Dettagli:
|
Materiale: | Sic | Composizione: SiC: | > 98% |
---|---|---|---|
Colore: | Nero | Densità: | > 3,05 g/cm3 |
Temperatura di servizio massima: | 1650°C | Forza flessibile: | 380 MPa |
Evidenziare: | Porta wafer Sic per incisione ICP,Piastra in carburo di silicio per porta wafer,Piastra Sic per l'industria dei LED |
Vassoi o piastre in carburo di silicio (SiC) utilizzati come supporto per wafer per il processo di incisione ICP nell'industria LED.
Il carburo di silicio (SiC) ha un'eccellente conducibilità termica, resistenza alla corrosione e una bassa espansione termica. Il carburo di silicio è un materiale eccellente per anelli di tenuta e cuscinetti. I vassoi in carburo di silicio hanno un'eccellente resistenza alla corrosione, un'elevata resistenza all'usura e un'elevata resistenza meccanica alle alte temperature. Forniamo molte dimensioni di vassoi in carburo di silicio, così come altri prodotti in SiC.
Formula chimica | SiC |
Peso molecolare | 40.1 |
Aspetto | Nero |
Punto di fusione | 2.730° C (4.946° F) (si decompone) |
Densità | Da 3.0 a 3.2 g/cm3 |
Resistività elettrica | Da 1 a 4 10x Ω-m |
Coefficiente di Poisson | Da 0.15 a 0.21 |
Calore specifico | Da 670 a 1180 J/kg-K |
Tipo | SiC ricristallizzato | SiC sinterizzato | SiC legato per reazione |
Purezza del carburo di silicio | 99.5% | 98% | >88% |
Temperatura massima di esercizio (`C) | 1650 | 1550 | 1300 |
Densità apparente (g/cm3) | 2.7 | 3.1 | >3 |
Porosità apparente | <15% | 2.5 | 0.1 |
Resistenza alla flessione (MPa) | 110 | 400 | 380 |
Resistenza alla compressione (MPa) | >300 | 2200 | 2100 |
Espansione termica (10^-6/`C) | 4.6 (1200`C) | 4.0 (<500`C) | 4.4 (<500`C) |
Conducibilità termica (W/m.K) | 35~36 | 110 | 65 |
Caratteristiche principali | Alta temperatura. Alta resistenza. Elevata purezza |
Resistenza alla frattura | Resistenza chimica |
Persona di contatto: Ms. Yuki
Telefono: 8615517781293