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Datos del producto:
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Material: | - ¿ Qué? | Composición: SiC: | > 98 por ciento |
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El color: | Negro | Densidad: | >3.05 g/cm³ |
Temperatura de servicio máxima: | 1650°C | Fuerza de flexión: | de la clase 1 |
Resaltar: | Placa SiC para porta obleas de grabado ICP,Placa de carburo de silicio para porta obleas,Placa SiC para la industria LED |
Tableros o placas de carburo de silicio (SiC) utilizados como soporte de obleas para el proceso de grabado ICP en la industria LED.
El carburo de silicio (SiC) es un material con excelente conductividad térmica, resistencia a la corrosión y baja expansión térmica.Las bandejas de carburo de silicio tienen una excelente resistencia a la corrosión, gran resistencia al desgaste, gran resistencia mecánica bajo altas temperaturas. Suministramos muchos tamaños de bandejas de carburo de silicio, así como otros productos SiC.
Formulación compuesta | Seco |
Peso molecular | 40.1 |
Apariencia | Negro |
Punto de fusión | 2,730° C (4,946° F) (se descompone) |
Densidad | 3.0 a 3,2 g/cm3 |
Resistencia eléctrica | 1 a 4 10x Ω-m |
Relación de Poisson | 0.15 a 0.21 |
Calor específico | 670 a 1180 J/kg-K |
El tipo | SiC recristalizado | SiC sinterizado | SiC enlazado por reacción |
Purificación del carburo de silicio | 990,5% | El 98% | > 88% |
Max. Temporada de trabajo. | 1650 | 1550 | 1300 |
Densidad a granel (g/cm3) | 2.7 | 3.1 | > 3 |
Apariencia Porosidad | < 15% | 2.5 | 0.1 |
Resistencia a la flexión (MPa) | 110 | 400 | 380 |
Resistencia a la compresión (MPa) | > 300 | 2200 | 2100 |
Expansión térmica (10^-6/`C) | 4.6 (1200 ̊C) | 4.0 (< 500 ̊C) | 4.4 (< 500 ̊C) |
Conductividad térmica (W/m.K) | 35 ~ 36 | 110 | 65 |
Principales características | Temperatura alta y alta resistencia. Alta pureza |
Durabilidad de la fractura | Resistencia química |
Persona de Contacto: Ms. Yuki
Teléfono: 8615517781293