Onder drukloos gesinterd siliciumcarbide (SSiC) en reactie gebonden siliciumcarbide (RB-SiC) worden beide veel gebruikt in industrieën met hoge temperaturen.
Hun prestaties verschillen echter aanzienlijk vanwege:fundamentele structurele verschillen.
| Materiaal | Proces | Belangrijkste kenmerk |
|---|---|---|
| RB-SiC | Siliciuminfiltratie | Bevat vrij Si (~10 ∼15%) |
| SSiC | met een vermogen van niet meer dan 10 kW | Geen vrije Si, dichte structuur |
RB-SiC bevat restvrije silicium.
Bij hoge temperatuur of in corrosieve omgevingen:
SSiC vermijdt dit volledig.
In oventoepassingen:
Gebruik SSiC wanneer:
Het belangrijkste verschil is:
Vrij silicium versus dichte SiC-structuur
Voor veeleisende omgevingen,SSiC is de betrouwbaarder keuze.
Contactpersoon: Ms. Yuki
Tel.: 8615517781293