnh uốn cong (MPa) 500 400 320 750
Mô đun đàn hồi (GPa) 340 350 320 300
Khả năng dẫn nhiệt (W/m*K) 24 28 180 55
CTE (10−6/K) 6.8-8.0 6.8-8.5 4.7-5.6 2.7
Sức mạnh điện đệm (kV/mm) 15 10 16 36
Kháng thể tích (Ω*m) >1012 >1012 >1012 >1012
Hằng số dielectric 9.8 9.9 8.9 8.5
Hướng dẫn lựa chọn vật liệu
1. Alumina (Al2O3) Substrate - Tiêu chuẩn hiệu quả về chi phí
Alumina cung cấp sự cân bằng tối ưu về hiệu suất và giá cả phải chăng, làm cho nó trở thành vật liệu nền gốm được sử dụng rộng rãi nhất.
  • Ưu điểm chính:
    • Tốt lắm.chi phí đối với hiệu suấttỷ lệ
    • Độ bền cơ học cao và cách điện
    • Sự ổn định nhiệt tốt và kháng hóa chất
  • Ứng dụng điển hình:
    • Tiêu chuẩnmạch phim dày và phim mỏng
    • Các yếu tố sưởi ấm, cảm biến và cơ sở kháng cự
    • Bức chắn RFvà các thành phần cách nhiệt chung
  • Tùy chỉnh:Có sẵn trong độ tinh khiết 96% đến 99,7%; độ dày từ 0,25mm; bề mặt từ đất đến đánh bóng; khả năng kim loại hóa đầy đủ và hình dạng phức tạp.
2. Các chất nền Aluminium Nitride (AlN) - Hiệu suất nhiệt cao
Aluminum Nitride là sự lựa chọn hàng đầu cho quản lý nhiệt trong các ứng dụng mật độ công suất cao, cung cấp độ dẫn nhiệt cạnh tranh với beryllium oxide mà không có mối quan tâm về độc tính liên quan.
  • Ưu điểm chính:
    • Độ dẫn nhiệt rất cao (180 W/m*K)
    • Tính chất cách điện tuyệt vời
    • Tỷ lệ mở rộng nhiệt thấp phù hợp với silicon
  • Các ứng dụng quan trọng:
    • Đèn LED công suất caomảng vàlaser diodengười mang
    • Transistor Bipolar Gate cách nhiệt (IGBT)mô-đun
    • Các mạch tích hợp vi sóngvà các gói tần số cao
  • Xử lý:Tương thích với kim loại hóa màng dày và màng mỏng; có sẵn với bề mặt đánh bóng để tạo mẫu đường mỏng.
3. Silicon Nitride (Si3N4) Substrate - Độ tin cậy cơ học cực kỳ
Silicon Nitride xuất sắc trong các ứng dụng đòi hỏi khả năng chống gãy đặc biệt, khả năng sống sót do sốc nhiệt và ổn định cơ học lâu dài trong điều kiện khắc nghiệt.
  • Ưu điểm chính:
    • Độ bền uốn cong đặc biệt (750 MPa)
    • Tối caochống sốc nhiệt
    • Độ bền gãy vượt trội và chống mòn
  • Ứng dụng đòi hỏi:
    • Ô tô và hàng không vũ trụCác mô-đun điện
    • Các thành phần chochân không sâuvàrung động caomôi trường
    • Các chất nền siêu mỏng(tới 0,3mm) đòi hỏi sự toàn vẹn cấu trúc cao
Tìm đúng chất nền cho ứng dụng của bạn
  • Ưu tiên quản lý nhiệt?→ ChọnAluminium Nitride (AlN)
  • Cân bằng hiệu suất và ngân sách?→ ChọnAlumina (Al2O3)
  • Cần độ bền cơ khí tối đa?→ Xác địnhSilicon Nitride (Si3N4)
Cần tư vấn kỹ thuật không?Đội ngũ kỹ sư của chúng tôi có thể giúp bạn lựa chọn vật liệu nhựa nhựa tối ưu và các tùy chọn chế biến cho cụ thểmạch điện tử, quản lý nhiệt hoặc ứng dụng độ tin cậy cao.

Miss. Scarlett.S

Deputy Head of Foreign Trade Department

Sản phẩm liên quan

Gửi Yêu Cầu