11 Gpa AIN Aluminiumnitrid-Keramiksubstrate für die Elektronikindustrie

11 Gpa Aluminiumnitrid Keramik Aluminiumnitrid Substrate für die Elektronikindustrie

Substrate auf der Grundlage von Aluminiumoxid (Al2O3), Aluminiumnitrid (AlN), Siliziumnitrid (Si3N4) und anderen keramischen Materialien werden aufgrund ihrer Eigenschaften in der Elektronikindustrie weit verbreitet.

Hauptanwendungen:

• Stollen von Keramik-Leiterplatten (PCB);
• Substrate für die Metallisierung auf Dicke- und Dünnschichttechnologien;
• polierte Substrate zur Metallisierung auf Dünnschichttechnik;
• Substrate für LEDs, Laserdioden;
• Präzisionssubstrate für Mikrowellen-Integrationsschaltungen und Mikrosysteme mit hoher Löchendichte und Rillen für Kristalle;
• Mehrfachplatten für Widerstandssätze, Rheostate, Brennstoffspiegelsensoren, Druck-Sensoren usw.;
• Träger von Sensorkreisen für giftige Stoffe, ionisierende Strahlung, Magnetfeld usw.;
• Wafer für Luft- und Ozonisierer;
• Isolierplatten zur Ableitung von Wärme von elektronischen Bauteilen zum Kühlkühler;
• Schutzelemente für piezoelektrische Wandler;
• Stützpunkte und Halterungen von flachen Heizelementen, Kristalle von Hochleistungs-Halbleitergeräten;
• Platten für thermoelektrische Module (Peltier-Elemente);
• Bildschirme für Radiofrequenzplasmageneratoren.

Anwendungsmerkmale von Produkten aus Aluminiumoxid (Al2O3)

Aluminium (Al2O3) weist eine ausgezeichnete Kombination aus Materialeigenschaften und niedrigsten Kosten auf: hohe mechanische Festigkeit, Härte, Verschleißfestigkeit, Feuerfestigkeit, Wärmeleitfähigkeit,Chemische Trägheit ermöglicht in einigen Fällen den Austausch teurerer Materialien zur Reduzierung der Produktionskosten.
Der Gehalt an Al2O3 variiert von 96% bis 99,7%, die Dicke von 0,25 mm. Die Oberfläche kann geschmiert oder poliert werden, Metallisierung und jede Geometrie ist möglich.

Anwendungsmerkmale von Produkten aus Aluminiumnitrid (AlN)

Aluminiumnitrid AlN wird aufgrund seiner hervorragenden Isolierfähigkeit, hoher Wärmeleitfähigkeit, Festigkeit und niedrigen Wärmeausdehnung in leistungsstarken elektronischen Geräten verwendet.mit einer Leistung von mehr als 50 W und einer Leistung von mehr als 50 W, Kommunikationssysteme, LED-Anzeigen, passive Komponenten, Kühlvorrichtungen, direkte Verbindung von Komponenten auf Kupferlöten.25 bis 11 mm. Verarbeitungsmöglichkeiten für dünn- und dickflächige Strukturen: Schleifbearbeitung und polierte Oberfläche. Metallisierung und jede Geometrie sind möglich.

Anwendungsmerkmale von Produkten aus Siliziumnitrid (Si3N4)

Siliziumnitrid (Si3N4) weist außergewöhnliche mechanische Eigenschaften bei kontinuierlichem thermischen Kreislauf, im tiefen Vakuum, bei erhöhter Reibung und unter anderen strengen Betriebsbedingungen auf.Eine ausgezeichnete Verschleißfestigkeit und eine sehr hohe Biegefestigkeit ermöglichen die Herstellung von Substraten.3 mm dick, wodurch niedrige Werte des Wärmewiderstands erzielt werden (sie kann mit 1.0 mm dickes Aluminiumnitrid) bei gleichzeitiger erheblicher Verbesserung der mechanischen Eigenschaften, die über einen breiten Temperaturbereich und andere Bedingungen einer aggressiven Umgebung stabil sind.
Siliziumnitrid weist im Vergleich zu anderen keramischen Materialien eine hohe Strahlungsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und eine beträchtliche elektrische Festigkeit auf.