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シリコン・カービッド熱装置 1600°Cまで高温で加熱し,熱衝撃に強い耐久性,特異的な電源密度

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顧客の検討
NGKは、陝西科谷との長年のパートナーシップを高く評価しています。彼らのSSiCセラミックスは品質と革新性に優れており、私たちの相互の成功を牽引しています。今後も協力関係を継続しましょう！

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ハイケでは,信頼,革新,共同卓越性に基づいた長年の協力関係,山西ケグ新材料技術株式会社と 誇りを持っています.SSiCセラミクスの専門知識と信頼性の高いソリューションは,一貫して私たちのプロジェクトを支援しています.

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シリコン・カービッド熱装置 1600°Cまで高温で加熱し,熱衝撃に強い耐久性,特異的な電源密度

Silicon Carbide Heating Elements with High-Temp Heating to 1600°C Superior Thermal Shock Resistance and Exceptional Power Density
Silicon Carbide Heating Elements with High-Temp Heating to 1600°C Superior Thermal Shock Resistance and Exceptional Power Density Silicon Carbide Heating Elements with High-Temp Heating to 1600°C Superior Thermal Shock Resistance and Exceptional Power Density Silicon Carbide Heating Elements with High-Temp Heating to 1600°C Superior Thermal Shock Resistance and Exceptional Power Density Silicon Carbide Heating Elements with High-Temp Heating to 1600°C Superior Thermal Shock Resistance and Exceptional Power Density Silicon Carbide Heating Elements with High-Temp Heating to 1600°C Superior Thermal Shock Resistance and Exceptional Power Density Silicon Carbide Heating Elements with High-Temp Heating to 1600°C Superior Thermal Shock Resistance and Exceptional Power Density

大画像 :  シリコン・カービッド熱装置 1600°Cまで高温で加熱し,熱衝撃に強い耐久性,特異的な電源密度

商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: KEGU
モデル番号: カスタマイズ可能
お支払配送条件:
価格: 200-500 yuan/kg
パッケージの詳細: 強力な木製の箱 グローバル輸送のために
支払条件: 信用状、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
供給の能力: 2,000 PC/月
連絡先

シリコン・カービッド熱装置 1600°Cまで高温で加熱し,熱衝撃に強い耐久性,特異的な電源密度

説明
材料: sic 組成:SiC: ＞85%
色: 黒 密度: 2.5〜2.6g/cm³
最大。サービス温度: 1380℃ 曲げ強度: 70-90 MPA
サイズ: カスタマイズされた 熱伝導: 23.26 w/（m・℃）
抵抗率: 1000～2000Ω・mm2/m 抗張力: 39.2 ～49 MPa
マックス。サービス温度。: 1500℃ 線形熱膨張係数（20-1500℃）: 5×10⁻⁶/℃
電気抵抗率: 1000〜2000Ω・mm²/m
ハイライト:

