| Mettre en évidence: | Éléments chauffants en carbure de silicium avec une température de fonctionnement de 1625°C,U,W |
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|---|---|---|---|
| Les biens immobiliers | Valeur / plage |
|---|---|
| Gravité spécifique | 20,6-2,8 g/cm3 |
| Résistance à la flexion | > 300 kg/cm2 |
| Dureté | > 9 Mohs |
| Résistance à la traction | > 150 kg/cm3 |
| Taux de porosité | < 30% |
| Radiance | 0.85 |
| Température (°C) | Coefficient de dilatation linéaire (10−6/°C) | Conductivité thermique (kcal/m*h*°C) | Chaleur spécifique (cal/g*°C) |
|---|---|---|---|
| 0 | - | - | 0.148 |
| 300 | 3.8 | - | - |
| 400 | - | - | 0.255 |
| 600 | 4.3 | 14 à 18 | - |
| 800 | - | - | 0.294 |
| 900 | 4.5 | - | - |
| 1100 | - | 12 à 16 | - |
| 1200 | 4.8 | - | 0.325 |
| 1300 | - | 10 à 14 | - |
| 1500 | 5.2 | - | - |
| Atmosphère | Température maximale du four (°C) | Charge de surface maximale (W/cm2) | Effets sur l'élément | Protection recommandée |
|---|---|---|---|---|
| Ammonium (NH3) | 1290 | 3.8 | Réagit avec le SiC pour former du méthane, dégradant la couche SiO2 | Opérer au point de rosée |
| Dioxyde de carbone (CO2) | 1450 | 3.1 | Attaque SiC | Utilisez un bouclier de tube de quartz |
| Monoxyde de carbone (CO, 18%) | 1500 | 4.0 | Effets minimaux | - |
| Monoxyde de carbone (CO, 20%) | 1370 | 3.8 | L'absorption du carbone affecte la couche SiO2 | - |
| Les gaz halogènes | 704 | 3.8 | Corrodant le SiC et détruisant la couche de SiO2 | Écran à tubes de quartz |
| Hydrocarbures | 1310 | 3.1 | La capture du carbone provoque des points chauds | Assurer un débit d'air suffisant |
| Hydrogène | 1290 | 3.1 | Réagit avec le SiC, endommage la couche SiO2 | Opérer au point de rosée |
| Le méthane (CH4) | 1370 | 3.1 | L'absorption du carbone conduit à des points chauds | - |
| L'azote (N2) | 1370 | 3.1 | Formes de couche isolante au nitrure de silicium | - |
| Vapeur de sodium (Na) | 1310 | 3.8 | Attaque SiC | Écran à tubes de quartz |
| Dioxyde de soufre (SO2) | 1310 | 3.8 | Attaque SiC | Écran à tubes de quartz |
| Vacuum | 1204 | 3.8 | Fonctionnement stable | - |
| Oxygène / Air | 1310 | 3.8 | Le SiC s'oxyde (forme du SiO2 protecteur) | - |
| Vapeur d'eau | 1090 à 1370 | 3Un à trois.6 | Forme des hydrates de silicium, accélère le vieillissement | - |
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