アルミナイトライドセラミック・ウェーファー・ハンドリング・アーム 特殊な熱管理 優れた電気隔熱と精密な熱膨張マッチング
基本プロパティ
原産地:
中国
ブランド名:
KEGU
モデル番号:
カスタマイズ可能
取引物件
最低注文数量:
交渉可能
価格:
交渉可能
支払い条件:
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
製品概要
アルミニウムナイトライド (AlN) セラミック・ウェーファーハンドリング・アーム: 特性と用途に関する完全なガイド なぜアルミナイトリドは半導体用なのか? アルミニウムナイトリド (AlN) は最先端の技術セラミックソリューション半導体製造機器,特にワッフル処理用腕需要が同時に増加する特殊な熱管理そして優れた電気隔熱この包括的なガイドは,技術仕様,製造プロセス,半導体製造施設でAlNを欠かせないものとする. 技術特性: アルミナイトライドの性能仕様 物質 的 な 基礎 化学組成: アルミナイトリド (AlN) 結晶構造ワルトジット (六角形) メカニカルプロパティ プロパティ 価値 ワッフル ...
製品詳細
ハイライト:
アルミナイトリドセラミック・ウェーファー・アーム
,ALN セラミックハンドリングアーム
,保証付きのセラミック・ウェーファー・アーム
Usage:
業界の使用
Chemical Composition:
Al2O3,SiO2
Sic Content:
85%
Maximum Temperature:
1600℃
Characteristics:
高い耐摩耗性
Thermal Expansion Coefficient:
4.0～4.5×10^-6/K
Material Composition:
4%Si >96%Sic
Working Temperature:
1650
Advantage:
耐摩耗性と耐摩耗性
Purity:
98%
Material:
炭化ケイ素セラミック
Acid Alkaline Proof:
素晴らしい
Solubility:
不溶性
Open Porosity:
<0.1%
Flexural Strength:
350〜550 MPa
製品の説明
アルミニウムナイトライド (AlN) セラミック・ウェーファーハンドリング・アーム: 特性と用途に関する完全なガイド
なぜアルミナイトリドは半導体用なのか?
アルミニウムナイトリド (AlN) は最先端の技術セラミックソリューション半導体製造機器,特にワッフル処理用腕需要が同時に増加する特殊な熱管理そして優れた電気隔熱この包括的なガイドは,技術仕様,製造プロセス,半導体製造施設でAlNを欠かせないものとする.
技術特性: アルミナイトライドの性能仕様
物質 的 な 基礎
- 化学組成: アルミナイトリド (AlN)
- 結晶構造ワルトジット (六角形)
メカニカルプロパティ
| プロパティ | 価値 | ワッフル 処理 に 関する 意義 |
|---|---|---|
| 密度 | 3.2 gm/cc | 軽量 構造 で 動く 質量 が 減る |
| 硬さ | 10.4 GPa | 耐磨性も高いため,使用寿命も長い |
| 弾力度モジュール | 320 GPa | 高度な硬さにより,正確な位置付けが可能です. |
| 折りたたみ力 | 382 MPa | 細くて複雑な幾何学のための機械的な強度 |
電気特性
| プロパティ | 価値 | アプリケーションのメリット |
|---|---|---|
| 容積抵抗性 | 1.4×1014オムセンチメートル | 完璧な電気隔熱は,電流の漏れを防ぐ |
| 介電力強度 | 18kV/mm | 半導体加工で高電圧に耐える |
| ダイレクトリ常数 | 8.86 (@ 1MHz) | 周波数帯の安定した性能 |
熱特性
| プロパティ | 価値 | 重要な 利点 |
|---|---|---|
| 熱伝導性 | 170W/m*K | 敏感な部品からの迅速な散熱 |
| CTE (熱膨張係数) | 4.6×10−6/°C | シリコン (3.5-4×10−6/°C) と密接に一致する |
| 最大作業温度 | 900 °C | 高温半導体プロセスに適している |
| 固有熱容量 | 0.72×103 J/(kg*K) | 効率的な熱反応 |
注: 室温で測定されたすべての特性. 商業用AlN陶器の代表的な技術データ.
半導体 ウェーファー 処理 の 重要な 利点
1熱性能が優れている
ALNの熱伝導性 170 W/ ((m*K)高温処理中にウエフルの熱を効率的に散らすことができる.これは熱損傷を防止し,以下のアプリケーションでプロセス安定性を維持します.
