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뛰어난 열 관리, 우수한 전기 절연 및 정밀 열팽창 일치를 갖춘 질화 알루미늄 세라믹 웨이퍼 취급 암

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뛰어난 열 관리, 우수한 전기 절연 및 정밀 열팽창 일치를 갖춘 질화 알루미늄 세라믹 웨이퍼 취급 암

Aluminum Nitride Ceramic Wafer Handling Arms with Exceptional Thermal Management Superior Electrical Insulation and Precision Thermal Expansion Matching
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제품 상세 정보:
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뛰어난 열 관리, 우수한 전기 절연 및 정밀 열팽창 일치를 갖춘 질화 알루미늄 세라믹 웨이퍼 취급 암

설명
강조하다:

질화 알루미늄 세라믹 웨이퍼 암

,

AlN 세라믹 취급 암

,

보증이 있는 세라믹 웨이퍼 암

질화 알루미늄(AlN) 세라믹 웨이퍼 핸들링 암: 특성 및 응용 분야 완벽 가이드
요약: 반도체 응용 분야에서 질화 알루미늄을 사용하는 이유
질화 알루미늄(AlN)은 반도체 제조 장비, 특히 웨이퍼 핸들링 암에 대한 최고의 기술 세라믹 솔루션을 나타냅니다. 여기서 탁월한 열 관리와 우수한 전기 절연에 대한 동시 요구 사항은 기존 재료로는 충족될 수 없습니다. 이 포괄적인 가이드는 AlN을 첨단 반도체 제조 시설에서 필수적으로 만드는 기술 사양, 제조 공정 및 중요한 응용 분야를 탐구합니다.
기술적 특성: 질화 알루미늄 성능 사양
재료 기본
  • 화학적 조성: 질화 알루미늄(AlN)
  • 결정 구조: Wurtzite(육각형)
기계적 특성
특성 값 웨이퍼 핸들링의 중요성
밀도 3.2 gm/cc 경량 구조로 이동 질량 감소
경도 10.4 GPa 긴 수명을 위한 뛰어난 내마모성
탄성 계수 320 GPa 높은 강성으로 정밀한 위치 지정 보장
굽힘 강도 382 MPa 얇고 복잡한 형상을 위한 기계적 견고성
전기적 특성
특성 값 응용 분야 이점
체적 저항 1.4×10¹⁴ ohm-cm 완벽한 전기 절연으로 전류 누설 방지
유전 강도 18 kV/mm 반도체 공정에서 고전압 견딤
유전 상수 8.86 (@ 1MHz) 주파수 범위에서 안정적인 성능
열적 특성
특성 값 중요한 장점
열전도율 170 W/(m*K) 민감한 부품에서 빠른 열 발산
CTE(열팽창 계수) 4.6×10⁻⁶/°C 실리콘과 거의 일치(3.5-4×10⁻⁶/°C)
최대 작동 온도 900 °C 고온 반도체 공정에 적합
비열 용량 0.72×10³ J/(kg*K) 효율적인 열 응답
참고: 모든 특성은 실온에서 측정되었습니다. 상업용 AlN 세라믹의 대표적인 엔지니어링 데이터입니다.
반도체 웨이퍼 핸들링의 중요한 장점
1. 타의 추종을 불허하는 열 성능
AlN의 170 W/(m*K)의 열전도율은 고온 공정 중 웨이퍼에서 효율적인 열 발산을 가능하게 합니다. 이는 다음과 같은 응용 분야에서 열 손상을 방지하고 공정 안정성을 유지합니다.
  • 플라즈마 에칭 챔버
  • 화학 기상 증착
  • 급속 열처리
  • 고온 이온 주입
2. 우수한 전기 절연
AlN은 1.4×10¹⁴ Ω*cm의 체적 저항을 제공하여 다음과 같은 경우에 필수적인 절대적인 전기적 절연을 제공합니다.
  • 정전기 방전(ESD) 손상 방지
  • 고전압 환경에서 전류 누설 제거
  • 민감한 측정 장비에서 신호 무결성 유지
3. 정밀 열팽창 매칭
4.6×10⁻⁶/°C의 CTE는 실리콘 웨이퍼와 거의 일치하여 다음을 제공합니다.
  • 온도 사이클링 중 최소 열 응력
  • 웨이퍼 휨 및 파손 감소
  • 향상된 치수 안정성을 통한 공정 수율 향상
4. 정밀 응용 분야를 위한 기계적 우수성
  • 높은 강성(320 GPa 계수)는 확장된 웨이퍼 핸들링 암에서 최소한의 처짐을 보장합니다.
  • 우수한 경도(10.4 GPa)는 뛰어난 내마모성을 제공합니다.
