Detail produk:
|
Bahan: | SIC | Komposisi: sic: | >98% |
---|---|---|---|
Warna: | Hitam | Kepadatan: | > 3.05g/cm3 |
Max. Layanan Temp: | 1650°C | Kekuatan Lentur: | 380Mpa |
Menyoroti: | Icp Etching Wafer Holder Sic Plate,Wafer Holder Plat Karbida Silikon,Led Industri Sic Plate |
Tray Silicon Carbide (SiC) atau piring yang digunakan sebagai wadah wafer untuk proses etching ICP di industri LED.
Karbida silikon (SiC) memiliki konduktivitas termal yang sangat baik, ketahanan korosi, dan dengan ekspansi termal yang rendah.Tray silikon karbida memiliki ketahanan korosi yang sangat baik, ketahanan haus yang besar, kekuatan mekanik yang besar di bawah suhu tinggi. kami memasok banyak ukuran baki silikon karbida serta produk SiC lainnya.
Rumus senyawa | SiC |
Berat Molekul | 40.1 |
Penampilan | Hitam |
Titik Peleburan | 2,730° C (4,946° F) (meluruh) |
Kepadatan | 30,0 sampai 3,2 g/cm3 |
Resistensi Listrik | 1 sampai 4 10x Ω-m |
Rasio Poisson | 0.15 untuk 0.21 |
Panas spesifik | 670 sampai 1180 J/kg-K |
Jenis | SiC yang dikristalkan kembali | Sinter SiC | SiC yang terikat reaksi |
Kemurnian Karbida Silikon | 990,5% | 98% | > 88% |
Max. Temp Kerja. (`C) | 1650 | 1550 | 1300 |
Densitas bulk (g/cm3) | 2.7 | 3.1 | >3 |
Penampilan Porositas | < 15% | 2.5 | 0.1 |
Kekuatan lentur (MPa) | 110 | 400 | 380 |
Kekuatan kompresi (MPa) | > 300 | 2200 | 2100 |
Ekspansi termal (10^-6/`C) | 4.6 (1200 ̊C) | 4.0 (< 500 ̊C) | 4.4 (< 500 ̊C) |
Konduktivitas termal (W/m.K) | 35 ~ 36 | 110 | 65 |
Karakteristik utama | Suhu tinggi, ketahanan tinggi. Kemurnian tinggi |
Kekuatan fraktur | Resistensi Kimia |
Kontak Person: Ms. Yuki
Tel: 8615517781293