カスタマイズされたSiC発熱体

,

カスタマイズされた炭化ケイ素ヒーター

シリコンカービッド (SiC) 熱装置 1600°Cまで高温で熱します
1600°Cまでの温度のための高性能シリコンカービッド加熱要素.優れた熱衝撃耐性と電源密度.工業炉のためのSW,U型,W型モデルを探索する.
製品概要
シリコンカービッド (SiC) の熱電池は 極端な工業用加熱用途のために設計されています. 1600°C (2912°F) までの温度で動作できるので,急速な熱反応空気と制御された大気の両方で長い使用寿命があり,従来の金属合金ヒーターの優れた代替品となっています.
SiC 熱電池 の 主要 な 利点
  • 特殊な電源密度標準のニクロムワイヤよりも 1 ユニット表面面積あたり 5~10 倍以上の熱を発生させ,より速い加熱とより高い動作温度を実現します.
  • 優れた機械強度:熱ショックと物理的変形に対する優れた耐性があり,急速な温度サイクルや厳しい工業環境下で信頼性を保証します.
  • 清潔で静かな操作熱源は 騒音や排放や大気汚染から 完全に解放されており シンタリングや溶融や結晶の成長などの 敏感なプロセスに最適です
製品種類と用途
1SW型 (標準棒)
  • 応用:暖炉の種類を幅広く適用するユニバーサルヒートエレメント.
  • 特徴:動作範囲は600°Cから1400°C (適当な条件では1600°Cまで).垂直および水平の両方で設置できます.
  • 理想的な:一般的な高温炉,研究室,陶器炉
2U型 (ヘアピン形)
  • 応用:空間が限られているコンパクトな炉
  • 特徴:2つの同一のSiC棒から構成され,低抵抗SiCブリッジで接続され,マウントポイントとしても使用できます.集中した熱帯を提供します.
  • 理想的な:ロープオーブン,および高温ゾーンを必要とするプロセス
3W型 (3相構成)
  • 応用:大規模な産業用暖房で 大量の電力を要する
  • 特徴:3本の棒で1つの端末設計 (垂直のSGC,水平のSGD) で,3相電源に直接接続する.
  • 理想的な:浮遊ガラス生産,大批量シントリング,その他の重労働産業プロセス.
技術データと特性
プロパティ 価値
特殊重力 2.6〜2.8g/cm3
曲がる強さ > 300 MPa
硬さ > 9 モース
張力強度 > 150 kg/cm2
孔隙率 < 30%
放射性 0.85
運用ガイドラインと大気との相容性
SiC元素の性能と使用寿命は,炉温度と大気に大きく依存する.
大気 最大推奨温度 (°C) 表面負荷 (W/cm2) 潜在的 リスク と 影響
空気/酸素 1600 15 から 25 まで ゆっくりした酸化により SiO2 保護層が形成されます
水素 (H2) 1290 10〜15 保護層のSiO2を破壊します
窒素 (N2) 1370 10〜15 耐性を高めるため 絶縁性シリコンナイトリド層を 形成できます
水蒸気 1090年〜1370年 10〜15 反応してシリコン水化物を形成し 元素分解を加速させる
塩素/ハロゲン 704 15 から 25 まで 高腐食性で,SiO2層を急速に破壊し,SiCを攻撃します.
重要な設置と使用に関する通知
  • 保存:性能低下を防ぐために,要素を乾燥させ,湿度から保護します.
  • マッチング:多要素炉では,重荷の均等な分布を確保するために,抵抗値が10%の許容範囲内であるように,要素をソートしてグループ化します.
  • 処理:SiC は 硬い でも 壊れやすい. 壊れ ない よう に する ため に,設置 や メンテナンスの 際 に 注意深く 扱っ て ください.
  • スタートアップ:冷炉 を 起動 する 時 は,常に 制御 さ れ た 増電 電圧 を 使用 し て ください.過度の 突入 電流 が 部品 に 損傷 を もたらす こと を 防ぐ ため,即時 の 全電源 を 使う こと を 避け て ください.
  • 代替品:損傷した要素は,同様の抵抗の新しいものに置き換えます.複数の要素が故障した場合,またはその抵抗が大幅に増加した場合,バランスのとれた性能のための完全なセットの交換を検討.
シリコン・カービッド熱装置 1600°Cまで高温で加熱し,熱衝撃に強い耐久性,特異的な電源密度 0 シリコン・カービッド熱装置 1600°Cまで高温で加熱し,熱衝撃に強い耐久性,特異的な電源密度 1

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Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd

コンタクトパーソン: Ms. Yuki

電話番号: 8615517781293

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について

シリコンカルビッドセラミック

半導体製造用の高温耐性SiCフォーク,最大使用温度1650°C,屈曲強度3800MPa

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反応シンターシリコンカービッド空気冷却チューブ 高温産業冷却用 1380°C 最大使用温度と 250MPa 屈曲強度

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