14*11 Drukloze gesinterde SiC-rol Lange levensduur

Overzicht van het product: naadloze, drukloze gesinterde siliciumcarbide (SSiC) -staven, OD 14 mm * ID 11 mm

Dit product is een holle buis van drukloos gesinterd siliciumcarbide (SSiC) met een buitendiameter van 14 mm en een binnendiameter van 11 mm.Het is vervaardigd van hoogzuiver SiC-poeder met composiet sintermiddelenDe staven hebben een hoge dichtheid, een nauwkeurige afmetingsnauwkeurigheid, een lage thermische expansie, een hoge thermische geleidbaarheid,uitstekende corrosiebestendigheidZe kunnen gedurende lange tijd betrouwbaar werken onder moeilijke omstandigheden zoals hoge temperaturen, corrosieve atmosfeer, schuurende omgevingen en processen met een hoge zuiverheid.Als een hoogwaardige vervanging voor traditionele aluminiumkeramiek of reactiegebonden SiC-staven, worden ze veel gebruikt voor steun-, transmissie- en warmtegeleidingsstructuren in precisie-hoge-temperatuurapparatuur.

Het basismateriaal is hoogzuiver drukloos gesinterd siliciumcarbide (SSiC), vervaardigd uit ultrafijn α-SiC-poeder met boorcarbide en milieuvriendelijke sintermiddelen op basis van koolstof,niet onder externe druk verdichtHet materiaal is vrij van vrij silicium, heeft geen open poriën en vertoont een uniforme, dichte microstructuur.

Het product wordt geproduceerd met behulp van een gestandaardiseerd, verfijnd, drukloos proces van het sinteren van vaste stoffen, waarbij tijdens het proces geen externe mechanische druk wordt uitgeoefend.Precieze formulering en geleidelijke temperatuurregeling zorgen voor volledige verdichting, waardoor een hoge consistentie van het proces, productstabiliteit en opbrengst worden gewaarborgd.

1. Precieze grondstof Batchering en menging
   Het ultrafijne SiC-poeder van hoge zuiverheid wordt geselecteerd en nauwkeurig gemengd met B4C- en C-composit-sinteringsmiddelen.grondig agglomeraten en verontreinigingen verwijderen om uniforme deeltjesgrootte en samenstelling te garanderen.
2. Voortgezet met extreusief drukwerk
   Voor de vorming van groene lichamen worden met een vacuüm-extrusiepers speciale holle buizen van Φ14/Φ11 mm gebruikt. De ronde vorm, de wanddikte, de gelijkheid en de rechte vorm worden vanaf het begin nauwkeurig gecontroleerd.
3. Drogen van hellingen en verwijderen van bindmiddelen
   Een meerstaps laagtemperatuurgradiëntdrogingsproces verwijdert langzaam vrij vocht en organische bindstoffen, waardoor effectief scheuren, vervorming of delaminatie wordt voorkomen.
4. Hoogtemperatuuronderdrukloos sinteren in een inerte atmosfeer
   De gedroogde groene lichamen worden in een met inerte gassen beschermde sinteroven geplaatst en gesinterd bij 1950 ∼ 2100 °C zonder externe druk.De sinterhulpmiddelen bevorderen de groei van het graan en de verdichting van de interfaces.
5. Hoog nauwkeurige afwerking en volledige inspectie
   De gesinterde blanks worden nauwkeurig gemalen en spiegelgepolijst om de kerndimensies nauwkeurig aan te passen.,en visuele inspectie.

Dit product is een gestandaardiseerde, aanpasbare holle SiC-staaf.

In vergelijking met traditionele hoogtemperatuurstaven gemaakt van reactiegebonden SiC, aluminaceramiek of kwartskeramiek biedt deze drukloze gesinterde SiC-staaf aanzienlijke voordelen bij verdichting,mechanische eigenschappen, thermische stabiliteit en corrosiebestendigheid.

1. Volledig dicht, gebrekvrij structuur
   Onder drukloze vaste stoffen sinteren wordt restvrij silicium en interne poriën verwijderd, waardoor een veel hogere dichtheid wordt bereikt dan bij conventionele reactie gebonden SiC.
2. Hoge sterkte, slijtvastheid en weerstand tegen thermische vervorming
   Vickershardheid ≥ 2000 HV, driepuntsbuigsterkte ≥ 350 MPa. Geen verzachting, buiging of slijtage bij hoge temperaturen.
3. Hoge warmtegeleidbaarheid voor energiebesparing en gelijkmatig warmteveld
   Verwarmingsgeleidbaarheid ≥ 120 W/m·K bij kamertemperatuur.
4. Uitstekende weerstand tegen thermische schokken
   De gecombineerde lage thermische uitbreidingscoëfficiënt en de hoge dichtheid zorgen voor weerstand tegen frequente thermische cycli tussen kamertemperatuur en 1500 °C.
5. Hoge zuiverheid, corrosiebestendigheid en geen verontreiniging van het product
   Gemaakt van zuivere grondstoffen zonder metaalgeleidende onzuiverheden.
6. Lichtgewicht, hoge precisie, lage traagheid
   Het holle lichtgewicht van het ontwerp vermindert de traagheid van de apparatuur.

Gebruikmakend van zijn kleine grootte, hoge precisie, hoge temperatuurweerstand, sterke corrosieweerstand en hoge thermische geleidbaarheid,dit product is vooral geschikt voor compacte precisie-hoge-temperatuurapparatuur, hoogzuivere processen en fijne corrosieve omgevingen.

• Precieze keramiekGebruikt als transmissie-, draag- en draagcomponenten in kleine sinterovens, drukovens en laboratoriumovens voor elektronische keramiek, structurele keramiek en functionele fijne keramiek.
• Nieuwe energie en elektronica Geschikt voor hoogtemperatuurglans-, sinter- en hardingsapparatuur voor lithiumbatterijkatode/anodemateriaal, keramische substraten en halfgeleidercomponenten.
• Chemische toepassingen bij hoge temperaturenGebruikt als stroomleidingen, ondersteuning van apparatuur en plaatsingsonderdelen in warmtewisselaars en -reactoren met hoge temperatuur.
• Onderzoek en laboratorium
• Glas en metallurgie In kleine glazen gloeiovens en in microsmelteapparatuur voor edelmetaal wordt toegepast en biedt uitstekende weerstand tegen metaalversmelting en corrosie bij hoge temperaturen.

Onder drukloos gesinterd siliciumcarbide behoudt een stabiele prestatie bij hoge en lage temperaturen zonder afbraak of structurele storing.De volledige eigenschappen zijn op het meest geavanceerde niveau in de industrie..

Voor meer informatie of om uw specifieke behoeften te bespreken, neemt u rechtstreeks contact met ons op.