tin tức công ty về SSiC so với SiC liên kết phản ứng (RB-SiC): Cái nào hoạt động tốt hơn ở nhiệt độ cao?

Sintered silicon carbide không áp suất (SSiC) và silicon carbide liên kết phản ứng (RB-SiC) đều được sử dụng rộng rãi trong các ngành công nghiệp nhiệt độ cao.

Tuy nhiên, hiệu suất của chúng khác nhau đáng kể doSự khác biệt cơ bản về cấu trúc.

RB-SiC chứa silic tự do dư thừa.

Ở nhiệt độ cao hoặc trong môi trường ăn mòn:

• Si tự do oxy hóa đầu tiên
• Si tự do phản ứng với hóa chất (ác / kiềm / lithium)
• Dẫn đến sự suy thoái cấu trúc

SSiC tránh hoàn toàn chuyện này.

• SSiC: Thường ổn định đến ~ 1600 °C
• RB-SiC: Sức mạnh giảm do Si mềm

• RB-SiC: dễ bị tổn thương (Si miễn phí)
• SSiC: Tốt (SiC dày đặc + tinh khiết)

• RB-SiC: Trung bình
• SSiC: ổn định lâu dài

Trong các ứng dụng lò:

• RB-SiC → biến dạng + ăn mòn theo thời gian
• SSiC → cấu trúc ổn định, bảo trì thấp hơn

Sử dụng SSiC khi:

• Nhiệt độ > 1400°C
• Không khí ăn mòn tồn tại
• Cần có tuổi thọ dài

Sự khác biệt chính là:

Silicon tự do so với cấu trúc SiC dày đặc

Đối với môi trường đòi hỏi,SSiC là sự lựa chọn đáng tin cậy hơn.