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Casa Prodotticeramiche a carburo di silicio

Porta wafer per incisione ICP Carburo di silicio Piastra Sic nell'industria dei LED

Rassegne del cliente
NGK apprezza la nostra partnership di lunga data con Shaanxi Kegu. Le loro ceramiche SSiC eccellono per qualità e innovazione, guidando il nostro reciproco successo.

—— NGK Thermal Technology Co.,Ltd

In Huike, siamo orgogliosi della nostra lunga collaborazione con Shaanxi Kegu New Material Technology Co., Ltd., una collaborazione basata sulla fiducia, l'innovazione e l'eccellenza condivisa. La loro competenza nelle ceramiche SSiC e le soluzioni affidabili hanno costantemente supportato i nostri progetti.

—— SuzhouHuike Technology Co.,Ltd

Noi di Keda apprezziamo molto la nostra partnership di lunga data con la Shaanxi Kegu New Material Technology Co., Ltd.Le loro soluzioni ceramiche SSiC di alta qualità sono state parte integrante dei nostri progetti e ci auguriamo una continua collaborazione e un successo condiviso..

—— Keda Industrial Group Co., Ltd.

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Porta wafer per incisione ICP Carburo di silicio Piastra Sic nell'industria dei LED

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Grande immagine :  Porta wafer per incisione ICP Carburo di silicio Piastra Sic nell'industria dei LED

Dettagli:
Luogo di origine: Cina
Marca: KeGu
Numero di modello: Personalizzabile
Termini di pagamento e spedizione:
Prezzo: 200-500 yuan/kg
Imballaggi particolari: Casella di legno resistente per il trasporto globale
Termini di pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union,MoneyGram
Capacità di alimentazione: 2.000 pc/mese

Porta wafer per incisione ICP Carburo di silicio Piastra Sic nell'industria dei LED

descrizione
Materiale: Sic Composizione: SiC: > 98%
Colore: Nero Densità: > 3,05 g/cm3
Temperatura di servizio massima: 1650°C Forza flessibile: 380 MPa
Evidenziare:

Porta wafer Sic per incisione ICP

,

Piastra in carburo di silicio per porta wafer

,

Piastra Sic per l'industria dei LED

Vassoi o piastre in carburo di silicio (sic) come supporto per wafer per il processo di incisione ICP nell'industria LED

 

Descrizione:

Vassoi o piastre in carburo di silicio (SiC) utilizzati come supporto per wafer per il processo di incisione ICP nell'industria LED.

Il carburo di silicio (SiC) ha un'eccellente conducibilità termica, resistenza alla corrosione e una bassa espansione termica. Il carburo di silicio è un materiale eccellente per anelli di tenuta e cuscinetti. I vassoi in carburo di silicio hanno un'eccellente resistenza alla corrosione, un'elevata resistenza all'usura e un'elevata resistenza meccanica alle alte temperature. Forniamo molte dimensioni di vassoi in carburo di silicio, così come altri prodotti in SiC.
 

Proprietà dei vassoi in carburo di silicio: 

Formula chimica SiC
Peso molecolare 40.1
Aspetto Nero
Punto di fusione 2.730° C (4.946° F) (si decompone)
Densità Da 3.0 a 3.2 g/cm3
Resistività elettrica Da 1 a 4 10x Ω-m
Coefficiente di Poisson Da 0.15 a 0.21
Calore specifico Da 670 a 1180 J/kg-K

 


Specifiche dei vassoi in carburo di silicio: 

Tipo SiC ricristallizzato SiC sinterizzato SiC legato per reazione
Purezza del carburo di silicio 99.5% 98% >88%
Temperatura massima di esercizio (`C) 1650 1550 1300
Densità apparente (g/cm3) 2.7 3.1 >3
Porosità apparente <15% 2.5 0.1
Resistenza alla flessione (MPa) 110 400 380
Resistenza alla compressione (MPa) >300 2200 2100
Espansione termica (10^-6/`C) 4.6 (1200`C) 4.0 (<500`C) 4.4 (<500`C)
Conducibilità termica (W/m.K) 35~36 110 65
Caratteristiche principali Alta temperatura. Alta resistenza.
Elevata purezza
Resistenza alla frattura Resistenza chimica


Requisiti:

  1. Eccellente conducibilità termica
  2. Resistente agli shock da plasma
  3. Buona uniformità della temperatura


Applicazioni:
-Il carburo di silicio può essere applicato in settori come i semiconduttori e i rivestimenti.
-I nostri vassoi in carburo di silicio sono ampiamente utilizzati nell'industria LED.
 

Dettagli di contatto
Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd

Persona di contatto: Ms. Yuki

Telefono: 8615517781293

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