| प्रमुखता देना: | 1625°C परिचालन तापमान सिलिकॉन कार्बाइड हीटिंग तत्व,यू,डब्ल्यू |
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|---|---|---|---|
| संपत्ति | मूल्य / सीमा |
|---|---|
| विशिष्ट गुरुत्व | 2.6-2.8 g/cm3 |
| झुकने की शक्ति | > 300 किलोग्राम/सेमी2 |
| कठोरता | >9 मोह |
| तन्य शक्ति | > 150 किलोग्राम/सेमी3 |
| छिद्रता दर | <30% |
| उज्ज्वलता | 0.85 |
| तापमान (°C) | रैखिक विस्तार गुणांक (10−6/°C) | ताप चालकता (kcal/m*hr*°C) | विशिष्ट ताप (कैल/जी*°C) |
|---|---|---|---|
| 0 | - | - | 0.148 |
| 300 | 3.8 | - | - |
| 400 | - | - | 0.255 |
| 600 | 4.3 | 14-18 | - |
| 800 | - | - | 0.294 |
| 900 | 4.5 | - | - |
| 1100 | - | 12-16 | - |
| 1200 | 4.8 | - | 0.325 |
| 1300 | - | 10-14 | - |
| 1500 | 5.2 | - | - |
| वायुमंडल | अधिकतम भट्ठी का तापमान (°C) | अधिकतम सतह भार (W/cm2) | तत्व पर प्रभाव | अनुशंसित सुरक्षा |
|---|---|---|---|---|
| अमोनिया (NH3) | 1290 | 3.8 | मीथेन बनाने के लिए SiC के साथ प्रतिक्रिया करता है, SiO2 परत को नष्ट करता है | ओस बिंदु पर कार्य करें |
| कार्बन डाइऑक्साइड (CO2) | 1450 | 3.1 | हमले SiC | क्वार्ट्ज ट्यूब ढाल का प्रयोग करें |
| कार्बन मोनोऑक्साइड (CO, 18%) | 1500 | 4.0 | न्यूनतम प्रभाव | - |
| कार्बन मोनोऑक्साइड (CO, 20%) | 1370 | 3.8 | कार्बन अवशोषण SiO2 परत को प्रभावित करता है | - |
| हेलोजेन गैसें | 704 | 3.8 | SiC को क्षय करता है और SiO2 परत को नष्ट करता है | क्वार्ट्ज ट्यूब शील्ड |
| हाइड्रोकार्बन | 1310 | 3.1 | कार्बन पिकअप के कारण हॉट स्पॉट | पर्याप्त वायु प्रवाह सुनिश्चित करें |
| हाइड्रोजन (एच2) | 1290 | 3.1 | SiC के साथ प्रतिक्रिया करता है, SiO2 परत को नुकसान पहुंचाता है | ओस बिंदु पर कार्य करें |
| मीथेन (CH4) | 1370 | 3.1 | कार्बन अवशोषण से गर्म स्थान बनते हैं | - |
| नाइट्रोजन (N2) | 1370 | 3.1 | सिलिकॉन नाइट्राइड इन्सुलेशन परत | - |
| सोडियम (Na) वाष्प | 1310 | 3.8 | हमले SiC | क्वार्ट्ज ट्यूब शील्ड |
| सल्फर डाइऑक्साइड (SO2) | 1310 | 3.8 | हमले SiC | क्वार्ट्ज ट्यूब शील्ड |
| वैक्यूम | 1204 | 3.8 | स्थिर संचालन | - |
| ऑक्सीजन / हवा | 1310 | 3.8 | SiC ऑक्सीकरण करता है (सुरक्षात्मक SiO2 बनाता है) | - |
| जल वाष्प | 1090-1370 | 3.1-3.6 | सिलिकॉन हाइड्रेट बनाता है, उम्र बढ़ने में तेजी लाता है | - |
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