Detalhes do produto:
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Material: | nitreto de silício | Composição: SiC: | > 85% |
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Cor: | Preto | Densidade: | 30,20-3,26 g/cm3 |
Max. Temperatura de serviço: | 1450°C | Força flexural: | 250MPa |
Amostra: | Personalizável | Estabilidade química: | Alto |
Porosidade aparente: | 0-0,1% | Modulo elástico: | 300-320 GPa |
Força da compressão: | > 1500 MPa | Dureza Vickers (HV0.5): | 15-16GPa |
Conductividade térmica: | 20-25W/(m.k) | Resistividade Específica: | 10^14Ω·cm |
Destacar: | Colher de vazamento Si3N4,Colher de vazamento de nitreto de silício,Cadinho de nitreto de silício para a indústria do alumínio |
Materiais cerâmicos de nitreto de silício de alto desempenho desenvolvidos para a indústria do alumínio melhoraram significativamente as propriedades térmicas e mecânicas em comparação com produtos semelhantes. Com base nisso, o "aparelho" de aquecimento submerso de alta condutividade térmica em forma de "L" trará progresso revolucionário para equipamentos industriais de alumínio.
A colher e o cadinho de nitreto de silício formados por grout, pioneiros no país, maximizam a resistência ao choque térmico e as propriedades antiaderentes do alumínio dos materiais de nitreto de silício, e devem ser a solução definitiva para colheres e cadinhos da indústria do alumínio.
Vantagem:
Em comparação com o cadinho de outro material, a vida útil é muito estendida.
Dados Relacionados ao Nitreto de Silício
Componente principal | 99%Al2O3 | S-SiC | ZrO2 | Si3N4 | ||
Físico Propriedade |
Densidade | g/cm3 | 3.9 | 3.1 | 6 | 3.2 |
Absorção de água | % | 0 | 0.1 | 0 | 0.1 | |
Temperatura de sinterização | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
Mecânico Propriedade |
Dureza Rockwell | HV | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
Resistência à flexão | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
Intensidade de compressão | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
Térmico Propriedade |
Trabalho máximo temperatura |
°C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
Expansão térmica coeficiente 0-1000°C |
/°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6(0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6(0-500°C) | |
5.2*10-6(500-1000°C) | 4.0*10-6(500-1000°C) | |||||
Resistência ao choque térmico | T(°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
Condutividade térmica | W/m.k(25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
Elétrico Propriedade |
Taxa de resistência do volume | ◎.cm | ||||
20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
100°C | 1012-1013 | – | – | >1011 | ||
300°C | >1012 | – | – | >1011 | ||
Quebra de isolamento Intensidade |
KV/mm | 18 | semicondutor | 9 | 17.7 | |
Constante dielétrica (1 MHz) | (E) | 10 | – | 29 | 7 | |
Dissipação dielétrica | (tg o) | 0.4*10-3 | – | – | – |
Pessoa de Contato: Ms. Yuki
Telefone: 8615517781293