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Dettagli:
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| Materiale: | Sic | Composizione:SiC: | >85% |
|---|---|---|---|
| colore: | Nero | Densità: | 2,5 ~ 2,6 g/cm³ |
| Massimo. Temp. di servizio: | 1380 ℃ | Resistenza alla flessione: | 70-90 MPA |
| Misurare: | Personalizzato | Conduzione del calore: | 23,26 W/(M · ℃) |
| Resistività: | 1000 ~ 2000 Ω · mm2/m | Resistenza alla trazione: | 39,2 ~ 49 MPA |
| Max. Temp di servizio.: | 1500 ℃ | Coefficiente di espansione termica lineare (20-1500 ℃): | 5 × 10⁻⁶/℃ |
| Resistività elettrica: | 1000 ~ 2000Ω · mm²/m | ||
| Evidenziare: | forno di riscaldamento a canna di carburo di silicio,Elementi di riscaldamento SiC a forma di U,Elementi di riscaldamento per forni sic |
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Gli elementi di riscaldamento a carburo di silicio (SiC) sono scaldabagni elettrici non metallici di alta qualità progettati per ambienti industriali estremi.Questi elementi forniscono un affidabile, prestazioni di lunga durata come fonte di riscaldamento primaria nei forni e forni industriali ad alta temperatura, operanti in un intervallo di600°C a 1500°C (1112°F a 2732°F).
Il tipo più versatile ed economico, adatto a una vasta gamma di atmosfere (aria o controllata).
È costituito da due barre SiC identiche (ciascuna con zona calda e estremità fredde) collegate da un ponte SiC a bassa resistenza, formando una robusta forma a "U".
Disponibile in SGC (Dumbbell) per l'installazione verticale e SGD (Standard) per l'installazione orizzontale.con una lunghezza massima di 20 mm o più, ma non superiore a 20 mm,.
Disponibile in configurazioni a singola spirale e a doppia spirale, formato da polvere di SiC di alto grado in forme a spirale per una superficie più ampia e una maggiore radiazione termica.
| Immobili | Valore | Immobili | Valore |
|---|---|---|---|
| Gravità specifica | 2.6 - 2,8 g/cm3 | Forza di piegatura | > 300 kg/cm2 |
| Durezza (Mohs) | > 9 | Resistenza alla trazione | > 150 kg/cm2 |
| Tasso di porosità | < 30% | Radianza (emissività) | 0.85 |
Critico per la durata degli elementi e la progettazione del forno:
| Atmosfera | Temperatura massima del forno (°C) | Carico superficiale (W/cm2) | Effetto sull'elemento SiC |
|---|---|---|---|
| Ossigeno / aria | 1310 | 3.8 | Forma uno strato protettivo di SiO2 (ossidazione normale) |
| Acido nitrico | 1370 | 3.1 | Può formare uno strato isolante di nitruro di silicio |
| Idrogeno | 1290 | 3.1 | Può produrre metano, danneggiando lo strato di SiO2 |
| Vapore acqueo | 1090-1370 | 3.1-3.6 | Può formare idrati di silicio |
| Monossido di carbonio | 1370 | 3.8 | Può depositare carbonio, influenzando le prestazioni |
| Gas alogenici | 704 | 3.8 | Corrosivo, distrugge lo strato protettivo |
| Ammonio | 1290 | 3.8 | Può produrre metano, danneggiando lo strato di SiO2 |
Una gestione adeguata garantisce prestazioni ottimali e longevità:
Combiniamo materie prime di prima qualità con un rigoroso controllo dei processi per fornire soluzioni di riscaldamento SiC affidabili e ad alte prestazioni.e la risoluzione dei problemi per massimizzare il tempo di funzionamento del forno e l' efficienza.
Contattateci oggi per le specifiche, preventivi personalizzati e supporto tecnico per le vostre esigenze di elementi di riscaldamento U-Type, W-Type o standard SiC.
Persona di contatto: Ms. Yuki
Telefono: 8615517781293