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Barre en carbure de silicium (SiC) pour éléments chauffants, 1200°C, pour l'industrie électronique

Examens de client
NGK apprécie son partenariat de longue date avec Shaanxi Kegu. Leurs céramiques SSiC excellent en qualité et en innovation, ce qui favorise notre succès mutuel. Continuons à collaborer !

—— NGK Thermal Technology Co.,Ltd

Chez Huike, nous sommes fiers de notre partenariat de longue date avec Shaanxi Kegu New Material Technology Co., Ltd., une collaboration basée sur la confiance, l'innovation et l'excellence partagée.Leur expertise en céramique SSiC et leurs solutions fiables ont toujours soutenu nos projets.

—— La société Suzhou Huike Technology Co., Ltd. est une société de technologie

Chez Keda, nous apprécions grandement notre partenariat de longue date avec la société Shaanxi Kegu New Material Technology Co., Ltd.Leurs solutions de céramique SSiC de haute qualité ont été intégrées à nos projets et nous attendons avec impatience une collaboration continue et un succès partagé..

—— Le groupe Keda Industrial Group Co., Ltd.

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Barre en carbure de silicium (SiC) pour éléments chauffants, 1200°C, pour l'industrie électronique

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Image Grand :  Barre en carbure de silicium (SiC) pour éléments chauffants, 1200°C, pour l'industrie électronique

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: KEGU
Numéro de modèle: Personnalisable
Conditions de paiement et expédition:
Prix: 200-500 yuan/kg
Détails d'emballage: Boîte en bois solide pour le transport maritime mondial
Conditions de paiement: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 2 000 PCs/mois

Barre en carbure de silicium (SiC) pour éléments chauffants, 1200°C, pour l'industrie électronique

description de
Matériel: - Je vous en prie. Composition: SiC: > 85%
Couleur: Noir Densité: 2.5~2.6g/cm³
Température de fonctionnement maximale: 1380℃ Résistance à la flexion: 70 à 90 MPa
Taille: Personnalisé Conduction de chaleur: 23.26 W/m·°C
Résistance: 1000 ‰ 2000 Ω·mm2/m Résistance à la traction: 39.2~49 MPa
Temp. de service max.: 1500℃ Coefficient de dilatation thermique linéaire (20 à 1500°C): 5 × 10−6/°C
Résistance électrique: 1000 à 2000Ω·mm2/m
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Industrie électronique

Éléments de chauffage pour l'industrie électronique

Définition
Les points forts:

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Description du produit
Barre en carbure de silicium (SiC) pour éléments chauffants, 1200°C, pour l'industrie électronique 0
Barres de silicium au carbonesont fabriqués à partir de carbure de silicium hexagonal vert de haute pureté comme matière première principale, transformés en blancs selon un certain rapport de matière,et frotté à 2200°C par siliconisation à haute température, recristallisation pour la fabrication d'éléments électriques de chauffage à haute température non métalliques en forme de tige ou tubulaireLa température normale de fonctionnement dans une atmosphère oxydante peut atteindre 1450°C et l'utilisation continue peut atteindre 2000 heures.
Barre en carbure de silicium (SiC) pour éléments chauffants, 1200°C, pour l'industrie électronique 1
Paramètres techniques
Nom
MoSi2 élément chauffant
Forme
Dantels, en U, en W et autres formes spéciales
Température utilisée
Jusqu'à 1800 °C
Processus de production
Il est transformé en blanc, silicifié à haute température et recristallisé.
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Contrôle de la qualité:Barre en carbure de silicium (SiC) pour éléments chauffants, 1200°C, pour l'industrie électronique 6

Coordonnées
Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd

Personne à contacter: Ms. Yuki

Téléphone: 8615517781293

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