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商品の詳細:
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| ハイライト: | 1625°C 動作温度 シリコンカービッド熱装置,u,W |
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|---|---|---|---|
| プロパティ | 値 / 範囲 |
|---|---|
| 特殊重力 | 2.6-2.8g/cm3 |
| 曲がる強さ | >300 kg/cm2 |
| 硬さ | >9 モース |
| 張力強度 | >150 kg/cm3 |
| 孔隙率 | <30% |
| 放射性 | 0.85 |
| 温度 (°C) | 線形膨張係数 (10−6/°C) | 熱伝導性 (kcal/m*hr*°C) | 特定熱量 (cal/g*°C) |
|---|---|---|---|
| 0 | - | - | 0.148 |
| 300 | 3.8 | - | - |
| 400 | - | - | 0.255 |
| 600 | 4.3 | 14 - 18 | - |
| 800 | - | - | 0.294 |
| 900 | 4.5 | - | - |
| 1100 | - | 12から16 | - |
| 1200 | 4.8 | - | 0.325 |
| 1300 | - | 10〜14 | - |
| 1500 | 5.2 | - | - |
| 大気 | 最大炉温 (°C) | 表面積 (W/cm2) | エレメントへの影響 | 推奨 保護 |
|---|---|---|---|---|
| アモニア (NH3) | 1290 | 3.8 | SiCと反応してメタンを形成し,SiO2層を分解する | 露点で動作する |
| 二酸化炭素 (CO2) | 1450 | 3.1 | SiC攻撃 | クォーツチューブシールドを使用 |
| 炭化物 (CO,18%) | 1500 | 4.0 | 最小効果 | - |
| 炭化物 (CO, 20%) | 1370 | 3.8 | 炭素吸収がSiO2層に影響を与える | - |
| ハロゲンガス | 704 | 3.8 | SiCを腐食し,SiO2層を破壊する | クォーツチューブシールド |
| 炭化水素 | 1310 | 3.1 | 炭素吸収は熱点を引き起こす | 十分な空気の流れを確保する |
| 水素 (H2) | 1290 | 3.1 | SiO2層を損傷する | 露点で動作する |
| メタン (CH4) | 1370 | 3.1 | 炭素吸収が熱点へと導きます | - |
| 窒素 (N2) | 1370 | 3.1 | シリコンナイトリドの隔熱層を形作る | - |
| ナトリウム (Na) 蒸気 | 1310 | 3.8 | SiC攻撃 | クォーツチューブシールド |
| 硫黄二酸化物 (SO2) | 1310 | 3.8 | SiC攻撃 | クォーツチューブシールド |
| バキューム | 1204 | 3.8 | 安定した運行 | - |
| 酸素 / 空気 | 1310 | 3.8 | SiCは酸化 (保護 SiO2 を形成) | - |
| 水蒸気 | 1090年〜1370年 | 3.1-3.6 | シリコンヒドレートを形成し,老化を加速します | - |
コンタクトパーソン: Ms. Yuki
電話番号: 8615517781293
Japanese
