11 Gpa AIN Aluminiumnitride Keramische substraten voor de elektronica-industrie

11 GPa Aluminiumnitride keramiek Aluminiumnitride substraten voor de elektronica-industrie

Substraten op basis van Alumina (Al2O3), Aluminiumnitride (AlN), Siliciumnitride (Si3N4) en andere keramische materialen worden vanwege hun eigenschappen veel gebruikt in de elektronica-industrie.

Belangrijkste toepassingen:

• matrijzen van keramische printplaten (PCB's);
• substraten voor metallisatie op dikke-film- en dunne-filmtechnologieën;
• gepolijste substraten voor metallisatie op dunne-filmtechnologie;
• substraten voor LED's, laserdiodes;
• precisie substraten voor microgolf geïntegreerde circuits en micro-assemblages met een hoge dichtheid aan gaten en groeven voor kristallen;
• meervoudige platen voor sets van weerstanden, rheostaten, brandstofniveausensoren, druk, etc.;
• dragers van sensorschakelingen van giftige stoffen, ioniserende straling, magnetisch veld, etc.;
• wafers voor luchtionisatoren en ozonisatoren;
• isolerende pads voor het afvoeren van warmte van elektronische componenten naar de koelradiator;
• beschermers voor elementen van piëzo-elektrische transducers;
• bases en houders van vlakke verwarmingselementen, kristallen van hoogvermogen halfgeleiderapparaten;
• platen voor thermo-elektrische modules (Peltier-elementen);
• schermen voor radiofrequentieplasmageneratoren.

Toepassingskenmerken van producten van Alumina (Al2O3)

Alumina (Al2O3) heeft een uitstekende combinatie van materiaaleigenschappen en de laagste kosten. Hoge mechanische sterkte, hardheid, slijtvastheid, brandwerendheid, thermische geleidbaarheid, chemische inertie maken het in sommige gevallen mogelijk om duurdere materialen te vervangen om de productiekosten te verlagen.
Het Al2O3-gehalte varieert van 96% tot 99,7%, dikte vanaf 0,25 mm. Het oppervlak kan worden geslepen of gepolijst, metallisatie en elke geometrie is mogelijk.

Toepassingskenmerken van producten van Aluminiumnitride (AlN)

Vanwege zijn uitstekende isolerende eigenschappen, hoge thermische geleidbaarheid, sterkte en lage thermische uitzettingscoëfficiënt, wordt aluminiumnitride AlN gebruikt in hoogvermogen elektronische apparaten, geïsoleerde gate bipolaire transistors (IGBT's), communicatiesystemen, LED-indicatoren, passieve componenten, koelapparaten, directe aansluiting van componenten op koperbelaste soldeer. Het AlN-gehalte varieert van 96% tot 99,7%, dikte van 0,25 tot 11 mm. Verwerkingsopties voor dunne-film- en dikke-filmstructuren: slijpen en gepolijst oppervlak. Metallisatie en elke geometrie is mogelijk.

Toepassingskenmerken van producten van Siliciumnitride (Si3N4)

Siliciumnitride (Si3N4) heeft uitzonderlijke mechanische eigenschappen bij continue thermische cycli, in diep vacuüm, in het regime van verhoogde wrijving en in andere zware bedrijfsomstandigheden. Uitstekende slijtvastheid en zeer hoge buigsterkte maken substraten van 0,3 mm dik mogelijk, wat lage waarden van thermische weerstand oplevert (het kan worden vergeleken met 1,0 mm dik aluminiumnitride) en tegelijkertijd de mechanische eigenschappen aanzienlijk verbetert die stabiel zijn over een breed temperatuurbereik en andere omstandigheden van een agressieve omgeving.
Siliciumnitride heeft een hoge stralingsbestendigheid, corrosiebestendigheid en aanzienlijke elektrische sterkte in vergelijking met andere keramische materialen.