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EDシリーズ等径SiC発熱体 - 低抵抗、高効率、工業炉用エレメント

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中国 Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd 認証
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顧客の検討
NGKは、陝西科谷との長年のパートナーシップを高く評価しています。彼らのSSiCセラミックスは品質と革新性に優れており、私たちの相互の成功を牽引しています。今後も協力関係を継続しましょう!

—— NGKサーマルテクノロジー株式会社

ハイケでは,信頼,革新,共同卓越性に基づいた長年の協力関係,山西ケグ新材料技術株式会社と 誇りを持っています.SSiCセラミクスの専門知識と信頼性の高いソリューションは,一貫して私たちのプロジェクトを支援しています.

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私たちは,ケダで,山西ケグ新材料技術株式会社との長年のパートナーシップを非常に評価しています.彼らの高品質のSSiCセラミックソリューションは 私たちのプロジェクトに不可欠なものであり, 我々は継続的な協力と共通の成功を期待しています.

—— ケダ・インダストリアル・グループ株式会社

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EDシリーズ等径SiC発熱体 - 低抵抗、高効率、工業炉用エレメント

ED Series Equal Diameter Silicon Carbide Heating Rods - Low Resistance, High Efficiency Elements for Industrial Furnaces
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大画像 :  EDシリーズ等径SiC発熱体 - 低抵抗、高効率、工業炉用エレメント

商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: KEGU
モデル番号: カスタマイズ可能
お支払配送条件:
価格: 200-500 yuan/kg
パッケージの詳細: 強力な木製の箱 グローバル輸送のために
支払条件: 信用状、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
供給の能力: 2,000 PC/月

EDシリーズ等径SiC発熱体 - 低抵抗、高効率、工業炉用エレメント

説明
材料: sic 作曲:sic: >85%
色: 密度: 2.6〜2.8g/cm³
マックス。サービス温度: 1500℃ サイズ: カスタマイズ
抗張力: > 150kg/cm2 線形膨張係数係数(20-1500℃): 5.2×10⁻⁶/℃
くねりの強さ: >300kg 放射状: 0.85
気孔率率: <30% 硬度: > 9moh's
熱伝導率: 10〜14kcal/m hr℃
ハイライト:

工業用発熱体

,

工業用sicヒーターエレメント

,

ed型発熱体

記述

EDシリーズの同じ直径のシリコンカービッド棒は,次世代の高性能の非金属的な加熱要素を表しています.高級グリーン・シリコン・カービッドから先端加工で製造高温シリシ化と再結晶化技術により,これらの加熱エレメントは,伝統的な厚い端の構成を排除する革命的な均質直径設計を特徴としています.

革新的な同直径構造により30% 下端抵抗常规のシリコンカービッド棒と比較して,熱ストレス濃度を劇的に削減し,使用寿命を最大40%延長します.1500°Cこの暖房エレメントは15-20% の 電力 節約伝統的なデザインよりも

主要 な 特徴 と 利点

  • 均一直径設計:抵抗の集中点を排除する

  • 耐久性が向上する従来のSiC棒よりも 40%長寿命

  • 優れたエネルギー効率:電力消費量を15~20%削減

  • 高温性能:1450°Cまで信頼性の高い動作

  • 熱圧を減らす熱の分布でさえ 障害点を最小限に抑える

  • 迅速な熱反応熱伝達性能を最適化

テクニカル仕様

  • 最大動作温度:1500°C

  • 直径範囲:標準サイズとカスタムサイズ

  • 電力節約: 従来のSiC棒と比較して15~20%

  • エンド抵抗:従来の設計より30%低い

  • 寿命: 運用寿命が40%延長

これらの高度な加熱要素は,正確な温度制御,一貫した性能,低コストの運用を必要とする産業用炉のために特別に設計されています.EDシリーズは,既存の炉のほとんどの設計と互換性があり,酸化と惰性の両方の大気の中で優れた性能を提供します.

物理的特性SiC 熱電池

特殊重力 2.6-2.8g/cm3 曲がる強さ >300kg
ハードネ >9 MOH'S 張力強度 >150kg/cm3
孔隙率 <30% 熱放射線 0.85


SiCヒートエレメントの温度依存特性


温度

(°C)

線形膨張係数

(10-6m/°C)

熱伝導性

(kcal/Mgr °C)

特定熱量

(cal/g °C)

0 / / 0.148
300 3.8 / /
400 / / 0.255
600 4.3 14 - 18 /
800 / / 0.294
900 4.5 / /
1100 / 12から16 /
1200 4.8 / 0.325
1300 / 10〜14 /
1500 5.2 / /


SiCヒートエレメントの温度と表面負荷評価は,大気による

大気圏 オーブンの温度 ((°C)

表面負荷

(W/cm)2)

元素への影響 解決策
アモニア 1290 3.8 SiOを減少させる.2保護フィルム 露点では活性
CO2 1450 3.1 元素の侵食 クォーツチューブによる保護
チューブ18%CO 1500 4.0 行動なし
20%CO 1370 3.8 C粒を吸収して SiO に作用する2保護フィルム
ハロゲン 704 3.8 SiCを攻撃し,SiOを減少させる2保護フィルム クォーツチューブによる保護
炭水化物 1310 3.1 吸収するC粒子は熱汚染を引き起こす 十分な空気で満たす
水素 1290 3.1 SiOを減少させる.2保護フィルム 露点では活性
メンタン 1370 3.1 吸収するC粒子は熱汚染を引き起こす
N 1370 3.1 SiCと作用し,SiN隔熱層を形成する
ほら 1310 3.8 元素の侵食 クォーツチューブによる保護
SO2 1310 3.8 元素の侵食 クォーツチューブによる保護
真空大気圏 1204 3.8

酸素 1310 3.8 SiCは酸化している

(内容が違う)

1090~1370年 3.1~36 SiC に作用し,シリコンヒド酸を形成する

工業用:

  • 磁気材料の加工と熱処理

  • パウダーメタルジーのシンタリングオーブン

  • 技術陶器の生産炉

  • ガラスの溶融と加工装置

  • 金属加工用熱処理炉

  • 産業用実験室の暖房システム

  • 半導体製造機器


連絡先の詳細
Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd

コンタクトパーソン: Ms. Yuki

電話番号: 8615517781293

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