- プラズマ・エッチング・キャメラ
- 化学蒸気堆積
- 急速な熱処理
- 高温の植入
2優れた電気隔熱
と容積抵抗 1.4×1014 Ω*cm絶対的な電気隔離を保証するAlNは:
- 静電放電 (ESD) の損傷を防止する
- 高電圧環境における電流漏れを排除する
- 敏感な測定機器における信号の整合性を維持する
3精密熱膨張マッチング
ほらCTE 4.6×10−6/°Cシリコンウエーフと密接に一致し,
- 温度サイクル中の最小熱圧
- ワッフルの折り紙と破損を減らす
- 拡張された次元安定性によってプロセス出力を向上させる
4精密なアプリケーションのための機械的卓越性
- 高硬さ (320 GPa モジュール)拡張されたワッフルハンドリングアームで最小限の傾きを保証する
- 優れた硬さ (10.4 GPa)優れた耐磨性がある
- 優れた屈曲強度 (382 MPa)耐久性のある薄壁設計が可能です
ALN 部品のための先進製造技術
ドライプレス
- 最善の: シンプルな幾何学の大量生産
- 利点: 費用対効果の高い,高速なサイクル時間
- 制限: 適度な密度均一性
冷静圧縮 (CIP)
- 最善の: 高密度を必要とする複雑な形状
- 利点: 優れた均一性,強化された機械特性
- 考慮事項: ツールコストの上昇
テープキャスティング
- 最善の: 薄い基板と平面構造
- 利点: 優れた表面仕上げ,厚さ管理
- 申請:ヒーター基板,回路基板
インジェクション 鋳造
- 最善の: 複雑な幾何学の量産
- 利点: ネットワーク形容能力,設計柔軟性
- 考慮事項: 初期ツール投資の増加
半導体の応用:ALNが優れているところ
主要用途:ウエファー処理システム
- ワイファー処理用腕と端効果装置
- ロボット・ブレードと移転モジュール
- 精密位置付け段階
- 真空室の部品
熱管理ソリューション
- 電力電子機器用のセラミック式散熱器
- 測定装置の熱分散器
- 均等な温度分布のための加熱基板
電気隔熱部品
- 高電圧隔熱器
- 処理室の内膜
- RF窓材料
- 電気回線
産業4.0統合と将来の傾向
スマート製造互換性
AlNコンポーネントは先進的なプロセス監視インテグレートセンサーやリアルタイム熱管理スマート工場の環境です
次世代の半導体要求
半導体技術がより小さなノードと3Dアーキテクチャに向かって進歩するにつれて,AlNは以下の重要な課題に取り組んでいます.
- 7nm 未満のノードでの熱予算管理
- 高画位比装置の製造
- 先進的な包装と異質な統合
エンジニアリング チーム の 選定 ガイドライン
アルミニウムナイトリドを指定する際
- 要求するアプリケーション高熱伝導性と電熱隔離性
- 環境に急速な熱循環
- 精密なアプリケーションが必要CTEがシリコンと一致する
- 高信頼性の半導体製造機器
比較資料分析
- アルミナ: AlNは 8-10倍以上の熱伝導性を有します
- ベリリア: AlNは毒性に関する懸念なしに優れた機械的特性を提供します
- シリコンカービード: AlN は,よりよい電熱隔離特性を示しています
技術サポートとカスタマイズ
私たちのエンジニアリングチームは,以下に包括的なサポートを提供します.
- 材料選択ガイドライン
- 製造可能性分析のための設計
- プロトタイプ開発
- 生産拡大支援
結論: アルミナイトライドの戦略的利点
半導体機器の製造者向け次世代のウエファー処理システムアルミナイトライドセラミックは技術的に優れた材料のソリューション現代の半導体製造の最も挑戦的な要求を直接に対応しています高熱伝導性,優れた電熱隔離性,シリコンとマッチした熱膨張性AlN は,競争力のある半導体生産環境において,プロセス出力,機器の信頼性,および製造効率の向上のための選択材料として位置づけられています.
技術チームに連絡してくださいアルミニウムナイトライドセラミックソリューションが ウェーファー処理アプリケーションを最適化し 半導体製造の課題を解決する方法について議論します
Miss. Scarlett.S
Deputy Head of Foreign Trade Department
- メールアドレス: scarlett.s@kegugroup.com
- Tel: 8616602956098
- ワットスアップ: 8613390790728
-
ウェチャット:
Scarlettseren533
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