회사 소식 SSiC 대 반응 결합 SiC (RB-SiC): 고온에서 어떤 것이 더 나은 성능을 보일까요?

압력 없는 합성 실리콘 탄화물 (SSiC) 과 반응 결합 실리콘 탄화물 (RB-SiC) 은 모두 고온 산업에서 널리 사용됩니다.

그러나 그들의 성능은근본적인 구조적 차이.

RB-SiC는 자유 실리콘을 포함합니다.

고온 또는 부식성 환경에서는:

• 자유 Si는 먼저 산화됩니다.
• 자유 Si는 화학물질 (산 / 알칼리 / 리??) 과 반응합니다.
• 구조적 붕괴로 이어집니다.

SSiC는 이것을 완전히 피합니다.

• SSiC: ~ 1600°C까지 안정성
• RB-SiC: Si의 부드러움으로 인해 강도가 감소합니다.

• RB-SiC: 취약 (자유 Si)
• SSiC: 우수한 (밀도 + 순수 SiC)

• RB-SiC: 중간
• SSiC: 장기적으로 안정적

오븐 용품:

• RB-SiC → 변형 + 시간이 지남에 따라 부식
• SSiC → 안정적인 구조, 유지보수 용도가 낮다

SSiC를 사용할 때:

• 온도 > 1400°C
• 부식성 대기가 존재한다
• 긴 사용 기간이 필요합니다.

핵심적인 차이점은

자유 실리콘 대 밀집 SiC 구조

까다로운 환경에서는SSiC는 더 신뢰할 수 있는 선택입니다.