Le carbure de silicium sintré sans pression (SSiC) et le carbure de silicium lié par réaction (RB-SiC) sont tous deux largement utilisés dans les industries à haute température.
Cependant, leur performance diffère sensiblement en raison de laDifférences structurelles fondamentales.
| Matériel | Procédure | Caractéristique clé |
|---|---|---|
| Carbure de silicium lié par réaction (RB-SiC) | Infiltration de silicium | Il contient du Si libre (~10 ∼15%) |
| Carbure de silicium sintré sans pression (SSiC) | Sintration à l'état solide | Aucun Si libre, structure dense |
Le RB-SiC contient du silicium libre résiduel.
À haute température ou en milieu corrosif:
Le SSiC évite complètement cela.
Dans les applications au four:
Utiliser le SSiC lorsque:
La principale différence est:
La structure du silicium libre par rapport à la structure du silicium dense
Pour les environnements exigeants,Le SSiC est le choix le plus fiable.
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