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उत्पाद विवरण:
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| सामग्री: | सिक | रचना: sic: | ＞ 85% |
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| रंग: | काला | घनत्व: | 2.6 ~ 2.8g/cm¯ |
| अधिकतम। सेवा अस्थायी: | 1500 ℃ | आकार: | स्वनिर्धारित |
| तन्यता ताकत: | > 150 किग्रा/सेमी 2 | रैखिक विस्तार गुणांक (20-1500 ℃): | 5.2 × 10⁻⁶/℃ |
| झुकने की शक्ति: | >300 किग्रा | चमक: | 0.85 |
| सरंध्रता दर: | <30% | कठोरता: | > 9MOH |
| गर्मी चालकता: | 10 ~ 14kcal/m hr ℃ | ||
| प्रमुखता देना: | औद्योगिक हीटिंग तत्व,औद्योगिक एसआईसी हीटर तत्व,एड टाइप हीटिंग तत्व |
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ED श्रृंखला समान व्यास सिलिकॉन कार्बाइड रॉड उच्च-प्रदर्शन गैर-धातु ताप तत्वों की अगली पीढ़ी का प्रतिनिधित्व करती है। उन्नत प्रसंस्करण, उच्च तापमान सिलिकिफिकेशन और पुन: क्रिस्टलीकरण तकनीक के माध्यम से प्रीमियम ग्रीन सिलिकॉन कार्बाइड से निर्मित, इन ताप तत्वों में एक क्रांतिकारी समान व्यास डिजाइन है जो पारंपरिक मोटी-अंत विन्यास को समाप्त करता है।
नवीन समान-व्यास संरचना प्रदान करती है 30% कम अंत प्रतिरोध पारंपरिक सिलिकॉन कार्बाइड रॉड की तुलना में, थर्मल तनाव सांद्रता को नाटकीय रूप से कम करता है और सेवा जीवन को 40% तक बढ़ाता है। तापमान तक निरंतर संचालन के लिए रेट किया गया 1500°C, ये ताप तत्व असाधारण ऊर्जा दक्षता प्रदान करते हैं 15-20% बिजली की बचत पारंपरिक डिजाइनों पर।
समान व्यास डिजाइन: प्रतिरोध एकाग्रता बिंदुओं को समाप्त करता है
बढ़ी हुई स्थायित्व: पारंपरिक SiC रॉड की तुलना में 40% लंबा सेवा जीवन
बेहतर ऊर्जा दक्षता: 15-20% कम बिजली की खपत
उच्च तापमान प्रदर्शन: 1450 डिग्री सेल्सियस तक विश्वसनीय संचालन
घटा हुआ थर्मल तनाव: यहां तक कि गर्मी वितरण विफलता बिंदुओं को कम करता है
त्वरित थर्मल प्रतिक्रिया: अनुकूलित गर्मी हस्तांतरण विशेषताएं
तकनीकी विनिर्देश
अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान: 1500 डिग्री सेल्सियस
व्यास रेंज: मानक और कस्टम आकार उपलब्ध हैं
बिजली की बचत: पारंपरिक SiC रॉड की तुलना में 15-20%
अंत प्रतिरोध: पारंपरिक डिजाइनों की तुलना में 30% कम
जीवन प्रत्याशा: 40% लंबा परिचालन जीवनकाल
ये उन्नत ताप तत्व विशेष रूप से औद्योगिक भट्टियों के लिए इंजीनियर हैं जिन्हें सटीक तापमान नियंत्रण, सुसंगत प्रदर्शन और कम परिचालन लागत की आवश्यकता होती है। ED श्रृंखला अधिकांश मौजूदा भट्टी डिजाइनों के साथ संगत है और ऑक्सीकरण और अक्रिय दोनों वातावरण में बेहतर प्रदर्शन प्रदान करती है।
| विशिष्ट गुरुत्व | 2.6-2.8 ग्राम/सेमी3 | झुकने की ताकत | >300 किग्रा |
| कठोरता | >9 MOH'S | तन्य शक्ति | >150 किग्रा/सेमी3 |
| सरंध्रता दर | <30% | थर्मल विकिरण | 0.85 |
SiC ताप तत्वों के तापमान-निर्भर गुण
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तापमान (℃) |
रैखिक विस्तार गुणांक (10-6मी/℃) |
थर्मल चालकता (kcal/Mgr ℃) |
विशिष्ट ऊष्मा (cal/g ℃) |
| 0 | / | / | 0.148 |
| 300 | 3.8 | / | / |
| 400 | / | / | 0.255 |
| 600 | 4.3 | 14-18 | / |
| 800 | / | / | 0.294 |
| 900 | 4.5 | / | / |
| 1100 | / | 12-16 | / |
| 1200 | 4.8 | / | 0.325 |
| 1300 | / | 10-14 | / |
| 1500 | 5.2 | / | / |
| वातावरण | भट्टी का तापमान (℃) |
सतह लोड (W/cm2) |
तत्व पर प्रभाव | समाधान |
| अमोनिया | 1290 | 3.8 | SiO बनाने के लिए SiC पर अभिनय2 सुरक्षात्मक फिल्म | ओस बिंदु पर सक्रिय |
| CO2 | 1450 | 3.1 | तत्वों का क्षरण | क्वार्ट्ज ट्यूब द्वारा सुरक्षा |
| ट्यूब18%CO | 1500 | 4.0 | कोई कार्रवाई नहीं | |
| 20%CO | 1370 | 3.8 | SiO पर कार्य करने के लिए C अनाज को सोखना2 सुरक्षात्मक फिल्म | |
| हैलोजन | 704 | 3.8 | SiC पर हमला करना और SiO को कम करना2 सुरक्षात्मक फिल्म | क्वार्ट्ज ट्यूब द्वारा सुरक्षा |
| हाइड्रोकार्बन | 1310 | 3.1 | C अनाज को सोखना गर्म प्रदूषण का कारण बनता है | पर्याप्त हवा भरना |
| हाइड्रोजन | 1290 | 3.1 | SiO बनाने के लिए SiC पर अभिनय2 सुरक्षात्मक फिल्म | ओस बिंदु पर सक्रिय |
| मेथेन | 1370 | 3.1 | C अनाज को सोखना गर्म प्रदूषण का कारण बनता है | |
| N | 1370 | 3.1 | SiC के साथ अभिनय SiN इन्सुलेटिंग परत बनाता है | |
| Na | 1310 | 3.8 | तत्वों का क्षरण | क्वार्ट्ज ट्यूब द्वारा सुरक्षा |
| SO2 | 1310 | 3.8 | तत्वों का क्षरण | क्वार्ट्ज ट्यूब द्वारा सुरक्षा |
| वैक्यूम एटमोस्फियर | 1204 | 3.8 | ||
| ऑक्सीजन | 1310 | 3.8 | SiC ऑक्सीकृत है | |
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पानी (विभिन्न सामग्री) |
1090~1370 | 3.1~3.6 | SiC पर अभिनय सिलिकॉन का हाइड्रेट बनाता है |
औद्योगिक अनुप्रयोग:
चुंबकीय सामग्री प्रसंस्करण और गर्मी उपचार
पाउडर धातु विज्ञान सिंटरिंग भट्टियां
तकनीकी सिरेमिक उत्पादन भट्टियां
कांच पिघलने और प्रसंस्करण उपकरण
धातुकर्म गर्मी उपचार भट्टियां
औद्योगिक प्रयोगशाला हीटिंग सिस्टम
अर्धचालक विनिर्माण उपकरण
व्यक्ति से संपर्क करें: Ms. Yuki
दूरभाष: 8615517781293
