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환영합니다 Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd
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뛰어난 열 관리, 우수한 전기 절연 및 정밀 열팽창 일치를 갖춘 질화 알루미늄 세라믹 웨이퍼 취급 암

기본 특성
원산지: 중국
브랜드 이름: KEGU
모델 번호: 맞춤형
부동산 거래
최소 주문 수량: 협상 가능
가격: 협상 가능
지불 조건: L/C,D/A,D/P,T/T,웨스턴 유니온,MoneyGram
제품 요약
질화 알루미늄(AlN) 세라믹 웨이퍼 핸들링 암: 특성 및 응용 분야 완벽 가이드 요약: 반도체 응용 분야에서 질화 알루미늄을 사용하는 이유 질화 알루미늄(AlN)은 반도체 제조 장비, 특히 웨이퍼 핸들링 암에 대한 최고의 기술 세라믹 솔루션을 나타냅니다. 여기서 탁월한 열 관리와 우수한 전기 절연에 대한 동시 요구 사항은 기존 재료로는 충족될 수 없습니다. 이 포괄적인 가이드는 AlN을 첨단 반도체 제조 시설에서 필수적으로 만드는 기술 사양, 제조 공정 및 중요한 응용 분야를 탐구합니다. 기술적 특성: 질화 알루미늄 성능 사양 재...

제품 상세정보

강조하다:

