Produktdetails:
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Material: | Siehe | Zusammensetzung: SiC: | > 98% |
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Farbe: | Schwarz | Dichte: | > 3,05 g/cm3 |
Max. Service Temp: | 1650°C | Flexuralstärke: | 380 MPa |
Hervorheben: | Icp-Ätz-Waferhalter Sic-Platte,Waferhalter Siliziumkarbid-Platte,LED-Industrie Sic-Platte |
Siliziumkarbid (SiC) Trays oder Platten, die als Waferhalter für den ICP-Ätzprozess in der LED-Industrie verwendet werden.
Siliziumkarbid (SiC) hat eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, Korrosionsbeständigkeit und eine geringe Wärmeausdehnung. Siliziumkarbid ist ein ausgezeichnetes Material für Dichtungsringe und Lager. Siliziumkarbid-Trays haben eine ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit, eine hohe Verschleißfestigkeit und eine hohe mechanische Festigkeit bei hohen Temperaturen. Wir liefern viele Größen von Siliziumkarbid-Trays sowie andere SiC-Produkte.
Chemische Formel | SiC |
Molekulargewicht | 40,1 |
Aussehen | Schwarz |
Schmelzpunkt | 2.730 °C (4.946 °F) (zersetzt sich) |
Dichte | 3,0 bis 3,2 g/cm3 |
Elektrischer Widerstand | 1 bis 4 10x Ω-m |
Poisson-Zahl | 0,15 bis 0,21 |
Spezifische Wärme | 670 bis 1180 J/kg-K |
Typ | Rekristallisiertes SiC | Gesintertes SiC | Reaktionsgebundenes SiC |
Reinheit von Siliziumkarbid | 99,5% | 98% | >88% |
Max. Arbeitstemperatur (°C) | 1650 | 1550 | 1300 |
Rohdichte (g/cm3) | 2,7 | 3,1 | >3 |
Aussehen Porosität | <15% | 2,5 | 0,1 |
Biegefestigkeit (MPa) | 110 | 400 | 380 |
Druckfestigkeit (MPa) | >300 | 2200 | 2100 |
Wärmeausdehnung (10^-6/°C) | 4,6 (1200°C) | 4,0 (<500°C) | 4,4 (<500°C) |
Wärmeleitfähigkeit (W/m.K) | 35~36 | 110 | 65 |
Haupteigenschaften | Hohe Temp. Hoher Widerstand. Hohe Reinheit |
Bruchzähigkeit | Chemische Beständigkeit |
Ansprechpartner: Ms. Yuki
Telefon: 8615517781293