Silikonkarbid-Stab Sic Heizungselemente 1200C für die Elektronikindustrie

Name: Silikonkarbid-Stab Sic Heizungselemente 1200C für die Elektronikindustrie
Brand: Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd
SKU: Anpassbar
Price: 350.00 USD
Availability: InStock

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Kunden-Berichte

NGK schätzt unsere langjährige Partnerschaft mit Shaanxi Kegu. Ihre SSiC-Keramiken zeichnen sich durch Qualität und Innovation aus und treiben unseren gemeinsamen Erfolg voran. Auf weiterhin gute Zusammenarbeit!

—— NGK Thermal Technology Co.,Ltd

Bei Huike sind wir stolz auf unsere langjährige Partnerschaft mit der Shaanxi Kegu New Material Technology Co., Ltd., eine Zusammenarbeit, die auf Vertrauen, Innovation und gemeinsamer Exzellenz basiert.Ihre Expertise in SSiC-Keramik und zuverlässige Lösungen haben unsere Projekte konsequent unterstützt.

—— Suzhou Huike Technology Co.,Ltd.

Wir bei Keda schätzen unsere langjährige Partnerschaft mit Shaanxi Kegu New Material Technology Co., Ltd. sehr. Ihre hochwertigen SSiC-Keramik-Lösungen sind ein wesentlicher Bestandteil unserer Projekte und wir freuen uns auf die weitere Zusammenarbeit und den gemeinsamen Erfolg.

—— Keda Industrial Group Co.,Ltd.

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Silikonkarbid-Stab Sic Heizungselemente 1200C für die Elektronikindustrie

Großes Bild : Silikonkarbid-Stab Sic Heizungselemente 1200C für die Elektronikindustrie

Produktdetails:

Herkunftsort:	China
Markenname:	KEGU
Modellnummer:	Anpassbar

Zahlung und Versand AGB:

Preis:	200-500 yuan/kg
Verpackung Informationen:	Starke Holzkisten für den weltweiten Versand
Zahlungsbedingungen:	L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	2.000 PC/Monat

Kontakt

Silikonkarbid-Stab Sic Heizungselemente 1200C für die Elektronikindustrie

Beschreibung

Material:	Siehe	Zusammensetzung: SiC:	> 85%
Farbe:	Schwarz	Dichte:	2,5~2,6 g/cm³
Max. Service Temp:	1380℃	Flexuralstärke:	70 bis 90 MPa
Größe:	Individualisiert	Wärmeleitung:	23.26 W/m·°C
Widerstand:	1000·2000 Ω·mm2/m	Zugfestigkeit:	39.249 MPa
Max. Dienstzeit.:	1500℃	Linearer Wärmeausdehnungskoeffizient (20-1500℃):	5×10⁻⁶/℃
Elektrische Widerstandsfähigkeit:	1000 bis 2000Ω·mm2/m
Hervorheben:	1200C Siliziumkarbidstange , Sic Heizkörper 1200C , Elektronikindustrie Sic Heizkörper

1200C Siliziumkarbid-Stab / Sic Heizelemente für die Elektronikindustrie

Beschreibung

Highlight:

1200C Sic Heizelemente

Sic Heizelemente Stab

Elektronikindustrie Sic Heizelemente

Produktbeschreibung

Siliziumkarbidstäbe werden aus hochreinem, grünem, hexagonalem Siliziumkarbid als Hauptrohstoff hergestellt, nach einem bestimmten Materialverhältnis zu Rohlingen verarbeitet und bei 2200℃ Hochtemperatur-Silizierung-Rekristallisation gesintert, um stabförmige oder rohrförmige, nichtmetallische Hochtemperatur-Elektroheizelemente herzustellen. Die normale Betriebstemperatur in einer oxidierenden Atmosphäre kann 1450℃ erreichen, und die Dauerverwendung kann 2000 Stunden betragen.

Technische Parameter

Name	MoSi2 Heizelement
Form	Hantel, U, W und andere Sonderformen
Verwendete Temperatur	Bis zu 1800C
Herstellungsprozess	Hergestellt zu Rohlingen, siliziert unter hoher Temperatur und rekristallisiert.

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Ansprechpartner: Ms. Yuki

Telefon: 8615517781293

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