질화 알루미늄 세라믹 웨이퍼 암

,

AlN 세라믹 취급 암

,

보증이 있는 세라믹 웨이퍼 암

Usage: 산업 사용
Chemical Composition: Al2O3, SiO2
Sic Content: 85%
Maximum Temperature: 1600 ℃
Characteristics: 높은 내마모성
Thermal Expansion Coefficient: 4.0-4.5 × 10^-6 /K
Material Composition: 4%Si >96%Sic
Working Temperature: 1650
Advantage: 마모 및 마모 저항
Purity: 98%
Material: 실리콘카바이드 세라믹
Acid Alkaline Proof: 훌륭한
Solubility: 불용성
Open Porosity: <0.1%
Flexural Strength: 350~550MPa
제품 설명
질화 알루미늄(AlN) 세라믹 웨이퍼 핸들링 암: 특성 및 응용 분야 완벽 가이드
요약: 반도체 응용 분야에서 질화 알루미늄을 사용하는 이유
질화 알루미늄(AlN)은 반도체 제조 장비, 특히 웨이퍼 핸들링 암에 대한 최고의 기술 세라믹 솔루션을 나타냅니다. 여기서 탁월한 열 관리우수한 전기 절연에 대한 동시 요구 사항은 기존 재료로는 충족될 수 없습니다. 이 포괄적인 가이드는 AlN을 첨단 반도체 제조 시설에서 필수적으로 만드는 기술 사양, 제조 공정 및 중요한 응용 분야를 탐구합니다.
기술적 특성: 질화 알루미늄 성능 사양
재료 기본
  • 화학적 조성: 질화 알루미늄(AlN)
  • 결정 구조: Wurtzite(육각형)
기계적 특성
특성 웨이퍼 핸들링의 중요성
밀도 3.2 gm/cc 경량 구조로 이동 질량 감소
경도 10.4 GPa 긴 수명을 위한 뛰어난 내마모성
탄성 계수 320 GPa 높은 강성으로 정밀한 위치 지정 보장
굽힘 강도 382 MPa 얇고 복잡한 형상을 위한 기계적 견고성
전기적 특성
특성 응용 분야 이점
체적 저항 1.4×10¹⁴ ohm-cm 완벽한 전기 절연으로 전류 누설 방지
유전 강도 18 kV/mm 반도체 공정에서 고전압 견딤
유전 상수 8.86 (@ 1MHz) 주파수 범위에서 안정적인 성능
열적 특성
특성 중요한 장점
열전도율 170 W/(m*K) 민감한 부품에서 빠른 열 발산
CTE(열팽창 계수) 4.6×10⁻⁶/°C 실리콘과 거의 일치(3.5-4×10⁻⁶/°C)
최대 작동 온도 900 °C 고온 반도체 공정에 적합
비열 용량 0.72×10³ J/(kg*K) 효율적인 열 응답
참고: 모든 특성은 실온에서 측정되었습니다. 상업용 AlN 세라믹의 대표적인 엔지니어링 데이터입니다.
반도체 웨이퍼 핸들링의 중요한 장점
1. 타의 추종을 불허하는 열 성능
AlN의 170 W/(m*K)의 열전도율은 고온 공정 중 웨이퍼에서 효율적인 열 발산을 가능하게 합니다. 이는 다음과 같은 응용 분야에서 열 손상을 방지하고 공정 안정성을 유지합니다.
  • 플라즈마 에칭 챔버
  • 화학 기상 증착
  • 급속 열처리
  • 고온 이온 주입
2. 우수한 전기 절연
AlN은 1.4×10¹⁴ Ω*cm의 체적 저항을 제공하여 다음과 같은 경우에 필수적인 절대적인 전기적 절연을 제공합니다.
  • 정전기 방전(ESD) 손상 방지
  • 고전압 환경에서 전류 누설 제거
  • 민감한 측정 장비에서 신호 무결성 유지
3. 정밀 열팽창 매칭
4.6×10⁻⁶/°C의 CTE는 실리콘 웨이퍼와 거의 일치하여 다음을 제공합니다.
  • 온도 사이클링 중 최소 열 응력
  • 웨이퍼 휨 및 파손 감소
  • 향상된 치수 안정성을 통한 공정 수율 향상
4. 정밀 응용 분야를 위한 기계적 우수성
  • 높은 강성(320 GPa 계수)는 확장된 웨이퍼 핸들링 암에서 최소한의 처짐을 보장합니다.
  • 우수한 경도(10.4 GPa)는 뛰어난 내마모성을 제공합니다.
  • 양호한 굽힘 강도(382 MPa)는 내구성이 뛰어난 얇은 벽 설계를 가능하게 합니다.
AlN 부품을 위한 첨단 제조 기술
건식 압착
  • 최적: 단순한 형상의 대량 생산
  • 장점: 비용 효율적이고 빠른 사이클 시간
  • 제한 사항: 중간 밀도 균일성
냉간 정수압 압착(CIP)
  • 최적: 높은 밀도가 필요한 복잡한 형상
  • 장점: 우수한 균일성, 향상된 기계적 특성
  • 고려 사항: 더 높은 툴링 비용
테이프 캐스팅
  • 최적: 얇은 기판 및 평면 구조
  • 장점: 우수한 표면 마감, 엄격한 두께 제어
  • 응용 분야: 히터 기판, 회로 베이스
사출 성형
  • 최적: 복잡한 형상의 대량 생산
  • 장점: 순형상 기능, 설계 유연성
  • 고려 사항: 더 높은 초기 툴링 투자
반도체 응용 분야: AlN이 뛰어난 곳
주요 응용 분야: 웨이퍼 핸들링 시스템
  • 웨이퍼 핸들링 암 및 엔드 이펙터
  • 로봇 블레이드 및 전송 모듈
  • 정밀 위치 지정 스테이지
  • 진공 챔버 부품
열 관리 솔루션
  • 전력 전자 장치용 세라믹 방열판
  • 측정 장비의 열 확산기
  • 균일한 온도 분포를 위한 히터 기판
전기 절연 부품
  • 고전압 절연체
  • 공정 챔버 라이너
  • RF 창 재료
  • 전기 피드스루
산업 4.0 통합 및 미래 동향
스마트 제조 호환성
AlN 부품은 통합 센서를 통한 고급 공정 모니터링과 스마트 팩토리 환경에서 실시간 열 관리를 가능하게 합니다.
차세대 반도체 요구 사항
반도체 기술이 더 작은 노드와 3D 아키텍처로 발전함에 따라 AlN은 다음의 중요한 과제를 해결합니다.
  • 7nm 미만 노드에서의 열 예산 관리
  • 더 높은 종횡비 장치 제조
  • 첨단 패키징 및 이종 통합
엔지니어링 팀을 위한 선택 지침
질화 알루미늄을 지정해야 하는 경우
  • 높은 열전도율과 전기 절연을 모두 요구하는 응용 분야빠른 열 사이클링이 있는 환경
  • 실리콘에 대한 CTE 매칭이 필요한 정밀 응용 분야고신뢰성 반도체 제조 장비
  • 재료 비교 분석vs. 알루미나
  • : AlN은 8-10배 더 높은 열전도율을 제공합니다.
vs. 베릴리아
  • : AlN은 독성 문제 없이 우수한 기계적 특성을 제공합니다.vs. 탄화 규소
  • : AlN은 더 나은 전기 절연 특성을 나타냅니다.기술 지원 및 사용자 정의
  • 저희 엔지니어링 팀은 다음을 위한 포괄적인 지원을 제공합니다.재료 선택 지침
제조 가능성을 위한 설계 분석
프로토타입 개발
  • 생산 규모 조정 지원
  • 결론: 질화 알루미늄의 전략적 이점
  • 차세대 웨이퍼 핸들링 시스템을 설계하는 반도체 장비 제조업체의 경우, 질화 알루미늄 세라믹은
  • 기술적으로 우수한 재료 솔루션
을 제공하여 현대 반도체 제조의 가장 어려운 요구 사항을 직접적으로 해결합니다.
높은 열전도율, 우수한 전기 절연 및 실리콘과 일치하는 열팽창의 고유한 조합은 AlN을 경쟁적인 반도체 생산 환경에서 공정 수율, 장비 신뢰성 및 제조 효율성을 개선하기 위한 선택 재료로 자리매김합니다.질화 알루미늄 세라믹 솔루션이 웨이퍼 핸들링 응용 분야를 최적화하고 특정 반도체 제조 문제를 해결할 수 있는 방법에 대해 논의하려면 저희 기술 팀에 문의하십시오.
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