  • 양호한 굽힘 강도(382 MPa)는 내구성이 뛰어난 얇은 벽 설계를 가능하게 합니다.
AlN 부품을 위한 첨단 제조 기술
건식 압착
  • 최적: 단순한 형상의 대량 생산
  • 장점: 비용 효율적이고 빠른 사이클 시간
  • 제한 사항: 중간 밀도 균일성
냉간 정수압 압착(CIP)
  • 최적: 높은 밀도가 필요한 복잡한 형상
  • 장점: 우수한 균일성, 향상된 기계적 특성
  • 고려 사항: 더 높은 툴링 비용
테이프 캐스팅
  • 최적: 얇은 기판 및 평면 구조
  • 장점: 우수한 표면 마감, 엄격한 두께 제어
  • 응용 분야: 히터 기판, 회로 베이스
사출 성형
  • 최적: 복잡한 형상의 대량 생산
  • 장점: 순형상 기능, 설계 유연성
  • 고려 사항: 더 높은 초기 툴링 투자
반도체 응용 분야: AlN이 뛰어난 곳
주요 응용 분야: 웨이퍼 핸들링 시스템
  • 웨이퍼 핸들링 암 및 엔드 이펙터
  • 로봇 블레이드 및 전송 모듈
  • 정밀 위치 지정 스테이지
  • 진공 챔버 부품
열 관리 솔루션
  • 전력 전자 장치용 세라믹 방열판
  • 측정 장비의 열 확산기
  • 균일한 온도 분포를 위한 히터 기판
전기 절연 부품
  • 고전압 절연체
  • 공정 챔버 라이너
  • RF 창 재료
  • 전기 피드스루
산업 4.0 통합 및 미래 동향
스마트 제조 호환성
AlN 부품은 통합 센서를 통한 고급 공정 모니터링과 스마트 팩토리 환경에서 실시간 열 관리를 가능하게 합니다.
차세대 반도체 요구 사항
반도체 기술이 더 작은 노드와 3D 아키텍처로 발전함에 따라 AlN은 다음의 중요한 과제를 해결합니다.
  • 7nm 미만 노드에서의 열 예산 관리
  • 더 높은 종횡비 장치 제조
  • 첨단 패키징 및 이종 통합
엔지니어링 팀을 위한 선택 지침
질화 알루미늄을 지정해야 하는 경우
  • 높은 열전도율과 전기 절연을 모두 요구하는 응용 분야빠른 열 사이클링이 있는 환경
  • 실리콘에 대한 CTE 매칭이 필요한 정밀 응용 분야고신뢰성 반도체 제조 장비
  • 재료 비교 분석vs. 알루미나
  • : AlN은 8-10배 더 높은 열전도율을 제공합니다.
vs. 베릴리아
  • : AlN은 독성 문제 없이 우수한 기계적 특성을 제공합니다.vs. 탄화 규소
  • : AlN은 더 나은 전기 절연 특성을 나타냅니다.기술 지원 및 사용자 정의
  • 저희 엔지니어링 팀은 다음을 위한 포괄적인 지원을 제공합니다.재료 선택 지침
제조 가능성을 위한 설계 분석
프로토타입 개발
  • 생산 규모 조정 지원
  • 결론: 질화 알루미늄의 전략적 이점
  • 차세대 웨이퍼 핸들링 시스템을 설계하는 반도체 장비 제조업체의 경우, 질화 알루미늄 세라믹은
  • 기술적으로 우수한 재료 솔루션
을 제공하여 현대 반도체 제조의 가장 어려운 요구 사항을 직접적으로 해결합니다.
높은 열전도율, 우수한 전기 절연 및 실리콘과 일치하는 열팽창의 고유한 조합은 AlN을 경쟁적인 반도체 생산 환경에서 공정 수율, 장비 신뢰성 및 제조 효율성을 개선하기 위한 선택 재료로 자리매김합니다.질화 알루미늄 세라믹 솔루션이 웨이퍼 핸들링 응용 분야를 최적화하고 특정 반도체 제조 문제를 해결할 수 있는 방법에 대해 논의하려면 저희 기술 팀에 문의하십시오.

태그:

탄화규소계 세라믹스,

압력 없는 합금 SIC,

원문대로 도자기류

연락처 세부 사항
Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd

담당자: Ms. Yuki

전화 번호: 8615517781293

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실리콘카바이드 세라믹

반도체 제조용 1650°C 최대 서비스 온도 및 3800MPa 굴절 강도 높은 온도 내성 SiC 포크

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1 380°C 최대 서비스 온도와 250MPa 굴절 강도와 함께 고온 산업 냉각용 반응 합성 실리콘 탄화탄 공기 냉각 튜브

산업용 오븐용 열 충격 및 염화 저항성 높은 온도 안정성 SiC 연장기

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